用高速摄影与闪光X线照像术观测爆轰波在金属板上的正规与非正规斜反射现象

爆轰波在可压缩金属板上的斜反射分为正规反射和非正规(马赫)反射。两者在受作用壁面上形成的压力有着数量级的差别。它们的观测,在爆轰波相互作用及高压物理研究领域具有重要价值。然而,由于在实验观测技术上的难度而很少有研究报告发表。     

Fe~(3+)离子在钠-硼玻璃中的顺磁共振

研究了Fe~(3+)离子在钠-硼玻璃中的顺磁共振。在表观g=4.27处,有一条尖锐的大致对称的共振线。实验结果表明Fe~(3+)离子代替接触二个钠离子的[BO_4]四面体中的硼离子位置。     

已开发利用的食(药)真菌多糖

食用菌具有丰富的营养和保健作用.其活性成分多糖具有免疫调节和抗肿瘤功能,又可工厂化生产,开发前景广阔.本文主要介绍已开发食(药)真菌多糖的种类、结构、功能和应用.     

用Moire条纹倍增法测量裂纹尖端应变场

在这篇文章中,用500条线/英寸正交Moire栅作试件栅,用Moire条纹倍增方法,在光学滤波系统中,经过一级倍增分别得到相当1000条线/英寸Moire条纹裂纹尖端附近u,v全场等值线;得到铝合金薄板(LYl2-CZ)斜裂纹在单向拉伸载荷作用(裂纹相当受拉、剪复合型载荷)裂纹起裂前后应变场分布;裂纹张开位移COD等结果。     

基于Fuzzing技术的云数据泄露漏洞检测

目前Web应用上存在接口枚举、越权与敏感信息回传三种逻辑漏洞,在SaaS服务模式的背景下,攻击者利用这些漏洞可以非法获取云端数据,给厂商和用户造成损失.主流的检测方案未实现自动化,依赖测试者经验的渗透测试,难以全面覆盖复杂的Web应用业务逻辑.本文分析云数据服务Web应用的业务逻辑,建立抽象三种逻辑漏洞的威胁模型,设计漏洞Fuzzing检测算法和系统框架,并实现了原型系统.实验结果表明,本文方案可检测造成云数据泄露的三种逻辑漏洞,与人工经验相结合,实现自动化的渗透测试.测试真实Web应用,发现了未被修补的三种逻辑漏洞,并已经得到厂商确认,提升了漏洞挖掘的覆盖度.     

中国优秀传统文化融入STEAM实践的教学——沉淀溶解平衡

基于STEAM理论,以中国山水画的传统艺术为教学情境,以沉淀溶解平衡知识为载体,以化学试剂为色彩将优秀传统文化融入化学学科教学设计,引导学生在获取知识的过程中提高人文素养,增强文化自信。     

Ag纳米线增强硒微米管/聚噻吩自驱动光电探测器性能EI北大核心CSCD

自驱动光电探测器能够满足现代光电器件对节能和轻质的需求,但复杂的工艺和较高的成本限制了其进一步发展。本文采用旋涂法将硒微米管(Se-MT)和聚噻吩(PEDOT)制备成Se-MT/PEDOT异质结,其器件在350~700 nm波长下具有良好的光响应,无偏置电压下的响应度为8 mA/W(500 nm)。为了提高器件的光响应度,利用银纳米线(Ag-NW)修饰异质结制备Se-MT/PEDOT/Ag-NW,增强异质结在紫外-可见光区的光吸收并提高器件的光电性能。与Se-MT/PEDOT器件对比,Se-MT/PEDOT/Ag-NW器件在350~700 nm波长下的光电流数值整体上升,特别是在0 V偏压500 nm光照下,器件的响应度提升至65 mA/W(增强800%),开关比增强400%达到552,上升和下降时间明显下降至15 ms和28 ms。这一结果表明Ag-NW改性有机/无机异质结的方法可以应用于高性能光电探测器的制备。     

稀土元素对ZrO2-M2O3/MCM-41(M=La,Ce,Sm,Gd)氢转移催化活性的影响

通过浸渍法制备了5%ZrO₂/MCM-41、5%ZrO₂-5%M₂O₃/MCM-41(M=La,Ce,Sm,Gd)催化剂,考察其在苯乙酮氢转移还原生成-苯乙醇反应中的催化活性,同时对样品进行XRD、N₂吸附-脱附、吡啶吸附原位红外等表征分析,研究添加稀土金属氧化物对催化剂活性的影响机理。结果表明:ZrO₂及稀土金属氧化物均以无定型态或粒度低于XRD检测限的细小晶粒较好地分散在MCM-41介孔分子筛内表面;加入稀土金属氧化物对ZrO₂/MCM-41的催化活性有较大影响,催化活性按5%ZrO₂-5%La₂O₃/MCM-41>5%ZrO₂-5%Sm₂O₃/MCM-41>5%ZrO₂-5%Gd₂O₃/MCM-41>5%ZrO₂/MCM-41>5%ZrO₂-5%Ce₂O₃/MCM-41降低。这一方面归因于加入稀土金属氧化物增强了催化剂表面Zr-OH、L酸中心及B酸中心的酸性,另一方面归因于La₂O₃的加入使催化剂表面酸中心数目明显提高,Sm₂O₃、Gd₂O₃的加入使催化剂表面酸中心数目有所降低,而加入Ce₂O₃使催化剂表面酸中心数目显著减少。     

双极性半导体钝化膜空间电荷电容分析（Ⅱ）

将双极性半导体钝化膜空间电荷电容等效为钝化膜,溶液界面处电容和内层钝化膜/外层钝化膜界面处的np结电容的串联,根据前期研究建立的半导体富集态、耗尽态以及反型态空间电荷电容的统一计算公式,给出了双极性钝化膜Mott-SchoRky(M-S)曲线的非线性拟合方法.并将这一方法应用于镍基合金G3高温高压H2S/CO2腐蚀后的钝化膜半导体特征研究.M-S曲线非线性拟合结果显示,温度升高外层P型半导体钝化膜多数载流子浓度明显增高,而内层n型半导体钝化膜的多数载流子浓度基本未变.通过非线性拟合,证明本文所给出的M-S曲线非线性拟合方法能够同时给出钝化膜内外层多个半导体性质参数,为揭示钝化膜形成及破坏机制提供更多信息.结合X射线光电子能谱(XPS)分析,讨论了钝化膜结构变化机制及np结在抑制腐蚀过程中的作用.     

MCM—41中孔分子筛修饰电极对铁（Ⅱ）和钌（Ⅱ）的1,10—氮 …

用循环伏安法研究ＭＣＭ－４１分子筛修饰电极对铁（Ⅱ）和钌（Ⅱ）的１，１０＝氮杂菲配合物的电化学行为，由于ＭＣＭ－４１中孔分子筛孔表面存在非常活泼的羟基，使其具有很高的活性，它能使分子筛本身作为配体与金属离子配位，并便原来的配体部分解离。