首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   933篇
  免费   291篇
  国内免费   288篇
化学   644篇
晶体学   15篇
力学   74篇
综合类   38篇
数学   149篇
物理学   592篇
  2024年   11篇
  2023年   21篇
  2022年   31篇
  2021年   16篇
  2020年   19篇
  2019年   37篇
  2018年   33篇
  2017年   31篇
  2016年   28篇
  2015年   29篇
  2014年   45篇
  2013年   36篇
  2012年   37篇
  2011年   50篇
  2010年   54篇
  2009年   63篇
  2008年   72篇
  2007年   65篇
  2006年   65篇
  2005年   59篇
  2004年   60篇
  2003年   53篇
  2002年   29篇
  2001年   38篇
  2000年   23篇
  1999年   44篇
  1998年   29篇
  1997年   26篇
  1996年   27篇
  1995年   38篇
  1994年   39篇
  1993年   48篇
  1992年   36篇
  1991年   24篇
  1990年   14篇
  1989年   26篇
  1988年   22篇
  1987年   22篇
  1986年   16篇
  1985年   15篇
  1984年   8篇
  1983年   15篇
  1982年   11篇
  1981年   3篇
  1980年   6篇
  1979年   5篇
  1964年   4篇
  1957年   5篇
  1956年   5篇
  1954年   5篇
排序方式: 共有1512条查询结果,搜索用时 46 毫秒
81.
L-半胱氨酸;ZnS纳米粒子;牛血红蛋白;紫外光谱;荧光光谱;FTIR-ATR  相似文献   
82.
采用一种新型的金刚石颗粒制备方法,利用微波辅助化学气相沉积技术,向反应室内通入氢气,以固态石墨片同时作为碳源和衬底沉积金刚石颗粒.利用该方法合成的金刚石颗粒具有微米级尺寸,可用作研磨剂、抛光剂、形核剂等.但是合成的金刚石颗粒中仍含有少量的非晶碳,且合成颗粒的尺寸均匀性有待提高.为解决以上问题,本文中在反应不同阶段(初期、中期及末期)通入氧气,形成氧等离子体;研究氧等离子体对合成的金刚石颗粒形貌、尺寸、质量、纯度的影响,以及随氧等离子体添加阶段不同而产生的不同变化情况.结果 表明,经氧等离子体处理的金刚石颗粒形貌略有改变,表面光滑度更好,且金刚石颗粒尺寸的一致性有所提高;经过激光粒度测试发现,金刚石颗粒的尺寸主要集中在25~ 29 μm.添加氧等离子体有助于消除金刚石中的非晶碳,提高金刚石纯度;且在反应初期添加氧等离子体可最大程度提高金刚石颗粒质量.  相似文献   
83.
笔者在数学教学中发现,不少高中学生在解题时,往往会反复出现一些低级错误或解题误区,导致学习进步迟缓.作为学习的主体,大多数学生的学习态度和动机没什么大问题,主要原因出在思维指向性模糊,对数学的观察、分析、猜想、推理、概括、判断、验证、探究等只停留在表面,思维活动深入不下去,以致数学解题思想无法形成,解决方法无处落实.根据高中学生数学思维障碍产生的不同原因,在平时的教学中,笔者注重正视学生数学思维的差异性,因材施教,提高学生的思维能力,突破他们的思维障碍.  相似文献   
84.
85.
对于溅射后硒化和共蒸发等方法制备的铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池薄膜,利用多种分析方法研究了CIGS多层膜的复杂结构等.研究表明:卢瑟福背散射(RBS)在分析CIGS多层膜方面具有其独特优势和可靠的结果;溅射后硒化方法制备的CIGS薄膜中,Ga和In在CIGS薄膜中呈梯度分布,这种Ga表层少而内层多的不均匀分布与Mo层没有必然关系;RBS和俄歇电子能谱分析(AES)均显示CIGS太阳能电池器件多层膜界面处存在扩散,尤其是CdS与CIGS,Mo与CIGS的界面处;X射线荧光(XRF)结果表明,电池效率最高的CIGS层中In,Ga比例为In:Ga=0.7:0.3;X射线衍射(XRD)结果显示:退火后的CIGS/Mo薄膜结晶品质得到了优化.  相似文献   
86.
<正>A 240-nm thick Al0.4In0.02Ga0.58N layer is grown by metal organic chemical vapour deposition,with an over 1-μm thick GaN layer used as a buffer layer on a substrate of sapphire(0001).Rutherford backscattering and channeling are used to characterize the microstructure of AlInGaN.The results show a good crystalline quality of AlInGaN(xmin= 1.5%) with GaN buffer layer.The channeling angular scan around an off-normal(1213) axis in the {1010} plane of the AlInGaN layer is used to determine tetragonal distortion eT,which is caused by the elastic strain in the AlInGaN.The resulting AlInGaN is subjected to an elastic strain at interfacial layer,and the strain decreases gradually towards the near-surface layer.It is expected that an epitaxial AlInGaN thin film with a thickness of 850 nm will be fully relaxed (eT=0).  相似文献   
87.
于湘华  姚保利  雷铭  严绍辉  杨延龙  李润泽  蔡亚楠 《物理学报》2015,64(24):244203-244203
无衍射光束(如贝塞尔光束、艾里光束)因具有无衍射、自愈合的特性, 在很多领域都有广泛的应用. 本文提出使用纯相位型空间光调制器对光场的复振幅进行调控, 从而可以产生多种复杂模式的无衍射光束, 如强度可独立调控的多个零阶贝塞尔光束, 两个高阶贝塞尔光束干涉生成的花瓣状无衍射光束, 具有多个主瓣的加速光束等特殊的无衍射光束. 通过在待测焦场附近放置一个平面反射镜, 使其沿光轴快速扫描光场, 并由数字相机同步拍摄反射回来的一系列二维光场强度分布信息, 可实现对无衍射光束三维光场强度分布的快速测量和表征. 本实验方法和技术可以快速产生各种复杂的特殊光场并获得其精确的三维可视化重建效果, 在光学显微、光学俘获、光学微加工等领域有潜在的应用价值.  相似文献   
88.
Charge transport properties of polyimide films implanted with 80 keV Co ions at two different fluences (series I: 1.25 × 10^17 ions/cm^2, series Ⅱ: 1.75 × 10^17 ions/cm^2) are studied in detail. For series I, the temperature dependence of surface resistivity fits Mott's equation very well. It is on the insulating side of the insulator-metal transition (IMT). However, for series Ⅱ, the temperature dependence of surface resistivity is not in agreement with Mott's equation. It is on the metallic side of lMT. The magnetotransport properties of these two series are also studied. No significant magnetoresistive effect is observed for series I at both 5 K and 300 K. For series Ⅱ, an obvious magnetoresistive effect is observed at 5 K, while there is no magnetoresistive effect at 300 K. Rutherford backscattering spectrometry (RBS) is applied to confirm the actual fluence for these two series.  相似文献   
89.
丁志博  王坤  陈田祥  陈迪  姚淑德 《物理学报》2008,57(4):2445-2449
用卢瑟福背散射/沟道技术研究了p-GaN上的Ni/Au电极在氧气氛下相同合金温度(500℃)不同合金时间后的微结构演化,以揭示欧姆接触的形成机制.利用背散射随机谱和RUMP模拟程序研究了电极金属之间的互扩散,用沟道谱探测了电极金属中的氧分布.结合不同合金时间下比接触电阻ρc的变化,发现随着合金时间的延长比接触电阻持续降低,在合金时间60 s后降低的速度减慢, Au扩散到GaN的表面,在p-GaN上形成外延结构,O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρ关键词: GaN 卢瑟福背散射/沟道 欧姆接触  相似文献   
90.
王强华  姚希贤 《物理学报》1994,43(1):134-145
根据反射射理论讨论了电泳脉冲法产生磁通孤子的阈值条件。对甚长结作的数值实验与理论符合很好。对有限结,考虑到边界效应,电流台阶范围等因素,对孤子激发条件有额外的要求。对圆对称环域结用脉冲法激发了孤子,并分析了其中回波效应、外磁场等对激发条件的影响。所有结果表明,电流脉冲法是在Josephson结中激发孤子态的有效方法,理论阈值条件可以提供有益的参考作用。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号