金兹堡-朗道方程解的稳定性讨论

在某些给定物理条件下,GL方程的解可能多于一个.这一结果也适用于电流通过超导微桥的情形.因此,讨论解的稳定性是必要的.本文将给出微桥情形下解的稳定性判据,并讨论它的实际用法.     

Banach 空间中 ESA 型基的对偶

1950年,R.C.James 给出了一具有基的拓扑同构于它的二次对偶但不自反的 Banach空间。在此基础上,1951 年他进一步给出了一具有基的等距同构于它的二次对偶但不自反的Banach 空间(称为 James 空间)。1975年 R.H.Lohman 和 P.G.Casazza 研究了James 空间,并对其作了一般性的推广.A.Brunel 和 L.Sucheston 于1976年讨论了     

超导—阵列—超导(S-G-S)结Josephson隧道特性

本文在平均场近似下,用路径积分方法,对由超导-阵列-超导结(S-G-S)组成的隧道结的Josephson特性进行了研究。在中间阵列层有耦合和没有耦合的情形下,分别得到了Josephson电流与温度,位相差和结参数的关系。 关键词：     

利用菌紫质薄膜进行角度复用和偏振复用全息存储实验研究

全息光存储以其高密度、大容量、高速并行数据存取而成为光存储领域的一个重要研究方向。生物光致变色材料———菌紫质是一种新型可擦重写全息记录介质。实验证明了使用菌紫质薄膜进行角度复用和偏振复用全息存储的可行性。利用菌紫质的光致变色特性,采用90°角度复用全息存储光路,在BR-D96N薄膜样品同一位置上实现了6幅全息图存储,并分别读出了无串扰的再现像。利用菌紫质薄膜的光致各向异性进行了偏振复用全息存储,在BR-D96N薄膜样品的同一位置上存储了两幅正交偏振光记录的图像,用原参考光再现和偏振片选择,可分别读出这两幅图像。     

束流位置监测系统的研制及其在国家同步辐射实验室二期工程中的应用

 介绍一种储存环束流位置监测系统的标定装置。这套标定装置是为NSRL二期工程储存环注入段真空盒改造而研制的。系统的标定精度达±0.01mm。该装置已用于新增注入段真空管的束流位置探测器的定标，获得了探头定标值，并根据其拟合和计算结果对注入段真空管进行了筛选，被选中的真空管已装入储存环注入段。     

基于冷原子吸收分光光度法的热解析-低温等离子体脱汞技术研究

研究含汞土壤的修复问题,采用热解析和低温等离子体综合技术探究新途径,调整温度、添加剂、时间等因素来判断脱汞效果并探究其不同形态,分析工艺过程废料的内部联系,并对废气处理进行分析实验。结论如下：(1)通过改良技术的BCR连续萃取法,得出研究区汞的形态主要为有机结合态(53%)。之后依次是氧化物结合态(33%)、酸可提取态(8%)、残渣态(6%)。(2)温度对热解析程度影响较大。在500℃以上的热解析条件下,土壤中的汞浓度不足1.5 mg·kg-1。(3)当选用400℃的解析温度时,40 min汞去除总体完成。在低于1 700 mg·kg-1的浓度下,汞去除率随着土壤中的含量的增大而减小。(4)氯化钙对于热解析的促进作用最强,柠檬酸、升华硫也有一定作用,硫化钠对于汞去除形成阻滞。(5)低温等离子体的最佳状态是电源设置电压为22 kV,频率为660 Hz。整个系统的汞去除程度可达近90%。     

ECRH主高压电源控制系统的设计

1引言 在托卡马克聚变研究装置中，ECRH主要被用于整体或局部的电子加热、控制电子温度和等离子体电流等重要参数的分布截面、抑制等离子体磁流体动力学不稳定性、改善等离子体约束等。ECRH高压电源的参数为：电压-55kV，电流25～30A，稳定度1％，另外，要求电源系统不仅具有快速的保护性能，并且要具有较高的稳定度。     

多棱锥镜产生多光束干涉场的理论和实验研究

提出了一种使用多棱锥镜和多棱台镜产生多束相干光形成二维和三维光学格子的方法。理论分析和数值模拟了多束轴对称平面波干涉产生的二维及三维点阵结构的特性,得到了光场分布随光束数增加的关系,发现随着干涉光数目的增加,干涉场会复杂变化,当棱锥棱数足够多近似于一个圆锥时,干涉场会变为同心圆结构的贝塞尔光束的场分布。实验上使用多棱锥和多棱台镜进行了多光束干涉实验,得到了多束轴对称平面波干涉形成的光学格子,将数值模拟与实验结果进行了比较,二者完全吻合。     

Block Entanglement in the Single-Hole Hubbard Model

We investigate the distribution of the entanglement of the one-dimensional single-hole Hubbard model （HM） and study the relationship between the entanglement and quantum phase transition in the model. The von Neumann entropy of a block with neighbouring spins L for a single-hole HM is calculated using the densitymatrix renormalization group. The distributions of the entanglement entropy in the ground state, as a function of block length, show a dramatic effect, i.e. effectively decoupling with the centres, no matter how the Coulomb interaction u 〉0 or u 〈0. Contrarily, for the Coulomb interaction u = 0 or close to zero, the entanglement entropy in the single-hole model reaches a saturation value for a certain block size. For a fixed size L = 40, the ground state entanglement entropy measure, as a function of u1 shows a peak corresponding to the critical quantum phase transition.     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.