气动加热下高温陶瓷材料内的瞬态耦合换热

采用控制容积法结合蒙特卡罗法与谱带模型,数值模拟了气动加热下高温陶瓷内的辐射与导热瞬态耦合换热.分析了冷却边界条件、各向同性散射和表面特性对高温陶瓷内瞬态温度分布的影响.结果表明,高温下陶瓷内的辐射换热作用十分明显,陶瓷材料的表面特性对瞬态温度分布影响很大,各向同性散射也有明显影响.     

激发-发射荧光法同时测定大米中多菌灵和西维因残留量

样品经预处理后使用激发-发射荧光光谱仪获取荧光信号。基于交替惩罚三线性分解（APTLD）和自加权交替三线性分解（SWATLD）算法的二阶校正方法,借助显著的“二阶优势”在重叠的光谱信号中准确分辨出多菌灵和西维因的光谱,获得定性定量结果。多菌灵和西维因的回收率分别为97.4%～105.2%和103.0%～106.2%,标准偏差均小于4%,预测均方根误差（RMSEP）在接受范围内。对选择性、灵敏度、检出限、定量限等品质因子进行了计算,并使用椭圆联合置信区（EJCR）进行统计分析,表明该方法可实现大米中多种农药残留同时定量检测。     

环己烯催化氧化产物的气相色谱-红外光谱联用分析

环己烯的催化双氧水氧化产物经气相色谱－红外光谱联用分析为２－环己烯－１－醇、２－环己烯－１－酮及２,３－环氧－１－环己酮３种产物。其中２,３－环氧－１－环己酮是首次检测到的产物,推测为２－环己烯－１－酮的深度氧化产物。     

Candida rugosa脂肪酶同工酶的选择固定化

采用DEAE－Sepharose CL-6B离子交换层析，将Candida rugosa脂肪酶（CRL）分成了含同工酶CRL A和CRL B的3个组份，CRL A和CRL B在低水－有机溶剂双液相体系中催化（R，S）－普生甲酯的不对称水解反应，具有不同的对映体选择性。SDS聚丙烯酰胺凝胶电泳分析发现，CRL A和CRL B的分子量几乎相同（约为62000－64000Da)。等电聚焦显示CRL A在等电点pI5.6处有单一条带，CRL B在等电点pI4.2附近有2条带。圆二色谱分析未发现明显结构差异，但在极低的离子强度下它们在疏水载体YWG－C6H5上的吸附速度明显不同。50％异丙醇处理发现，CRL B可解离为CRL A和小分子酸性化合物。据此认为CRL A和CRL B在结构组成上存在着轻微差别，CRL A的活性位点处疏水腔的开放程度较CRL B大，CRL B上非共价结合有一些小分子酸性化合物。据此，分别将其选择性地固定在了疏水性不同的载体YWG－C6H5和YWG－NH2上。本文通过一个简单易行的选择吸附步骤、同时达到了同工酶的分离纯化及固定化目的，提供了一种分离结构上相近的同工酶的便利方法。     

壳寡糖的酶法制备

通过还原端基、酶解产物聚合度、水解液调碱性后透光率的测定以及酶解产物的TLC、HPLC分析,研究了壳聚糖酶降解壳聚糖过程中壳聚糖浓度、酶用量、反应时间和pH对酶促反应速率和产物聚合度的影响。结果表明:壳聚糖酶在底物浓度0.03 g/mL、壳聚糖酶用量4~6 u/g、pH=5.8和水解200 min时,可得到以聚合度3~7为主的壳寡糖。     

Pseudo nanocrystal silicon induced .luminescence enhancement in a-Si/SiO2 multilayers

Enhanced photoluminescence （PL） at room temperature from thermally annealed a-Si：H/SiO2 multilayers is observed through the step-by-step thermal post-treatment. The correlation between the PL and the crystallization process is studied using temperature-dependent PL, Raman, cross section high-resolution transmission electron microscopy （XHRTEM） and x-ray diffraction （XRD） techniques. An intensified PL band around 820 nm is discovered from the sample annealed near the crystallization onset temperature, which is composed of two peaks centred at 773 nm and 863 nm, respectively. It is found that the PL band centred at 863 nm is related to the pseudo nanocrystal （p-nc-Si） silicon, and the PL band centred at 773 nm is attributed to Si = O bonds stabilized in the p-nc-Si surface.     

基于离子注入技术的ZnMnO半导体材料的制备及光谱表征

通过离子注入技术制备了ZnMnO半导体材料，研究离子注入剂量与退火对材料光谱性质的影 响.Raman光谱研究发现，575cm^-1处声子模展宽是由高剂量Mn注入引起的缺陷所 致，退火样品528cm^-1振动模来自Mn相关的杂质振动.室温光致发光谱表明，退 火对高剂量注入样品的可见发光带有增强作用. 关键词： ZnMnO 离子注入 Raman光谱 室温光致发光     

Nd:LuVO4晶体光谱参数的计算及其分析

测定了Nd:LuVO4晶体的室温吸收谱;根据Judd-Ofelt理论拟合了Nd3+离子的三个晶场调节参数Ωt(t=2,4,6)的值分别为8.235×10-20cm2,4.683×10-20cm2,6.090×10-20cm2;计算了各个能级跃迁的谱线强度、振子强度、吸收截面等,进而计算了4F3/2态的自发跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面,并对结果作了分析.     

Si离子注入对分子束外延Si1-xGex/Si量子阱发光特性的影响

对分子束外延生长带边激子发光的Si_1-xGe_x/Si量子阱结构，通过Si离子自注入和不同温度退火，观测到深能级发光带和带边激子发光的转变.Si离子注入量子阱中并在600℃的低温退火，形成链状或小板式的团簇缺陷，它导致深能级发光带的形成，在850℃的高温退火后重新观测到带边激子发光.这种团簇缺陷的热离化能约为0.1eV，比Si中空穴或填隙原子缺陷的热激活能(约0.05eV)高.这表明早期文献中报道的深能级发光带是由类似的团簇缺陷产生的. 关键词：