铕缔合物(C34H54N2O10)［Eu(NO3)5］的合成和晶体结构

在乙腈溶液中合成了标题化合物,（C(34)H(54)N2O10）[Eu（NO3）5]（C(34)H(52)H2O(10)＝1,2-二（2,3-苯并-10－氮杂-15-冠-5－N-乙氧基）乙烷）并用X射线衍射分析测定了它的结构。该晶体属单斜晶系,P21／c空间群,晶胞参数：a＝1．1801（2）nm,b＝2．3560（5）nm,c＝1．7025（3）nm,β=99．67（3）°。V＝4．6662（16）nm',Z＝4,Dc=1．581g·cm(－3)。Eu(3 )与5个NO3的10个O配位。大环化合物上无论是O还是N都未与Eu(3 )成键。     

QEu(TTA)~4.H~2O的晶体结构和荧光光谱

合成了有机碘翁离子作抗衡阳离子的标题配合物晶体QEu(TTA)~4.H~2O(Q=3,6-二甲氨基-二苯基碘翁离子;TTA=噻吩甲酰三氟丙酮根),晶体属P2~1/n空间群,a=1.4206(6),b=2.761(1),c=1.4658(3)nm,β=100.40(2)ⅲ,Z=4,最终的R因子为0.079。77K下,配合物高分辨激光激发荧光光谱的测定表明,配合物中存在一种Eu(Ⅲ)格位。晶体结构测定结果确认,Eu(Ⅲ)离子格位的区域对称性为C~1。自由基聚合的引发实验结果表明,一定浓度的标题配合物对高分子聚合有促进作用。     

铕-N,N-二(N-亚甲基琥珀酰亚胺)甘氨酸-1,10-二氮杂菲三元配合物的光致变色

合成了N,N-二(N-亚甲基琥珀酰亚胺)甘氨酸,并以元素分析、IR、¹HNMR和质谱进行表征.实验中发现铕(Ⅲ)与N,N-二(N-亚甲基琥珀酰亚胺)甘氨酸和1,10-二氮杂菲形成的配合物具有光致变色的性质.在铕变色物种里,铕离子与N,N-二(N-亚甲基琥珀酰亚胺)甘氨酸中的羧基,1,10-二氮杂菲中的氮原子相结合,同时也可能与水分子和羟基基团结合.     

Tb-吡哌酸的荧光体系及尿和血清中吡哌酸含量的测定

本文报道了Ｔｂ－吡哌酸生成络合物后,在紫外光照射下发生分子内能量传递使Ｔｂ产生特征荧光,其荧光强度与吡哌酸的浓度成线性关系,由此建立了一种灵敏、快速的分析吡哌酸的方法。此方法具有背景干扰小,选择性高和体系中铽的荧光寿命长等特点。尤其适用于血清、尿样等体液分析,回收率在９４．６％～１０２％。该方法检出限为３．６ｎｇ／ｍＬ。其线性范围是５．０×１０－８～４．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ。     

乙酰丙酮铕(Ⅱ)稳定常数的测定

稀土的乙酰丙酮络合物的研究已有80多年的历史。三价稀土离子与乙酰丙酮形成络合物的稳定常数早巳系统地测定过^[1]。但是,二价稀土离子,例如铕(Ⅱ)与乙酰丙酮形成络合物的稳定常数未见报道。本文叙述试用pH法测定乙酰丙酮铕(Ⅱ)的稳定常数。     

摩擦热对UHMWPE/钢摩擦副摩擦性能的影响

通过控制销盘试验中的散热条件测定了摩擦热对UHMWPE/钢摩擦副摩擦性能的影响;利用统计学相关系数理论对摩擦系数和表层温度的相关性进行定量比较,发现不良散热条件使其相关系数显著增大;根据Taylor Hobson轮廓仪测量试样表面形貌三维初始表面高度,尝试用元胞自动机方法进行了摩擦表面温度分布模拟计算,并结合磨损表面形貌分析探讨摩擦热对UHMWPE磨损机理的影响.结果表明:摩擦系统的热传导条件严重影响UHMWPE的摩擦性能;摩擦热效应使得局部接触表面温度超过熔点,摩擦热的积累效应使UHMWPE的磨损机理由粘着磨损变为熔融剪切磨损;在聚合物材料的摩擦试验及应用研究中必须考虑摩擦热的影响.     

H+离子在固体中的电子俘获

在0.6, 0.9, 1.2, 1.6和1.8 MeV的能量下, 测量了H⁺离子在不同厚度的碳膜中产生的中性产物H和负离子产物H-的产额Φ(H)和Φ(H^-). 测量结果表明, 在相同的能量下Φ(H)和Φ(H^-)都是常数, 而且Φ(H)比Φ(H^-)大几个数量级. 分析了H⁺在固体中运行时不断地俘获和损失电子的电荷交换过程. 证明快离子在固体中确实存在这个过程, 并得到了电荷交换截面比的经验公式.     

声表面波单指无内反射叉指换能器

在陈-Haus理论的基础上,本文首先从实验上研究了YZ-LiNbO_3上的短路金反射栅及ST-X石英上的沟槽填铝短路反射栅的反射特性,证明了这两种结构存在异常反射现象。同时,在实验中发现YZ-LiNbO_3上的短路金反射栅存在用改变栅条厚度无法消除的残余反射现象。我们将陈-Haus理论开拓到各向异性晶体的实际情况,从理论上解释了这一现象。 进而从耦合模理论出发讨论了叉指换能器的反射理论。在此基础上,本文着重从理论和实验上提出了利用异常反射现象实现单指无内反射换能器结构,具体分析和实现了两种无内反射叉指换能器结构:YZ-LiNbO_3上的金单指结构和ST-X石英上的沟槽填铝单指结构。在YZ-LiNbO_3上做出相对带宽14％,带内畸变小于±1dB的带通滤波器。与通常铝单指结构滤波器相比,带内畸变减小近10dB。在ST-X石英上做出了相对带宽0.9％,带内响应与理论设计要求完全相同的带通滤波器,而用通常铝单指结构,则滤波器的带内畸变将达到8dB。