RF预处理对ZnO/Si生长的影响

氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙的宽禁带半导体材料,其室温下的禁带宽度3.36eV,由于其具有紫外发光的特性,近来受到研究者的广泛关注.由于ZnO在高效率光散发设备和其它光学方面有应用前景,所以要进行高质量的ZnO薄膜制备的研究.由于晶格失配,ZnO/Si的异质结质量不高,现在主要应用过渡层或表面处理的方法进行改善.本文用MOCVD设备生长ZnO/Si薄膜,所用载气为N2,反应源为CO2和DEZ,衬底为Si(111)单晶外延片.除了对衬底进行常规的化学清洗以外,在生长前进行Ar RF的预处理,是氩离子对硅表面进行一定的破坏,处理能量从0～110W进行了梯度变化,再以同样的生长条件进行原位生长.对于样品我们分别作了XRD、PL、AFM测量,发现Ar RF预处理对薄膜结晶有很大影响,未作处理的样品一般呈多晶态,而处理后的样品在一定能量范围内晶格取向有显著提高,但随预处理能量达到一定限值后取向性被破坏,XRD测试图如1、2、3.预处理对于发光也有很大的影响,在一定能量范围内发光强度只随处理能量加大缓慢衰减,但在高能量状态下,发光明显减弱,峰位也随之变化.可见氩离子轰击硅表面形成了缺陷,这些缺陷在生长中顺延在ZnO部分,并且这些缺陷是发光淬灭中心,随能量的增加而增加.PL测试图如4.通过AFM分析样品的粗糙度,发现预处理对表面粗糙度有减低的作用,随着处理能量的增加,表面粗糙度下降.     

Cu13±团簇几何和电子结构的密度泛函研究

借助遗传算法结合Gupta原子间相互作用势.本文采用密度泛函理论系统研究了带电Cu₁₃^±团簇的基态与低激发态的几何结构和电子结构,并与中性Cu₁₃团簇的结果进行了对比.计算结果表明:对Cu₁₃ⁿ（n=0,±1）团簇,高对称性几何构型在众多异构中无能量竞争性优势,团簇基态结构皆为非紧致低对称性结构,对Cu₁₃找到一种新的低对称性最低能结构;带电明显影响团簇结构稳定性,带电Cu₁₃^±团簇与中性Cu₁₃团簇的结构稳定性序列显著不同;基态Cu₁₃ⁿ（n=0,±1）团簇具有磁矩最小化效应,而其高对称性结构则有较大磁矩;计算所得Cu₁₃团簇电离能及电子亲和势与实验结果相符.     

苯基荧光酮在混合表面活性剂体系中铜、铝的分光光度法同时测定

本文对在溴代十六烷基三甲铵和吐温８０混合表面活性剂中苯基荧光酮分光光度法同时测定铜和铝进行了研究。实验表明，在磷酸介质中，ｐＨ＝６．８－７．４范围内，苯基荧光酮与铜、铝形成稳定的络合物。铜络合物最大吸收波长为６００ｎｍ，εＣｕ６００＝６．６３×１０４Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１，线性范围为０—５μｇ／２５ｍＬ；铝络合物最大吸收波长为５６４ｎｍ，εＡｌ５６４＝１．０１×１０５Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１，线性范围０—６μｇ／２５ｍＬ。方法灵敏度高，选择性好，用于水及健康人体冻干血浆中铜、铝回收率的测定，结果满意。     

中值定理“中间点”的渐近性态

数学分析中的各中值定理都只肯定了“中间点”的存在性。并没有给出其具体位置和确定其位置的方法．通过对中值定理“中间点”的渐近性态的研究．可以确定“中间点”在某区间内的渐近位置,从而为近似计算提供帮助．综述在区间[a．x]上的各中值定理“中间点”当x→＋∞时的渐近性态,给出两个新的渐近估计式．     

夹杂物与空洞相互干涉对刃型位错运动吸附特性的影响

分子动力学（MD）计算模拟是研究复杂的微观系统的有力工具,使用Osetsky模型[1]和Malerba势能[2]进行模拟可以得到更为准确的数据。国内已经模拟过BCC铁中单独存在沉淀[3]和单独存在空洞[4]时的临界切应力（CRSS）在不同条件下的变化情况。本文模拟了BCC铁中刃型位错与铜沉淀和空洞共同存在时的相互作用过程,分析沉淀和空洞共同存在时对吸附切应力的影响,可以对位错的汇集过程更清楚的表征,同时预防或延迟裂纹的产生。     

数学教育的原则

我们在持续地进行数学教育改革和研究过程中,总结出关于数学教育的一些原则。现在谈一谈其中的八点。 1.第一条原则,就是数学教育要从零岁儿童开始。例如,整数的概念要从分散着的东西的认识开始。只要我们观察儿童的认识过程就可了解,0岁10个月的儿童就能从梳妆台抽屉中一个一个地取出化妆品的情形,就是认识整数的过程。整数还可以使儿童     

人工光子学器件的逆向设计方法与应用(特邀)

人工设计的光子学器件在超分辨、生物传感、光通信等领域都取得了卓越的成就.传统光子学器件的设计往往是通过分析物理模型和建立数值模拟方法实现的,但是基于数值模拟方法的结构设计很大程度上依赖于经验模型,同时在结构优化的过程中需要计算大量的参数组合,因此通常只能在有限的参数空间得到次优的结果.光子学器件的逆向设计有效的解决了上...     

两种四氨基锌酞菁异构体的简易合成及其表征

分别从4-硝基邻苯二甲酰亚胺和3-硝基邻苯二甲酸酐出发,经过两步反应,不经色层分离,制得了纯净的2,9,16,23-四氨基锌酞菁和1,8,15,22-四氨基锌酞菁两种异构体.对所合成的产物进行了质谱、¹HNMR及紫外可见光谱表征.结果表明,两种异构体在其DMF溶液中有二聚现象,其分子上的氨基不易氧化.前者分子上的氨基动力学稳定性强,后者分子上的氨基热力学稳定性强,且后者分子中存在分子内氢键.     

四邻苯二甲酰亚胺基金属酞菁的合成及其性质研究

从氨基酞菁出发，合成它们的衍生物——四邻苯二甲酰亚胺基金属(Cu^Ⅱ和Co^Ⅱ)酞菁，并对相关化合物进行了质谱、紫外可见光谱、红外光谱表征．其紫外可见光谱中Q带有分裂现象．实现了以氨基酞菁为前体物质进行衍生化的合成实验，讨论了取代基的大小、结构、取代位置及酞菁环中心金属的差异对其Q带分裂现象的影响。     

直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜

ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料,相对于传统的宽禁带材料有很多的优势.在相对成本低廉的Si衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题.目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破.本文利用直流溅射,先在Si衬底上溅射一层ZnO多晶薄膜,通过对直流溅射时间的控制,可以得到不同厚度的ZnO缓冲层.再利用MOCVD设备生长高质量的ZnO薄膜.通过研究发现,直流溅射ZnO薄膜的厚度对于最终的薄膜质量有很大的影响.随着缓冲层的引入,双晶衍射XRD的摇摆半宽有显著下降,并且随着最终ZnO薄膜质量上升,光致发光也有显著的提升.可见缓冲层的引入对ZnO/Si薄膜的质量和发光强度有很大的贡献.