光学相干域偏振测量技术及其在高精度光纤陀螺器件测量中的应用

光学相干域偏振测量(OCDP)技术是一种基于白光干涉原理,利用保偏光纤器件和组件中的偏振传输模式之间存在的能量耦合(偏振串扰)实现分布式偏振特性精确表征的测试方法,具有超高偏振测量灵敏度(偏振串扰为-100~-90dB)、高空间分辨率(5~10cm)、超宽测量动态范围(10~9~10~(10))和长光纤测量距离(数千米)等优点,可以满足包括光纤陀螺核心器件和光路在内的保偏光纤器件与组件的超高偏振性能测试需求。回顾OCDP原理与关键技术,包括分布式偏振串扰的测试原理与精确建模方法以及OCDP仪器化若干关键技术;展示OCDP技术在超高消光比集成波导调制器、超长陀螺敏感环定量测试与诊断、评估中的应用;针对高性能光纤传感器复杂多变的应用环境,展望OCDP技术在高精度光纤陀螺的核心器件与整机光路测试中未来的发展方向。     

Cu/C核/壳纳米结构的气相合成、形成机理及其光学性能研究

采用乙酰丙酮铜为原料, 通过化学气相沉积大批量制备出Cu/C核/壳纳米颗粒和纳米线. 研究结果表明, 通过控制沉积温度可对Cu/C核/壳纳米材料的形貌和结构进行很好的控制. 比如, 沉积温度为400 ℃时可获得直径约200 nm的Cu/C核/壳纳米线, 沉积温度为450 ℃ 时可获得直径约200 nm的Cu/C核/壳纳米颗粒和纳米棒的混合产物, 沉积温度为600 ℃时可获得直径约22 nm的Cu/C核/壳纳米颗粒. 获得的Cu/C核/壳纳米结构是由一个新颖的凝聚机理形成的, 而这种机理不同于著名的溶解-析出机理. 紫外-可见光谱和荧光光谱分析结果表明: Cu/C核/壳纳米线和纳米颗粒均在225 nm处出现Cu的吸收峰, 同时在620 和616 nm处分别出现了纳米线和纳米颗粒的表面等离子共振吸收峰. Cu/C核/壳纳米线在312 和348 nm处、 Cu/C核/壳纳米颗粒在304 和345 nm处出现荧光发射谱峰. 关键词： Cu/C核/壳结构 纳米线 纳米颗粒 光学性能     

银河宇宙线核传播的蒙特卡罗模拟

采用银河系超新星爆发中激波加速产生宇宙线的假定,用Monte Carlo方法模拟了宇宙线核在星际空间中的传播.模拟计算中采用加速器实验中测得的核碰撞截面和核散裂几率,考虑宇宙线核在星际介质中的作用和能量变化率,并采用标准漏箱模型决定宇宙线传播的扩散,最后采用力场近似处理太阳调制对宇宙线核的影响,所得到的0.5至20GeV/N的初级宇宙线硼、碳比,矾,铁比以及氧和铁的能谱与实验结果符合较好.讨论了超新星爆发的激波压缩比因子的不同取值对结果的影响.     

Off-Shell Longitudinal Photon Light-Cone Wavefunction in the Low-Energy Effective Theory of QCD

Within the framework of the low-energy effective theory arising from the instanton vacuum model of QCD, the longitudinal virtual photon light-cone wavefunction, ФγⅡ（u, P^2）, corresponding to the nonlocal quark-antiquark vector current is calculated at the low-energy scale. The coupling constant, Fγ（P^2） or equivalently fγ（P^2）, of the quark antiquark vector current to the virtual photon state is also obtained by imposing the normalization condition to the photon wavefunction. The behaviour of the coupling constant as well as the obtained photon wavefunction is discussed.     

退火温度和Ga含量对溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

采用溶液法在玻璃衬底上制备InGaZnO薄膜,并以InGaZnO为沟道层制备底栅顶接触型薄膜晶体管,研究了退火温度和Ga含量对InGaZnO薄膜和晶体管电学性能的影响.研究表明,退火可以明显改善溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管的电学性能.退火温度的升高会导致薄膜晶体管阈值电压的负向漂移,并且饱和迁移率和电流开关比增大.X射线光电子能谱测量表明,随退火温度的增加,InGaZnO薄膜表面吸附氧减少,沟道层中氧空位增多导致电子浓度增大.退火温度为380?C时,晶体管获得最佳性能.饱和迁移率随Ga含量的增加而减小.In:Ga:Zn摩尔比为5:1.3:2时,晶体管达到最佳性能:饱和迁移率为0.43 cm~2/(V·s),阈值电压为1.22 V,开关电流比为4.7×10~4,亚阈值摆幅为0.78 V/decade.     

高强度聚焦超声经颅脑肿瘤治疗焦域的仿真研究*

为了研究脑组织和脑肿瘤组织在HIFU治疗时形成焦域的特性及坏死肿瘤组织、不同治疗剂量参数以及多次治疗时焦点间距和时间间隔对HIFU形成焦域的影响,本文以脑胶质瘤患者为例,利用患者头颅CT图像数据建立HIFU经颅治疗的仿真模型,基于Westervelt声波非线性传播方程和Pennes生物热传导方程进行HIFU经颅治疗的仿真研究。结果表明,脑组织和脑肿瘤组织内形成HIFU焦域的差异较小,坏死肿瘤组织对HIFU温度场分布有较小影响;辐照声强越大,焦点温升达到同一温度所用时间越短,焦域长短轴越短,颅骨处温升越低;当焦点间距在一定范围内时,第一次辐照形成的温度场分布对第二个焦点温升达到同一温度所需时间影响较大;两次辐照时间间隔对颅骨处温升和两次聚焦形成60?C以上温度分布影响较小。     

W544F定点突变提高苏云金杆菌Cry1Ac蛋白的稳定性

W544是Cry1Ac蛋白上独特于其它Cry类蛋白的一个氨基酸, 它与F578和F604一起组成一个“螺旋桨状”的疏水簇, 通过疏水相互作用维持蛋白的三维结构稳定. 本研究通过定点突变将W544保守地替换为苯丙氨酸, SDS-PAGE分析结果表明其纯化的原毒素对紫外照射、胰蛋白酶处理和室温存贮的稳定性相对于野生Cry1Ac都有一定程度的提高; 经原子力显微镜观察, 发现W544F产生的晶体两个顶点间的垂直距离比野生型Cry1Ac约长0.6 μm, 且晶体表面不及野生型光滑; 此外, W544F与野生Cry1Ac的杀虫活性相似, 但经过紫外光照射9 h后, 其保留的杀虫活性比野生型高4倍以上. W544F突变较好地解决了Cry1Ac毒素蛋白田间应用不持久的问题, 具有重要的应用价值.     

Calculation of Interaction Potentials between Spherical and Deformed Nuclei

The interaction potential for spherical-deformed reaction partners is calculated. The shape, separation and orientation dependence of the interaction potential and fusion cross section of the system ^32S＋^154Sm are investigated within the double-folding model of the deformed nuclei. The effective nucleon-nucleon interaction is taken to be the M3Y-Reid potential. The density is considered for three terms of the expansion using the truncated multipole expansion method, which is a deformed Fermi shape With quadrupole and hexadecapole for the density distribution of ^154Sm. It is found for the interaction potential that the height and the position of barrier strongly depend on the deformations, the orientation angle of the deformed nucleus, and hence produce great effects on fusion cross section. The integrated fusion cross section is in good agreement with the experimental data.     

(BaxY1-x)CuO3-y系统的超导电性

本文系统地分析了组份和制备条件(包括热处理温度、时间等)对超导氧化物(Ba_xY_1-x)CuO_3-y正常态电子输运特性和超导临界温度的影响。在x=0-0.55的组份范围内,系统经历了从半导体(绝缘体)到金属(超导体)的转变;随着组份x的增大,超导临界温度T_c单调上升。结合物相分析的结果,对该系统的高温超导电性机制和正常态输运特性作了讨论。     

P-反演半群的P-次直积

本文研究了P-反演半群的P-次直积和E-囿P-反演盖.利用P-反演半群的P-次直积的结构,引入了P-反演半群的E-囿P-反演盖概念,并刻画了它们的结构.最后,讨论了P-反演半群到给定群上的囿P-次同态,推广了文献[9]中的一些结果到P-反演半群上.