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171.
172.
以CuSO4/sub>为前驱体,HCl为添加剂,采用电化学沉积方法,在室温条件下制得了μm级、面心立方结构分形铜的枝状晶体,研究了铜离子浓度、硫酸浓度、电流密度、沉积时间、氯离子浓度等实验参数对分形枝状铜晶体尺寸、结构的影响。结果表明:硫酸的浓度对铜沉积物结构无明显影响;随着Cu2+/sup>浓度的不断增大,铜沉积物的分形效果越来越明显;增大电流密度(0.4~1.6 A·cm-2/sup>),铜沉积物由致密向多分枝的开放型转变;延长沉积时间(大于等于5 min),可获得含大量次级分枝铜的晶体;适当增加盐酸用量(0.05~0.20 mol/L),铜沉积物枝晶尺寸显著减小。最后讨论了分形枝晶铜在碱性条件下氧化甲醇的电化学性能。 相似文献
173.
以间苯二酚(R)-甲醛(F)为原料,制备了有机气凝胶和碳气凝胶,并对其进行二氧化碳活化。X射线衍射(XRD)测试表明,二氧化碳渗入到碳气凝胶网络结构发生反应,造成(002)峰和(100)峰减弱;扫描电子显微镜(SEM)测试表明,活化没有破坏碳气凝胶的骨架结构,而是增加了大量的nm尺度微孔,从而大大提高了碳气凝胶的比表面积和微孔比例。在1 mol/L KOH电解液中进行了循环伏安和计时电位扫描测试,电极材料电化学性能稳定,具有较好的可逆性,在1 mA/s电流密度下进行充放电测试,得到活化前电极比电容为103 F/g,活化后由于比表面积的增加,比电容达到371 F/g,是一种理想的电化学电极材料。 相似文献
174.
采用电弧熔炼制备出前驱体Mn-Cu合金,在稀盐酸溶液中自由腐蚀去合金化,制备出具有双连续结构的纳米多孔铜。研究了前驱体合金的成分对纳米多孔铜微观结构及Mn的选择性腐蚀程度的影响。结果表明:前驱体Mn-Cu合金的Cu原子分数为43%时,其去合金化受到抑制,存在明显的未完全去合金化的岛状结构;前驱体Mn-Cu合金的Cu原子分数为32%~23%时,可完全去合金化,形成平均孔径尺寸为20~100 nm,平均系带尺寸为30~80 nm,具有双连续结构的纳米多孔铜;前驱体Mn-Cu合金的Cu原子分数低至20%时,去合金化后存在大量裂纹,形成纳米颗粒聚集体。纳米多孔铜中存在少量的残余Mn,残余Mn的原子分数随着前驱体合金Mn原子分数的增高而降低。实验表明腐蚀液浓度对纳米多孔铜形貌也存在影响。 相似文献
175.
电多极矩跃迁选择定则的对称分析 总被引:1,自引:0,他引:1
只有由群的对称性才可能导出每个不可约表示的对称性波函数, 即对称化基函数.也只有由群的对称性才可能导出电子状态跃迁的最一般选择定则 , 即电偶极跃迁E1, 电四极跃迁E2 和 电八极跃迁E3跃迁的选择原则. 本文以 和 为例, 导出电多积跃迁的选择原则. 角动量的选择定则只是特例. 并用方法SAC-CI/6-31G 计算了 H2O和 CC的基态以及其激发态的激发能和振子强度.本文只适合单光子过程. 计算都与理论相合. 相似文献
176.
177.
用熔融退火结合放电等离子烧结法制备了In0.3Co4Sb12-xSex(x=0—0.3)方钴矿热电材料,探讨了In的存在形式,系统研究了Se掺杂量对结构和热电性能的影响.结果表明:In可以填充到方钴矿二十面体空洞处,过量In在晶界处形成InSb第二相,Se对Sb的置换使晶格常数减小,In填充上限降低;In0.3Co4Sb12-xSex样品呈n型传导,随着Se掺杂量的增大,载流子浓度降低,电导率下降,Seebeck系数增大,功率因子有所降低;由于在结构中引入了质量波动及晶格畸变,适量的Se掺杂可以大幅降低材料晶格热导率;样品In0.3Co4Sb12和In0.3Co4Sb11.95Se0.05的最大ZT值均达到1.0以上.
关键词:
掺杂
填充式方钴矿
热电性能 相似文献
178.
179.
180.