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本文利用SCF-Xα-SW原子集团(Cluster)方法研宄了半导体硅中杂质的电子结构。研究表明,硅中杂质电子态与Cluster中原子球半径的选取密切相关。本文提出两条原则来确定原子球的半径:1)调节Cluster中基质原子球的半径大小应以晶体能带结构的特点为标准,2)Cluster总能量极小原理可以精确决定杂质原子球的半径。对硅中浅杂质锑和深杂质钯的电子结构计算表明上述原则是正确的。 相似文献
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用多重散射团簇方法对低温下凝聚态SiH-4进行了Si的1 s NEXAFS理论研究,对不同的模型研究表明,此时凝聚相SiH-4形成链状结构. 相似文献
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六十年代末,由于超高真空条件的获得,使低能电子衍射仪(LEED)逐渐发展成为实用的表面结构分析手段[1].在理论上,几种LEED的动力学理论也相继出现[2-4].利用LEED实验与理论计算的比较,可以决定长程有序表面结构,但对无序表面结构测定,LEED则无能为力. 七十年代中期开始,人们着手寻找一种新的表面结构分析方法,这种方法以LEED为基础,又弥补了它的不足.LEED的入射电子源是非相干源,如果用单色光激发表面层内原子,使之发射光电子,则这种光电子是相干电子源.光电子在固体中的衍射过程与LEED一样,分析光电子的衍射谱而获得表面原子结… 相似文献
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用多重散射团簇 (MSC)理论对 CO在 Ni O(10 0 )面吸附的碳 1s近边 X射线吸收精细结构(NEXAFS)实验谱进行了定量分析 ,研究了该系统可能出现的吸附模型 .MSC方法分析表明 CO是以 C原子朝下 ,吸附在衬底的 Ni- O键桥上 ,R- factor(可靠性因子 )计算显示 C原子的吸附位置距 Ni原子0 .0 9nm,CO分子中 C原子距衬底的吸附高度为 0 .31± 0 .0 1nm.本文讨论了在 Ni O表面吸附的 CO分子σ键的物理本质 .与 CO在过渡金属 Ni,Cu等表面吸附不同 ,σ共振对于 CO键长的依赖不明显 相似文献
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提出了一种在低能电子衍射( L EED)结构分析中自动搜寻最佳模型的优化方法——遗传算法和张量 L EED相结合的联合方法. 这种新方法的特点是能在全部参数变化范围内自动搜寻,避免了陷入“局域”优化模型的困难中. 本文给出了这一方法的应用实例 ,并且展望了这种方法在表面结构研究中的应用前景. 相似文献
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用多重散射团簇(MSC)理论对CO/NiO(100)和NO/NiO(100)吸附系统的C1s近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)和N1sNEXAFS谱进行了详细的计算和分析.理论计算表明CO/NiO(100)是弱物理吸附,CO分子与表面的多极静电相互作用很弱,σ共振不依赖C—O键长的变化,MSC方法分析表明,CO是以C原子朝下,吸附在衬底的Ni—O键桥上,可靠性因子计算显示C原子的吸附位置距Ni原子009nm,CO分子中C原子距衬底的吸附高度为031±001nm,CO分子倾斜角不大于25°.理论计算证实 相似文献
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