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3-(3′-吡啶基)-6-芳基-1,2,4-三唑并[3,4-b]-1,3,4-噻二唑衍生物基态和激发态性质 总被引:1,自引:0,他引:1
用密度泛函B3LYP方法对3-(3'-吡啶基)-6-芳基-1,2,4-三唑并[3,4-b]-1,3,4-噻二唑衍生物(芳基为苯基、3-吡啶基和苯乙烯基)进行基态几何构型全优化,计算分子的电离势I_p和电子亲和势E_A等相关能量,并用Zerner间略微分重叠(ZINDO)和含时密度泛函(TDDFT)方法计算吸收光谱,用单组态相互作用方法(CIS)优化三种化合物分子的S_1激发态结构,分析其能量与发射光谱的关系,计算溶剂中分子的吸收和发射光谱,并与实验结果对照.计算结果表明,从3-(3'-吡啶基)-6-苯基-1,2,4-三唑并[3,4-b]-1,3,4-噻二唑分子(化合物A)到3-(3'-吡啶基)-6-(3'-吡啶基)-1,2,4-三唑并[3,4-b]-1,3,4-噻二唑分子(化合物B)以及3-(3'-吡啶基)-6-对乙烯苯基-1,2,4-三唑并[3,4-b]- 1,3,4-噻二唑分子(化合物C)的电子亲和势依次增大,愈来愈容易接受电子,吸收光谱和发射光谱红移. 相似文献
132.
133.
手性配体立体选择性萃取分离扁桃酸对映体 总被引:6,自引:0,他引:6
Based on chiral ligand exchange, the distribution behavior of mandelic acid enantiomers in the two-phase system containing copper ion(Ⅱ)(Cu2+) and N-n-dedecane-L-hydroxyproline (L), was studied. At different pH, the partition of Cu2+ in the two-phase system containing N-n-dedecane-L-hydroxyproline, was investigated. The formation constant of binary cpmplex(Li2Cu) was obtained by regression. The influence of pH, concentrations of Cu2+ and chiral ligand, and solvents on partition coefficients(K) and separation factor(α), was discussed. The experimental results show that Li forms more stable ternary complex with D-mandelic acid than with L- mandelic acid. There is a large influence of pH on K and α. At low pH values (<3.5), formation of binary complexes is thermodynamically unfavourable. K and α are best when pH values are above 3.5 and the molar ratio of chiral ligand to Cu2+ is 2∶1. At the same time, solvents influence K and α very much. 相似文献
134.
由于DT或DD固态层的折射率很低,而且,其厚度只有几微米到几十微米。这使得光通过DT或DD燃料层时产生的光学路径也只有几微米到几十微米,远小于ICF靶丸。因此,尽管长期以来使用传统的光学干涉仪测定透明ICF靶丸的壁厚,它们却很难用来精确测定DT或DD固态层的厚度。相反,全息照相技术允许直接测定燃料层的厚度,而极大地忽略ICF靶丸的壁厚。在现在的研究中,已经建立全息照相装置,并且已用来测量ICF模拟靶丸的壁厚和气体的厚度。 相似文献
135.
吖啶橙—罗丹明6G—罗丹明B组合成各种混合染料体系的能量转移研究 总被引:5,自引:0,他引:5
本文对吖啶橙-罗丹明6G-罗丹明B组合成各种混合染料体系的能量转移进行了研究。结果表明,在十二烷基硫酸钠的水溶液中,吖啶橙-罗丹明6G间,罗丹明6G-;罗丹明B间,吖啶橙-罗丹明B间均能发生有效的能量转移。可以认为不仅染料单体,而且二聚体也是能量转移效率的竞争,探讨了表面活性剂对能量转移的影响。本文的工作将有助于拓宽能量转移的理论研究和应用范围。 相似文献
136.
用文献[1,2,8]介绍的方法推导了N2分子的基态(X^1Σg^+)的激发态(A^3Σu^+和B^3Пg)的合理离解极限。计算并比较了在6-311G^*基集合,UHF、CID、UCISD和QCISD水平下N2分子上述三个电子态的平衡结构和谐振频率;并用QCISD/6-311G^*计算了各态的系列单点势能值,由正规方程组拟合Murrell-Sorbie函数得到了相应各态的完整势能函数,结果与实验数计 相似文献
137.
对于磁性氧化物的磁有序,传统的观点用超交换相互作用(SE)和双交换相互作用(DE)模型进行解释,其出发点都建立在全部氧离子是-2价的基础上.例如,对于LaMnO_3,认为其中的La和Mn都处于+3价,用SE模型解释相邻Mn~(3+)离子间的反铁磁序;当以二价的Sr离子替代一部分La离子后,认为等量的Mn~(3+)离子变为Mn~(4+)离子,用DE模型解释相邻Mn~(3+)和Mn~(4+)离子间的铁磁序.然而,事实上在氧化物中存在一部分负一价氧离子.Cohen[Nature 358 136]利用密度泛函理论计算了BaTiO_3的价电子态密度,结果得到只有Ba离子的化合价与传统观点相同,为+2价;而Ti和0分别为+2.89价和-1.63价,不是传统观点的+4价和-2价,但是与多年来关于氧化物电离度的研究[Rev.Mod.Phys.42 317]和X射线光电子谱(XPS)的研究结果相符合.本文经过不同热处理条件制备了名义成分为La_(0.95)Sr_(0.05)MnO_3的三个样品,通过对样品的XPS分析,发现样品中不存在Mn~(4+)离子,只存在Mn2+和Mn~(3+)离子,平均价态随热处理程序的增加而升高.尽管三个样品有相同的晶体结构,但磁矩明显不同.对于这样的性能,不能用SE和DE模型解释其磁结构.利用本课题组最近在研究尖晶石结构铁氧体磁有序过程中提出的O 2p巡游电子模型解释了这种现象,利用样品在10 K的磁矩估算出的Mn离子平均价态变化趋势与XPS分析结果一致.O 2p巡游电子模型的出发点建立在氧化物中存在一部分负一价氧离子的基础上,这是其与SE和DE模型的根本区别. 相似文献
138.
Cu(CH3COO)2·H2O脱水反应动力学探讨 总被引:6,自引:1,他引:6
水合乙酸铜;;脱水动力学;热分析;等温等转化率法;Cu(CH3COO)2·H2O脱水反应动力学探讨 相似文献
139.
Sputtering pressure influence on growth morphology,surface roughness,and electrical resistivity for strong anisotropy beryllium film 下载免费PDF全文
The strong anisotropy beryllium (Be) films are fabricated at different sputtering pressures by direct current magnetron sputtering. With the increase of pressure, the deposition rate of Be film first increases, and when the pressure exceeds 0.8 Pa, it gradually descends. The X-ray diffraction analysis indicates that Be film is of α-Be phase, its surface always reveals the (101) crystal plane possessing the low surface energy. As for the growth morphology of Be film, the surface is mainly characterized by the fibrous grains, while the cross section shows a transition from a columnar grain to a mixed grain consisting of a cone-shaped grain and a columnar grain as the sputtering pressure increases. The large grain fraction decays exponentially from 75.0% to 59.3% with the increase of sputtering pressure p, which can improve the grain size uniformity. The surface roughness increases due to the insufficient atom diffusion, which is comparable to its decrease due to the etching effect at p 〈 0.8 Pa, while it increases drastically at p 〉 0.8 Pa, and this increase is dominated by the atom diffusion. The electrical resistivity values of Be films range from 1.7 μΩ m to 2.7 μΩ m in the range 0.4 Pa-1.2 Pa, which is 50 times larger than the bulk resistivity. 相似文献
140.