高剥离态Fe XVI离子能级寿命测量

在原子能院串列加速器上,利用束箔方法,测量了能量为30MeVFe离子产生的高剥离态谱线跃迁结构的寿命值。在30MeV时,Fe通过箔膜的电荷态分布在7+到17+,我们选择Fe XVI 2p6 (1S) 4p -2p6 (1S) 5d（2P°3/2 -2D3/2）的谱线,谱线波长124.696 Å,能级寿命为79±4ps。并对实验误差进行了分析。     

薄板热扩散分形生长的环境干扰控制

研究了薄板热扩散中分形生长的控制,给出了生长概率与干扰项之间的数量关系,预测了热扩散分形生长表面在干扰作用区域内的凝聚情况,并随着干扰项的制约而达到控制的目的.其中以三角函数形式的非线性项与定义域为圆域的源项构成的环境干扰项为例,验证了该控制方法的有效性.另外,生长表面的标度维数变化显示了环境干扰项对实际生长复杂度的影响.     

“非良导体热导率的测量”的误差分析及改进

“非良导体热导率测量”实验是大学物理实验中很重要的一个实验。实验数据的处理比较繁琐且精确度不高。利用Origin软件处理数据中的非线性拟合和切线功能可以既精确又迅速的得出实验结果,并且结果可视化、数据可及时更新。从而提高了该实验在物理教学中的效果。     

完全BMO—有界函数

定我于区间Ｉ＝［－１，１］上的实值函数ｆ，若它的一切Ｌａｇｒａｎｇｅ插值多项式在ＢＭＯ（Ｉ）范数下一致有界，则称ｆ为完全ＢＭＯ－有界函数。本文引入这一概念并讨论这类函数的性质。     

尿素反应法制备介孔Ni-Mo复合氧化物

采用尿素反应法合成出具有介孔结构的Ni-Mo复合氧化物。用XRD、低温氮气吸附-脱附表征、HRTEM、TG-DTA、FTIR等分析手段对所合成的Ni-Mo复合氧化物及其前躯体进行了表征,并确定了制备Ni-Mo复合氧化物适宜的焙烧温度。以2%二苯并噻吩(DBT)溶液为模型化合物,在固定床连续高压微反装置上考察了介孔Ni-Mo复合氧化物作为催化剂的加氢脱硫(HDS)性能。尿素反应法合成的Ni-Mo复合氧化物具有较高的比表面积,达到124 m²·g^-1,适宜的孔容0.22 mL·g^-1,和理想的孔径分布,平均孔径为5.8 nm。HDS活性评价表明,这种催化剂具有较高的脱硫率和加氢活性,在反应温度为280 ℃时脱硫率可达100％,远高于对比催化剂Ni-Mo/Al₂O₃。     

基于FMEA的企业研发活动风险评估研究

企业研发是一项复杂的系统化活动,实施过程中往往面临着多种风险因素.在对企业研发活动进行管理的过程中,不仅要识别、分析这些因素,还要对研发风险水平进行评估,从而把有限的资源投入到关键风险因素的管理中去,提高研发活动效率.应用了FMEA对研发风险进行评估,设计出FMEA在研发风险管理中应用的具体流程.通过对企业研发活动进行分析,找出研发活动潜在失效模式及后果.然后在定义潜在失效模式严重度(S)、发生度(O)和检测度(D)等级的基础上,对各失效模式的风险优先度(RPN)进行计算,进而通过柏拉图分析确定重要的失效模式,并采取相应的防范措施,降低研发风险.     

纯音信号的响度与响度差阈的关系

关于响度与响度差阈关系的己有假设总是不能很好地解释心理声学的实验结果,这些假设也不曾对响度的编码和判断的物理过程以及物理过程与心理反映间的联系作过明确的描述。本文基于信号检测理论和关于响度编码的两个假设:响度是一定时间T内的听神经电冲动的记数、稳态纯音激励的神经电冲动速率的时间分布是一个平稳的正态随机分布,得出纯音信号的响度差阈与响度的比与强度无关。这一关系很好地解释了纯音信号强度差阈测试的实验结果,尤其是以前难以解释的Weber比的中部突起、near miss to Weber's law。     

基于BLT方程的微带线电磁耦合终端响应

为定量研究电磁波与微带线的耦合终端响应问题,提出一种基于BLT方程的电磁波与微带线耦合分析方法,相比传统方法计算效率高、占用内存少。将PCB板上微带线等效为有耗传输线模型,对辐照平面波进行矢量分析并求解等效激励源,运用BLT方程研究不同入射方式、脉冲波形对微带线终端的影响,并对入射波与终端响应进行了时域、频域分析。研究表明:当入射波频率与微带线长度满足一定关系式时对微带线的耦合最强,耦合电压峰值达2.4 mV;电场平行微带线入射比垂直PCB入射时的终端电压峰值大一倍;且同幅同脉宽的矩形脉冲较高斯脉冲和三角脉冲对微带线的耦合峰值电压大;不同波形的脉冲通过调节脉宽都可对微带线耦合终端电压达到mV量级。     

DNA模板纳米粒子自组装及其在纳米电子器件中的可能应用

以生物分子为模板进行的纳米粒子白组装之所以受到人们的广泛关注，主要是追求其在纳米电子器件的成功应用。文章结合近年来国内外研究工作和本实验室小组成员的一些相关工作，综述了DNA模板的无机纳米粒子白组装形成有序纳米结构及其在纳米电子器件上应用的研究进展，讨论了此种组装技术的局限性并展望其发展前景．     

AlN在AlN/VN纳米多层膜中的相转变及其对薄膜力学性能的影响

采用反应磁控溅射制备了AlN/VN纳米多层膜.研究了多层膜调制周期对AlN生长结构的影响以 及纳米多层膜的力学性能.结果表明：小周期多层膜中的AlN以亚稳的立方相(c-AlN)存在并 与VN形成共格外延生长的超晶格.薄膜产生硬度和弹性模量升高的超硬效应.大调制周期下， AlN从立方结构转变为稳定的六方相（h-AlN），并使多层膜形成纳米晶的“砖墙”型结构. 讨论认为VN的模板作用有利于c-AlN的生长，但不能显著提高其临界厚度. 关键词： 薄膜的力学性能 外延生长 亚稳相