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81.
采用磁控溅射法制备金团簇纳米颗粒,用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见光分光光度计(UV-Vis)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对其表征,研究了金团簇纳米颗粒的形貌、颗粒度、结构、光吸收性质及物质成份。研究结果表明:制备的金团簇纳米颗粒呈球形,平均粒径在10 nm左右,粒径分布均匀,无团聚、氧化现象,颗粒的结构为面心立方。在519 nm处出现团簇颗粒的表面等离子共振吸收峰,测试得到Au(4f7/2)和Au(4f5/2)电子的结合能分别为83.3 eV和86.9 eV,并且没有出现金的氧化产物。 相似文献
82.
为测定九管血的不同部位Fe、Cu、Mn、Zn的含量,样品用V(HNO3)+V(HClO4)=4+l进行消化处理,然后在实验选定的最佳工作条件下,用火焰原子吸收光谱法(FAAS)对九管血不同部位的Fe、Cu、Mn、Zn微量元素进行测定。结果表明,九管血根、茎、叶、籽中微量元素含量丰富,其中Fe含量最高,Cu含量最低,为九管血药效的进一步研究和资源综合开发利用提供一定的科学依据。 相似文献
83.
84.
85.
86.
87.
利用全相对论性多组态Dirac-Fock平均能级方法系统地计算了高剥离类钠离子3s2S—3d2D(Z=14~103)电四极矩E2光谱跃迁的能级间隔,跃迁几率和振子强度,计算中考虑了核的有限体积效应,Breit修正和QED修正,所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较,计算结果表明:高原子序数的高荷电离子的电四极矩E2光谱跃迁的跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当,在ICF和MCF高温高密度激光等离子体中,电四极矩E2光谱跃迁过程不容被忽视。 相似文献
88.
89.
选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011~5×1012cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高。发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体管的光电耦合器的初始电流传输比要小,但其抗位移损伤能力更强。探测器均为Si NPN光敏晶体管,发光器件为异质结LED要比硅两性掺杂LED的光电耦合器的电流传输比抗位移损伤能力提高2个量级;以光敏晶体管为探测器的光电耦合器,在较大的正向电流和输出负载电阻条件下工作可提高抗辐射水平。此外,光电耦合器的位移损伤存在加电退火效应。 相似文献
90.
采用直流磁控溅射法制备自支撑锆(Zr)膜,采用二步法制备聚酰亚胺(PI)膜,在Zr膜表面沉积PI膜得到自支撑PI/Zr复合膜。均苯四甲酸酐(PMDA)和二甲基二苯醚(ODA)在二甲基乙酰胺(DMAC)中反应得到聚酰胺酸(PAA),然后PAA高温亚胺化得到PI;PI成膜时采用提拉法成膜。经国家同步辐射实验室计量线站测定,实际测量结果与理论分析一致,PI膜的引入虽然会导致自支撑薄膜透过率有所下降,但在类镍-银软X射线13.9 nm波段PI(200 nm)/Zr(300 nm)和PI(200 nm)/Zr(400 nm)自支撑薄膜的透过率仍然分别达到14.9%和7.5%。 相似文献