HL-2M 装置初始等离子体放电磁场电源实时控制系统设计

为满足 HL-2M 装置初始等离子体放电参数的需求,根据磁场电源的主回路拓扑结构设计了一套实 时控制系统。系统硬件架构基于 NI PXI 与 CompactRIO 控制器,采用基于共享内存网络的千兆光纤网络传输数据, 并在本地将中控传输的控制数据处理为对应的触发脉冲,具备很强的实时性与准确性。经过首次等离子体放电实 验的验证,磁场电源实时控制系统可完全满足首次等离子体放电的需求。     

HL-2M 装置供电系统研制

为满足 HL-2M 装置的供电需求,须配套建设相应的供电系统。通过仿真计算 HL-2M 装置的总体供 电需求,考虑到 HL-2A 装置现有的供电系统设备,提出了兼顾 HL-2A 和 HL-2M 装置供电需求的总体配置方案。介绍了国内首台 300MVA 立式交流脉冲发电机组、磁体电源、高压电源和电源控制系统的研制情况。     

4-氨基-7-硝基苯并-2-氧杂-1,3-二唑类衍生物的合成及其对汞离子的识别研究

以4-氯-7-硝基苯并-2-氧杂-1,3-二唑、乙二胺和溴乙酸乙酯等为原料,合成4-氨基-7-硝基苯并-2-氧杂-1,3-二唑类衍生物(NBD-OEt),通过IR、NMR和MS对其进行结构表征。研究NBD-OEt的吸收光谱和荧光光谱性质,探讨其在H2O/EtOH(60/40, V/V) pH 7.40的HEPES缓冲体系中对Hg₂ 的响应,以及NBD-OEt与Hg₂ 的结合模式。结果表明, 随Hg₂ 的不断加入可诱使NBD-OEt在476nm的吸收峰红移至514nm,并有两个等吸收点(347nm、482nm);其荧光发射峰由536nm红移至559nm,且在525nm出现等发射点;通过Job plot法测定NBD-OEt与Hg₂ 以1:1的计量比结合。     

含纳米粒子溶液对单晶硅表面的冲蚀磨损损伤实验研究

利用高分辨透射电子显微镜和原子力显微镜观察了含纳米颗粒溶液冲蚀硅片表面损伤行为,考察了纳米颗粒碰撞单晶硅片所导致的微观物理损伤.结果表明:冲蚀30 s后,在高分辨透射电子显微镜下可见硅片表面呈现方向性损伤,并可观察到大量非均匀的晶格缺陷;当冲蚀10 min时,硅片表面出现微观划痕和凹坑,在划痕一端可见原子堆积,亚表面可观察到镶嵌晶粒的非晶损伤层;继续延长冲蚀时间将加剧其表面损伤.     

基于异面交会的空中运动目标定位算法及误差分析

介绍了空中运动目标定位测量的经纬定位仪单站定向和双站异面交会定位原理,并对影响定向和定位结果的各个因素进行了误差分析和仿真.结果表明,交会角在[40°,165°]时.测量精度有明显地改善,为组网测量布站提供了依据.黑火药爆炸试验测量结果验证了该方法的可行性和测量精度.     

光网络中光纤光栅构成的波长分插复用器理论及进展

本文从光网络角度详细叙述、分析了各种光纤光栅构成的波长分插复用器技术的发展及理论 ,并指出了不同种类分插复用器各自适用的范围 ,表明了光纤光栅构成的波长分插复用器在光网络中的重要性。     

光纤光栅传感器的理论、设计及应用的最新进展

从单参数、多参数及分布式传感的角度,分析了各种光纤光栅传感器的理论及技术发展,详细阐述了光纤光栅敏化与封装技术,论述了光纤光栅传感器的设计方法和实现技术,介绍和评述了光纤光栅器及其传感网络系统应用的最新进展。     

ON THE BOUNDEDNESS OF SPHERES IN F-SPACES

In this paper, some results concerning the relationship between the bounded-ness of some spheres and the local boundedness of the F*-space are presented. Moreover, some results about the compactness are also given.     

加强教学内容和课程体系改革完善应用化学专业教学计划

应用化学专业是介于化学与化工工艺工程之间的一个应用理科专业，是培养理工结合型的“用”化学的人才。至今我校已招收２０届应用化学专业本科生，就业情况良好，已毕业的１５００多学生，在国家建设的各个领域发挥着重要的作用。多年来我们坚持教学改革，结合国家“面向...