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Using the first-principles methods,we study the formation energetics properties of intrinsic defects,and the charge doping properties of extrinsic defects in transparent conducting oxides CuCrO2.Intrinsic defects,some typical acceptortype,and donor-type extrinsic defects in their relevant charge state are considered.By systematically calculating the formation energies and transition energy,the results of calculation show that,V Cu,O i,and O Cu are the relevant intrinsic defects in CuCrO2 ;among these intrinsic defects,V Cu is the most efficient acceptor in CuCrO2.It is found that all the donor-type extrinsic defects have difficulty in inducing n-conductivity in CuCrO2 because of their deep transition energy level.For all the acceptor-type extrinsic defects,substituting Mg for Cr is the most prominent doping acceptor with relative shallow transition energy levels in CuCrO2.Our calculation results are expected to be a guide for preparing promising n-type and p-type materials in CuCrO2. 相似文献
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高安全、低成本、长寿命的大规模储能新技术的突破事关未来能源结构调整以及智能电网建设。可充锌电池由于其安全性高、环境友好、成本低等优势而成为将来储能系统的重要选择。然而,常规水系电解液的应用通常导致正极活性物质溶解、水溶剂分解、锌负极腐蚀、枝晶等问题。因此,本文对水系电解质(液)体系导致的问题及相应的调控方案进行了讨论与总结。主要从电解质(液)改性角度分析了通过调控组成成分、浓度、添加剂等变量以达到改变自由水含量和锌离子溶剂化结构的目的。另外,对可充电锌电池这一新兴技术实现应用所面临的挑战进行了总结与展望。 相似文献
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本文研究了高镍NCM811材料LiNi0.83Co0.12Mn0.05O2高温45 °C循环失效机理. 通过电化学交流阻抗谱(EIS)技术分析发现45 °C循环失效前后SEI膜阻抗(RSEI)和电荷转移阻抗(Rct)增长率最快,分别达到83.43%和211.34%. 采用XPS、TEM及FFT转换、XRD、XANES等手段分别分析了RSEI和Rct增长的主要影响因素. 其中,RSEI增长因素主要包括部分有机SEI膜组分转化成碳酸锂等无机成分,同时反应生成的LiF富集在活性物质周围,SEI膜厚度增长,阻抗升高. Rct增长因素主要包括晶体结构被破坏,层状晶相结构向尖晶石和岩盐相的转化,材料开裂,使电荷转移阻抗增加. 此外,对固相传质阻抗(Rw)影响因素也进行了分析,主要包括锂镍混排加剧,过渡金属元素溶出导致锂离子固相传质阻抗上升. 相似文献
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通过对发光二极管内部结构的研究,发现Nt(界面态陷阱密度)和扩散电流比率 是影响发光二极管性能的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.器件内部存在的多种噪声 中,低频1/f噪声可表征Nt和扩散电流比率.在深入研究发光二极管工作原理及1 /f噪声载流子数涨落理论和迁移率涨落理论的基础上,建立了发光二极管的电性能模型及1/ f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下测量了器件的电学噪声,实验结果与理论模型符 合良好.通过对其测量结果分析,深入研究了噪声和发光二极管性能与可靠性的关系,证明 了噪声幅值越大,电流指数越接近于2,器件可靠性越差,失效率则显著增大.
关键词:
1/f噪声
发光二极管
陷阱
光功率 相似文献
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Intensive blue photoluminescence (PL) was observed at room temperature from the nanocrystalline-Si/SiO2 (nc-Si/SiO2) multilayers (MLs) obtained by thermal annealing of SiO/SiO2 MLs for the first time. By controlling the size of nc-Si formed in SiO sublayer from 3.5 to 1.5 nm, the PL peak blueshifts from 457 to 411 nm. Combining the analysis of TEM, Raman and absorption measurement, this paper attributes the blue PL to multiple luminescent centres at the interface of nc-Si and SiO2. 相似文献
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本文研究了碳布增强的聚芳醚酮复合材料的破坏允限。用二碘甲烷增强的x-射线照相法对试件内部的冲击缺陷进行观察,结果表明,其破坏类型可分为分层、基体开裂、纤维断裂和脱胶。用三点弯曲方法测定了损伤试件的剩余弯曲强度与冲击能量的关系。 相似文献
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利用胶体小球掩蔽刻蚀技术,制备了单晶硅纳米阵列,利用原子力显微镜观察了硅阵列的表面形貌,实验结果表明,硅柱阵列具有高密度和较好的均匀性。同时研究了单晶硅纳米阵列的场电子发射特性。为了提高样品的场发射性能,在所制备的单晶硅有序纳米阵列上生长了一层非晶碳薄膜。与单晶纳米硅柱阵列相比,覆盖有非晶碳膜的样品的场电子发射特性有了明显的改善,表现在场发射的开启电场下降,同时场发射增强因子得到增加。结果表明非晶碳膜确实能够降低电子发射的表面有效势垒,从而增强了场电子发射特性。 相似文献