超高分子量聚乙烯和聚丙烯共混体系自由体积的研究

正电子湮灭研究结果发现，常温下超高分子量聚乙烯和低乙烯含量嵌段聚烯熔融共混体系自由体积含随组分呈非单调度化，与线加和关系相比发生了正偏离，意味养界面相区域堆砌密度低，导致了过量的自由体积。     

脉冲激光沉积YBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的正电子寿命的温度依赖关系研究(英文)

在１２０Ｋ至４７０Ｋ的温区内，测量了脉冲激光沉积ＹＢａ２ＣｕＯ７－ｘ薄膜的正电子寿命的温度依赖关系．实验结果表明，除块材中存在的正电子深捕获中心外，超导外延膜中还存在大量块材中缺乏的正电子浅捕获中心；低温下，深捕获中心所对应的缺陷有可能扩展成为有效的磁通钉扎中心．浅捕获中心对正电子的束缚能为２７ｍｅＶ．     

Simulation of time bunching for a pulsed positron beam

Simulate anneal arithmetic has been used to settle the problem of time bunching on a pulsed slow-positron beam device. This paper has searched for the parameters of the device in a large scope and achieved the time resolution within 150ps at the target with accelerating voltage in a range of 0.5-30kV.     

金属玻璃Zr78Co22中的弱局域化效应

测量了超导金属玻璃Zr₇₈Co₂₂的磁阻和上临界磁场H_c2。磁阻的实验结果定性地与包含自旋-轨道散射的三维弱局域化理论相符,而定量则有明显的偏差,其偏差主要来源于超导涨落效应。在所测量的温区内,上临界磁场H_c2随温度呈线性变化,同时还得出超导金属玻璃Zr₇₈Co₂₂中的非弹性散射主要来源于电子-声子相互作用,其散射几率τ_i^-1=1.3×1O¹⁰T²,略小于Bergmann理论所预言的值。 关键词：     

Y-Ba-Cu-O超导体中Cu位元素替代效应的正电子湮没研究

通过 YBa_2Cu_(3-x)M_xO_y(M=Al,Sn)系列样品正电子湮没辐射一维角关联谱的测量,系统地研究了 Cu 位替代对正电子湮没谱的影响.实验表明,Y-Ba-Cu-O 超导体的一维角关联谱由两个高斯成分组成,分别是正电子在链区和 Cu-O 平面采样湮没的反映,未能观察到相应于 Fermi 电子气湮没的抛物线部分存在.正电子湮没谱对 Cu 位元素的替代,特别是链区的替代是敏感的.正电子湮没技术可能为判断 Y-Ba-Cu-O 超导体中元素替代位置提供一些有用的信息.     

纵向磁场中超导金属玻璃Zr78Co22的载流电阻态

在低于T_c较远的温度下,发现金属玻璃Zr₇₈Co₂₂带在纵向磁场中的I-V和H-V特性曲线上存在着两类电压跃变阶梯。与以往在准一维或准二维均匀超导体中发现的I-V曲线上出现阶梯结构的条件和特点作了系统的比较,综合应用超导相分离模型和由热涨落诱发的相位滑移中心的概念解释了所观察到的现象。 关键词：     

Zr-M(M=Fe,Co,Ni,Cu)型金属玻璃的电子-电子相互作用和超导涨落效应

本文系统地研究了顺磁性金属玻璃 Zr_xCo_(100-x)(x=78,72,66.8)和 Zr_(66.7)M_(33.3)(M=Fe,Ni,Cu)的低温电导率与温度的关系σ(T)发现,在很宽的温区内,σ(T)与弱局域化理论相符.随着温度的降低,σ(T)∝T~(1/2),此规律来源于电子-电子相互作用效应,在超导临界温度Tc 附近,σ(T)∝ε~(-1/2);这是 Aslamusou-Larkin 项(AL 项)对超导涨落效应的贡献.     

制备三量子位和四量子位核磁共振等效纯态

基于时间平均法,给出了在同核系统中制备三量子位和四量子位核磁共振等效纯态的方案.利用Λn(not)门,本文的方案大大减少了制备等效纯态所需的操作次数在三同核系统中制备三量子位核磁共振等效纯态只需三次操作,在四同核系统中制备四量子位核磁共振等效纯态只需五次操作.然后在一个链状耦合的同核系统中实验制备三量子位核磁共振等效纯态,验证了本文的方案;并且给出了四量子位方案的模拟结果谱图.     

慢正电子束技术的应用与发展

本文介绍了慢正电子束技术和最新发展,慢正电子束作为探针的基本特性,以及在多种学科中的应用等。