环氧丙基杯[6]-1,4-冠-4聚合物的合成与吸附性能

通过具有稳定锥式构象的杯[6]-1,4-冠-4与环氧氯丙烷反应,再与多乙烯多胺开环聚合,合成了一系列具有稳定构象的新型含氮杯[6]芳烃冠醚聚合物(3a-3c)。并研究了它们对阳离子的吸附性能,结果表明,其吸附选择性较没有稳定构象的类似杯[6]芳烃聚合物好,聚合物3b和3c对Cu^2 表现较好的选择性吸附能力。     

多孔钛合金夹芯层陶瓷/UHMWPE复合结构的抗侵彻性能

陶瓷/纤维复合装甲的纤维背板由于其刚度较低,无法为陶瓷面板提供足够的支撑,削弱了陶瓷面板对弹丸的侵蚀作用。为了增强复合装甲的整体结构刚度,在陶瓷/纤维复合装甲中加入了金属夹芯层材料,通过试验和数值模拟研究了夹芯复合装甲对12.7 mm穿燃弹的抗弹性能。试验结果表明,穿燃弹弹芯表现出脆性断裂的失效模式,复合材料装甲表现出多种失效模式,包括夹芯层的花瓣形扩孔,UHMWPE (ultra-high molecular weight polyethylene)层压板的分层和凸起变形。建立了三维数值模型来分析整个弹道响应的演变,通过试验结果验证了模拟的准确性。模拟结果表明,12.7 mm穿燃弹的被甲会对陶瓷造成损伤,同时陶瓷会侵蚀弹芯的尖卵形头部,使弹芯头部变钝从而削弱弹芯对UHMWPE背板的侵彻能力。残余弹体的动能大部分由UHMWPE层吸收,UHMWPE层压板的失效模式会随着层数的增加由剪切失效转变为拉伸失效占主导地位。此外,作为夹芯层的多孔TC4板能够为陶瓷面板提供支撑,提高陶瓷面板的吸能效果以及弹体的侵蚀作用,并且12 mm孔径的TC4夹芯层能够提供更大的刚度支撑,使整体复合结构的吸能效率...     

Na+对制备Al4SiC4/Al4O4C复合耐火材料的影响

以焦宝石、活性炭和铝粉为原料,添加Na2CO3制备Al4SiC4/Al4O4C复合耐火材料.采用化学分析、XRD和SEM等测试技术,研究了Na+对材料物相组成和显微结构的影响.结果表明:添加Na2CO3加速了Al2O3和活性炭的反应,促进了Al4O4C的生成.未添加Na2CO3时生成的Al4SiC4晶粒表面光滑,添加Na2CO3后Al4SiC4晶粒粗糙、凹凸,缺陷明显增加.此外,未添加Na2CO3的试样中生成的Al4O4C呈短纤维状,添加Na2CO3后全部转变为细小颗粒.     

β-AgVO3一维材料的制备及其光学性能

以AgNO3和 NH4VO3为原料,采用水热法,通过调控反应体系pH值,制备了β-AgVO3纳米线、亚微米线及微米棒.采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对样品的组成和表面形貌进行了表征.紫外-可见光吸收测试表明所制得的不同尺寸的β-AgVO3一维材料均具有较宽的紫外-可见光吸收范围,通过计算得出β-AgVO3纳米线、亚微米线及微米棒的光学带隙分别为2.21 eV,2.17 eV和2.12 eV.     

基于纳米材料修饰的高灵敏性L-苯丙氨酸印迹溶胶-凝胶传感器的研究

将氧化锌纳米膜(ZnO-NFs)、多壁碳纳米管(MWNTs)、纳米铜颗粒(Cu-NPs)和印迹溶胶-凝胶聚合物(MIP)依次修饰到碳电极(CE)表面,制备了一种对L-苯丙氨酸具有特异识别能力的印迹电化学传感器.采用电子扫描显微镜(SEM)对各修饰电极进行形貌表征;采用循环伏安法(CV)、示差脉冲伏安法(DPV)、安培时...     

ICP-MS法测定超细锆钇粉中多种杂质元素的研究

用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)直接测定超细锆钇粉中多种杂质元素,考察了基体效应对测定元素的影响。定量加入内标元素有效地校正了基体效应及仪器波动等因素引起的测量偏差。方法的固体检出限在0．01～10／zg／g;精密度在1．1％～4．7％;加标回收率在91．0％～110．5％范围。     

SrF2和BaF2熔化温度的分子动力学模拟

利用壳层模型分子动力学方法,考虑萤石结构分子中的预熔化现象,对SrF2和BaF2的分子动力学模拟熔化温度进行修正,获得了高压下SrF2和BaF2的熔化温度．同时给出了300K、0．1MPa-7GPa和10．1MPa-3GPa时SrF2和BaF2的状态方程,与已有研究结果的最大误差分别为0．3％和2．2％．计算所得SrF2和BaF2常压下的熔点与已有的实验结果符合较好．对于SrF2和BaF2分子体积变化和已有的熔化模拟的差别也做了比较和讨论．     

非晶Nb-Ni薄膜用于Cu与Si之间阻挡层的性能和结构的研究

采用射频磁控溅射法架构了Cu(50 nm)/Nb-Ni(50 nm)/Si异质结,利用四探针电阻测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜等研究了样品在不同温度下高真空退火后的结构及输运性质.结果表明:经退火处理后的样品的方块电阻均小于常温下样品的方块电阻;X射线衍射图谱中,各个退火温度下均没有Nb-Ni结晶峰和其它杂峰出现;在AFM图像中,随着退火温度的上升,样品表面的粗糙度逐渐增加,晶粒的尺寸也在逐渐增大,直到当退火温度达到750℃左右,样品表面布满了岛状晶粒进而导致阻挡层失效.     

Electrical property effect of oxygen vacancies in the heterojunction of LaGaO_3/SrTiO_3

Density functional theory within the local density approximation is used to investigate the effect of the oxygen vacancy on the LaGaO_3/SrTiO_3(001) heterojunction. It is found that the energy favorable configuration is the oxygen vacancy located at the 3~(rd) layer of the STO substrate, and the antiferrodistortive distortion is induced by the oxygen vacancy introduced on the SrTiO_3 side. Compared with the heterojunction without introducing oxygen vacancy, the heterojunction with introducing the oxygen vacancy does not change the origin of the two-dimensional electron gas(2DEG), that is, the 2DEG still originates from the d_(xy) electrons, which are split from the t~(2g) states of Ti atom at interface; however the oxygen vacancy is not beneficial to the confinement of the 2DEG. The extra electrons caused by the oxygen vacancy dominantly occupy the 3d_(x~2-y~2) orbitals of the Ti atom nearest to the oxygen vacancy, thus the density of carrier is enhanced by one order of magnitude due to the introduction of oxygen vacancy compared with the density of the ideal structure heterojunction.     

Angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy study of GeO_x growth by plasma post-oxidation

The growth process of GeO_x films formed by plasma post-oxidation(PPO) at room temperature(RT) is investigated using angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy(AR-XPS). The experimental results show that the distributions of the Ge~(4+)states, a mixture of the Ge_(2+)and Ge~(3+)states, and the Ge~(1+)states are localized from the GeO_x surface to the GeO_x/Ge interface. Moreover, the Ge~(1+)states are predominant when the two outermost layers of Ge atoms are oxidized.These findings are helpful for establishing in-depth knowledge of the growth mechanism of the GeO_x layer and valuable for the optimization of Ge-based gate stacks for future complementary metal–oxide–semiconductor(MOS) field-effect transistor(CMOSFET) devices.