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101.
102.
利用VonNeuuman量子约化熵理论研究了驻波激光场与囚禁在谐振势中的离子单量子共振相互作用系统中量子场熵的时间演化特性,通过数值计算详细讨论了Lamb-Dick参数、离子质心在驻波激光场中的位置以及囚禁离子初始状态对量子场熵演化特性的影响.结果表明:Lamb-Dick参数影响囚禁离子与驻波激光场之间量子纠缠的频率和幅度,其值越大离子与光场之间的平均纠缠程度越低;随着离子质心从驻波激光场的波节向波腹移动,二者之间量子纠缠的振荡频率逐渐变慢,纠缠强度逐渐减弱;随着囚禁离子处于激发态概率的减小,离子与光场之间的量子纠缠呈现先增强后减弱的变化趋势.这些特性对于纠缠态的制备以及利用囚禁离子进行量子通讯等信息处理过程有一定的参考价值. 相似文献
103.
基于单腔和双腔结构的法布里-珀罗(F-P)腔透射光强度公式,研究了单腔F-P结构的镜面反射率与腔长对透射谱线的影响;在总腔长相同时,模拟分析了单腔、对称及非对称双腔的透射光谱特性;分析了镜面反射率对非对称双腔F-P结构透射光谱的影响。结果表明:无论单腔还是双腔的F-P结构,镜面反射率增加导致输出峰的峰值半高宽(FWHM)减小;腔长度增加会导致输出谐振峰间距减小,而通过调节腔长比例系数和选择镜面反射率,总长度相同的双腔能在不减小主谐振峰透射率的同时增加谱线间距。最后,讨论了镜面反射率对输出谱线FWHM以及腔长微小形变对中心谐振峰的位置、FWHM和透射率的影响。 相似文献
104.
106.
建立在对基于Gor’kov方法而导出的微观GinzburgLandau方程的分析揭示了高温超导体YBa2Cu3O7配对态对称性和磁通涡旋格子结构.分析指出,存在一个格子转变温度T,当温度高于T时,超导基态显示dx2-y2波对称性特征;低于该温度s波沟道幅值成为可观的量级;超导基态为混合s-dx2-y2态.对应单分量波函数磁通涡旋格子为三角的结构;而稳定的斜格子反映出混合波特征.s与d沟道间耦合约束了磁场下dx2-x2波对称性自由度,而对高温超导反常输运行为如上临界磁场温度曲线上翘现象所负责
关键词:
高温超导
GinzburgLandau理论
磁通涡旋 相似文献
107.
Molecular dynamics simulation for the sputtering of an Al2O3 sample bombarded with MeV Si ions
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Sputtering yield and kinetic energy distribution (KED) of Al particles from an Al2O3 sample bombarded with 1-5 MeV Si ions have been simulated using the molecular dynamics method. These have also been measured experimentally with a conventional time-of-flight facility. In the simulation, a new interatomic potential specific to the Al2O3 target was developed, and both the nuclear energy loss Sn and electronic energy loss Se were taken into consideration. By carefully adjusting the simulation parameters, the simulated sputtering yields fit well with the experimental results, and the simulated KED of Al particles also fits roughly with the experimental KED after being modified theoretically. 相似文献
108.
西·尔·劳 《数学的实践与认识》1983,(2)
<正> 本文不涉及关于矩阵的微商,不用拉格朗日乘子法,而是通过讨论有限维欧氏空间的二次实值函数的极小化问题的简单引理,讨论矩阵的实值函数的若干极小问题,及其在统计学的线性模型理论中的应用. 相似文献
109.
110.
Molecular dynamic simulation of secondary ion emission from an Al sample bombarded with MeV heavy ions
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Spluttering yields and kinetic energy distributions (KED) of Al atomic ions ejected from a pure aluminium sample under MeV silicon ion bombardment were simulated with the molecular dynamic method.Since the electronic energy loss Se is much higher than the nuclear energy loss Sn when the incident ion energy is as high as several MeV,the Se effect was also taken into consideration in the simulation.It was found that the simulated sputtering yield fits well with the experimental data and the electronic energy loss has a slight effect at incident ion energies higher than 4MeV.The simulated secondary ion KED spectrum is a little lower in the peak energy and narrower in the peak width than that in the experiment. 相似文献