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91.
在内蒙古东升庙矿区西部采取白垩系红层岩心及地表风化土壤样,用近红外光谱分析技术对各个样品进行测试分析。结果表明,近红外光谱技术能通过矿物中各基团的特征吸收峰快速鉴别出矿物,东升庙矿区西部白垩系红层为泥质胶结主要由石英、长石、蒙脱石、伊利石、绿泥石、白云母等组成,其矿物组成主要受到上游物源区影响;其崩解主要为蒙脱石等粘土矿物吸水膨胀,失水收缩不均匀,使原有裂隙扩大并产生新的裂隙,导致强度降低,发生崩解;根据其粘土矿物的组合推测其风化过程中气候以寒冷干燥为主,风化过程主要为物理风化。研究结果一方面可以完善该矿区地质特征,另一方面表明在矿物光谱学的基础上,近红外光谱分析技术可以有效地分析土壤和岩石的矿物成分,从而论证了近红外光谱分析技术应用于土壤、岩石矿物的的快速分析可行性,表明了其在地质研究中的可行性,为以后的土壤、岩石研究提供新思路。 相似文献
92.
通过建设网络电子教学资源辅助实验教学,尝试实验课堂翻转式教学,实现网络信息技术与实验教学的融合;通过建设实验预约系统、仪器故障报修系统,将信息技术与实验管理相融合,实现实验室的开放、便捷管理. 相似文献
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Structural,optical,and electrical properties of Cu-doped ZrO_2 films prepared by magnetron co-sputtering 下载免费PDF全文
Copper(Cu)-doped ZrO_2(CZO) films with different Cu content(0 at.%~ 8.07 at.%) are successfully deposited on Si(100) substrates by direct current(DC) and radio frequency(RF) magnetron co-sputtering. The influences of Cu content on structural, morphological, optical and electrical properties of CZO films are discussed in detail. The CZO films exhibit ZrO_2 monocline(ˉ111) preferred orientation, which indicates that Cu atoms are doped in ZrO_2 host lattice. The crystallite size estimated form x-ray diffraction(XRD) increases by Cu doping, which accords with the result observed from the scanning electron microscope(SEM). The electrical resistivity decreases from 2.63 ?.cm to 1.48 ?·cm with Cu doping content increasing, which indicates that the conductivity of CZO film is improved. However, the visible light transmittances decrease slightly by Cu doping and the optical band gap values decrease from 4.64 eV to 4.48 eV for CZO films. 相似文献
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97.
98.
Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells 下载免费PDF全文
A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias. 相似文献
99.
100.