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191.
First-principles calculation of the structural,electronic, elastic,and optical properties of sulfur-doping ε-GaSe crystal 下载免费PDF全文
The structural,electronic,mechanical properties,and frequency-dependent refractive indexes of GaSe_(1-x)S_x(x=0,0.25,and 1) are studied by using the first-principles pseudopotential method within density functional theory.The calculated results demonstrate the relationships between intralayer structure and elastic modulus in GaSe_(1-x)S_x(x=0,0.25,and 1).Doping of ε-GaSe with S strengthens the Ga-X bonds and increases its elastic moduli of C_(11) and C_(66).Born effective charge analysis provides an explanation for the modification of cleavage properties about the doping of e-GaSe with S.The calculated results of band gaps suggest that the distance between intralayer atom and substitution of S_(Se),rather than interlayer force,is a key factor influencing the electronic exciton energy of the layer semiconductor.The calculated refractive indexes indicate that the doping of ε-GaSe with S reduces its refractive index and increases its birefringence. 相似文献
192.
双指数脉冲电流发生器可用于电子系统端口传导耦合实验,主要用于研究电磁敏感器件的电磁脉冲效应的损伤规律。根据实验要求,该发生器能够输出前沿10 ns、脉宽100 ns、电流幅值3 kA的双指数脉冲电流。建立了该发生器的电路模型,并对杂散电容和电感对输出电流波形的影响进行了分析。模拟计算表明,电流信号的过冲现象和后沿叠加干扰信号的原因可能是电阻负载自身存在的杂散电容和测量电流的线圈附近的杂散电容和电感的共同作用导致的。经过理论计算,如果在测量线圈附近添加适当的滤波设备或者用无损同轴电缆引出电流,能够明显地抑制过冲和干扰。 相似文献
193.
申会曾春平马琨吴加权吴光敏 《高压物理学报》2016,(1):71-77
以P3HT(Poly(3-Hexylthiophene))为电子给体,PCBM([6,6]-Phenyl C61Butyric Acid Methyl Ester)为电子受体,在活性层P3HT:PCBM的退火过程中,利用磁场对活性层有机分子的排列取向作用,制备了有机体异质结太阳能电池。研究结果表明:当磁场强度为0.9MA/m时,器件的短路电流密度从7.414A/cm2提高到8.332A/cm2,填充因子也相应地增加,但开路电压却有所降低,最高的光电转换效率为2.562%。由光致发光光谱和原子力显微图像可知,磁场对活性层的结晶度、内部分子排列和表面形貌都有明显的影响。 相似文献
194.
本文用高精度的量子力学ab initio方法计算了氦原子与一氧化碳分子相互作用各向异性势能面,通过三重激发校正耦合簇、二次组态相互作用等方法和不同基组的计算结果比较,并采用BSSE方法消除了基组重叠误差,得到了氦原子与一氧化碳分子体系相互作用各向异性势,然后采用精确度较高的密耦(Close-Coupling)近似方法,研究了氦原子与一氧化碳分子碰撞的散射截面,通过计算得出了该体系碰撞激发微分截面和分波截面,计算得到的微分截面数据与实验值符合较好,说明本文得到的势能面是准确的. 相似文献
195.
196.
针对高阶正交幅度调制和大线宽相干光正交频分复用(CO-OFDM)系统,提出了一种基于广义回归神经网络(GRNN)的非线性均衡算法。将接收端进行相位噪声恢复之后的批量数据作为训练数据样本,通过训练学习得到GRNN的唯一参数平滑因子,然后对测试数据进行非线性均衡。对传输速率为50Gb/s,传输距离为100km的CO-OFDM系统进行了仿真验证。仿真结果表明,在大线宽和高阶调制下,GRNN非线性均衡算法对系统非线性损伤的补偿效果优于相应反向传播神经网络(BPNN)非线性均衡算法,且其训练运行时间远小于BPNN。GRNN非线性均衡算法能极大促进CO-OFDM系统在中长距离光纤传输中的应用。 相似文献
197.
198.
提出一种采用双铜-金刚石的三明治封装结构,利用有限元分析方法研究了其与传统的Cu+Cu W硬焊料封装结构激光器的热应力与Smile.对比模拟结果发现新封装结构热应力降低43.8%,Smile值增加95%.在次热沉热膨胀系数与芯片材料匹配的情况下,使用弹性模量更大的次热沉材料,可对芯片层热应力起到更好的缓冲作用.以硬焊料封装结构为例,分析了负极和次热沉厚度对器件Smile的影响.结果表明负极片厚度从50μm增加到300μm,器件工作结温降低2.26℃,Smile减小0.027μm,芯片的热应力增加22.95 MPa.当次热沉与热沉的厚度比小于29%时,Smile随次热沉厚度增加而增加;而当次热沉厚度超过临界点后,Smile随次热沉厚度增加而减小.当次热沉厚度达到临界点(2300μm)时,硬焊料封装的半导体激光器具有最大的Smile值3.876μm.制备了Cu W厚度分别为300μm和400μm的硬焊料封装976 nm激光器,并测量了其发光光谱.通过对比峰值波长漂移量,发现Cu W厚度增加了100μm,波长红移增加了1.25 nm,根据温度和应力对波长的影响率可知应力减小了18.05 MPa.测得两组器件的平均Smile值分别为0.904μm和1.292μm.实验证明增加Cu W厚度可减小芯片所受应力,增大Smile值. 相似文献
199.
A hybrid structure based on a planar waveguide(PWG) mode coupling a long-range surface plasmon resonance(LRSPR) mode is proposed to enhance the GH shift. Both the PWG mode and LRSPR mode can be in strong resonance, and these two modes can be coupled together due to the normal-mode splitting. The largest GH shift of PWG-coupled LRSPR structure is 4156 times that of the incident beam, which is 23 times and 3.6 times that of the surface plasmon resonance(SPR) structure and the LRSPR structure, respectively. As a GH shift sensor, the highest sensitivity of 4.68 × 10~7λ is realized in the coupled structure. Compared with the sensitivity of the traditional SPR structure, the sensitivity of our structure is increased by more than 2 orders, which theoretically indicates that the proposed configuration can be applied to the field of high-sensitivity sensors in the future. 相似文献
200.