真空热蒸发生长CdX(X=S,Te)纳米线研究性实验

将一维纳米结构的气—液—固生长机制与大学材料物理实验真空热蒸发镀膜结合,设计了生长半导体纳米线的研究性实验.利用金属铋或锡作为催化剂,真空热蒸发生长了CdS,CdTe等半导体纳米线.纳米线产物形貌均匀,并可实现选择性生长.     

常利率环境下带干扰风险模型的破产估计

本文中，我们研究具有固定收益率或利率的带干扰的复合泊瓦松风险模型的破产概率，给出破产概率估计，及上下界。     

关于布朗运动的某些极值定理

设B=(B_t)_t≥0是标准一维布朗运动,γ₀(t)是B在t以前最后离开0的时间,M_t*是B在区间[γ₀(t),t]上的最大值,A_Mi*是在该区间上B最后达到M_t*的时间。本文利用时间逆转和离散逼近的方法求得了t-γ₀(t),M_t*,A_Mt*,B_t的联合分布密度。对d≥3维布朗运动,我们还求得了未离球面s_l的时间β_l及在时间区间[0,β_l]内|B|所达到的最大值的联合分布密度。     

化学气相沉积法合成高结晶度的三元系Cd1-xZnxS纳米线

以硫化锌、硫化镉和活性碳粉作为反应物,利用化学气相沉积方法成功合成了单晶Cd1-xZnxS纳米线.为了解产物的结构、形貌、组分、微结构以及声子振动模式,对样品进行了扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、能谱分析以及拉曼光谱分析.分析显示合成的纳米线为六方铅锌矿结构,生长方向沿着[210]方向,长度均为10μm,直径在80-100 nm之间,x的值约为0.2.拉曼光谱分析显示产物的拉曼峰位与纯CdS相比发生了蓝移.     

纯氮气反应溅射AlN薄膜及性质研究

在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20～370 ℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜.X射线衍射图谱表明:温度大于180 ℃时可在多种衬底上沉积出具有c轴择优取向的纤锌矿AlN薄膜.衬底温度和溅射时间的增加有利于薄膜结晶性的改善. 1.5 Pa的纯氮气气氛和Si(100)衬底是最佳择优生长条件.由紫外-可见光透射谱计算得到:在石英衬底上沉积的薄膜折射率为1.80～1.85,膜厚约为 1 μm、光学能隙为6.1 eV.原子力显微镜照片表明:在Si(100)衬底上制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2～13.2 nm.     

与布朗运动有关的一个更新问题

设B={B-t,t≥0}是概率空间(QJ(?))上的标准1维布朗运动,相空间(R′,B′),R′是1维欧氏空间,B′是R′中Borel可测集全体。P~x,x∈R′是对应于B_0=x的概率分布。约定以P表示P~0。q_t,t≥0是推移算子。 记B的转移密度为(?)(t,x,y)     

丝网印刷FeS2（pyrite）薄膜的结构及光电性能

采用丝网印刷方法制备了FeS₂(pyrite)薄膜，用x射线衍射确定了样品FeS₂(pyrite)薄 膜的 晶体结构，并用Rietveld方法对样品的结构进行了精修，确定了样品的点阵常数、键长、键 角、硫原子占位等结构参数.研究了膜厚对方块电阻、载流子浓度、霍尔迁移率、光能隙等 光电参数的影响. 关键词： 丝网印刷 薄膜 结构 Rietveld方法 光电性能     

测度值分枝扩散过程在球域上负荷的概率估计

本文通过对一类非线性微分方程解的性质研究，给出了测度值分枝扩散过程在球域上负荷概率的精确估计     

古典风险模型的极值联合分布

该文讨论并获得了用不破产概率函数有限表达的古典风险模型在破产前,从负余额首次 返回到零点前及最后一次返回零点前三种时期内余额的 极大值和极小值的联合分布公式.     

EDTA辅助水热合成FeS2/NiSe2复合纳米晶及其薄膜光电性质

以EDTA为螯合剂,加入MX2结构化合物NiSe_2作为晶种,水热合成了FeS_2 纳米晶 .x射线衍射分析结果表明产物为单一相黄铁矿型FeS_2 (pyrite) ,平均粒径约 4 0— 5 0nm .丝网印刷成膜且高温退火后FeS_2 薄膜光学直接带隙变宽 .随晶种量的增加 ,吸收边在紫外—可见光谱区红移、方块电阻升高、霍尔迁移率上升和载流子浓度下降 ,实现了n型掺杂 .并且对FeS_2 的形成机理进行了讨论