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91.
Bi80+辐射复合过程的多极计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
基于Dirac-Slater自洽场方法,文中计算了Bi79+离子从低能到高能的光电离截面; 研究了半经典类氢近似Kramer公式的适用性;考察了多极效应、相对论效应在不同能区对光电离截面的影响;计算了Bi80+离子在电离阈值附近的辐射复合截面和辐射复合速率系数,并将计算结果同高精度的储存环合并束实验结果进行了对比.  相似文献   
92.
等电子法测量小能量激光打靶等离子体电子温度   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
以低Z的CHO薄膜作为样品靶,在星光激光装置上以小能量激光辐照样品靶产生温度较低的等离子体,采用每毫米2400线的平焦场光栅谱仪测量等离子体发射的碳和氧离子发射谱线强度比,并与理论计算相应线强比较,获得了电子温度,建立了等电子法测量较低温度(100eV左右)等离子体电子温度的诊断技术. 关键词: 电子温度 激光等离子体 等电子x射线谱法  相似文献   
93.
为了满足充气腔实验对探测器安全性能的要求,开展了X光二极管的脉冲偏压施加技术的初步研究。在8ps激光装置上,设计了一种新的基于信号发生器的同步方法,完成了X光二极管脉冲偏压加载工作方式的技术验证。脉冲偏压与直流偏压条件下,探测器上升时间与半高宽变化值不超过10%。脉冲偏压源主要指标确定为脉宽110μs,激光打靶零后2.11ms完成偏压卸载。  相似文献   
94.
应用连续扭曲波程函初态近似方法(CDW-EIS)计算了入射粒子能量从30 keV到10 MeV α粒子与各价碳原子1s壳层的碰撞电离的总截面,进而得出在惯性约束核聚变(Inertial Controlled Fusion, 简称ICF)聚变条件下该反应的速率系数.同时利用Bethe公式,我们也计算了电子与各价碳原子1s壳层碰撞电离总截面及ICF环境下该反应的速率系数.通过比较α粒子及电子与碳原子碰撞K-壳层电离Kα信号贡献大小,探讨Kα信号利用诊断α粒子分布的可能性.  相似文献   
95.
利用经典径迹蒙特卡罗研究了H^+离子与Li(5f)碰撞单俘获过程,分析了不同碰撞速度时截面随末态主量子数n变化的分布行为,截面随末态n变化的分布中存在一个明显峰值,此峰值对应的n随碰撞速度变化不是很明显.同时还计算了不同碰撞速度下,截面随末态角量子数l变化的规律,在截面随角量子数l变化的分布中,存在一个最大峰值,此峰值对应的角动量为lmax,lmax随着碰撞速度的增加而减小,由于l≤n-1的限制,从而使l的分布有两种不同的行为.  相似文献   
96.
光电导探测器体积小,灵敏度高,应用范围广,但暗电流也高,所以光电导探测器的直流标定是委困难的.我们采用了电子学的方法,探索光电导探测器灵敏度标定,给出光电导探测器50—300eV的灵敏度曲线.实验表明,这种方法是可行的.  相似文献   
97.
利用金激光等离子体的M带发射谱相对强度进行金等离子体的电离状态诊断。从2000年以来,已经完成了诊断方法建模,原子物理过程参数计算等工作,同时,建立了时间分辨光谱测量系统并进行了实验测量,获得了金腔腔内等离子体的M带细致结构辐射谱。本文对这方面的工作进展情况进行了简要总结。  相似文献   
98.
利用多组态Hartree—Fock—Relativistic(HFR)理论系统地从头计算了类镍离子(HoLⅤ-ReXLⅧ)的能级、电偶极跃迁波长和振子强度。计算结果与实验符合得较好,为我们的高Z元素激光等离子体光谱实验分析提供了重要依据。  相似文献   
99.
在神光Ⅱ装置上,8路激光注入金柱腔靶产生X射线驱动位于柱腔中心的DD靶丸内爆,第9路激光辐照Pd背光靶产生的L线X射线透视内爆靶丸,用针孔成像方式获得靶丸的透视图像,高速X射线条纹相机记录靶丸透视图像,建立了间接驱动内爆靶丸背光照相的实验方法,清晰地观测到了靶丸内爆的过程,对透视图像分析获得了内爆靶丸壳层运动轨迹和速度的实验数据,所获实验结果可用于间接驱动靶丸优化设计,还可用于内爆动力学数值模拟建模和计算结果的验证。  相似文献   
100.
通过将闪烁体光纤面板与CMOS图像传感器耦合,研制了在线诊断X射线图像的CMOS探测系统。通过XOP软件计算,确定了响应能区为1~10keV的CsI闪烁体厚度为30μm。在微点X射线源平台上,基于标准的Typ 18-d型分辨率板对CMOS探测系统的空间分辨能力进行了实验测试,结果为60μm。在神光Ⅲ原型激光装置上,利用该套CMOS探测系统在流体力学不稳定性与混合实验中对钛背光源的光谱进行了诊断,获得了清晰的类氢和类氦光谱图像。数据分析显示,实测的谱分辨为442,与理论分析符合较好。CMOS探测系统小巧轻便,性价比高,适合各大高校与科研院所用于在线诊断软X射线图像。  相似文献   
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