关于微波感应直流电压现象的理论

在一个开路(即未和直流电源相联)的约瑟夫逊隧道结上以微波辐照,隧道结的两端便出现一定的直流电压。这就是微波感应电压现象。 文献[1]报道了Chen等人的实验结果。他们采用尺寸很小的Pb-PbOx-Pb结。隧道结的结平面面积约10~(-6)cm~2;结电阻为1Ω;临界电流I_c(在1.4K时)为1.1mA.在10GHz的微波辐照下,结两端出现的直流电压V_n是断续的,和微波频率υ在如下关系:     

TWO-DIMENSIONAL HOT-ELECTRON TRANSPORT IN GaAs-AlGaAs HETEROJUNCTIONS

The mobility of a two-dimensional electron gas in GaAs-AlGaAs heterojunction is re-computed through solving numerically the balance equation. The peculiarity of the present study lies in that a new expression for the distribution function and the renormalized phonon frequency are used in the computation. Compared with those reported by previous authors, our result shows better agreement with the experimental data.     

临界厚度d_0和纵场临界电流曲线

本简报对理想第二类超导平板的纵场临界电流曲线进行的分析表明了,当平板厚度d大于临界厚度d_0时,曲线呈倒U字形;当d小于d_0时,曲线呈现出峰值效应。     

A型和B型超导体

关键词：     

液体理论中的Kirkwood变分方法的推广

本文克服了Cohen理论的缺点,对液体理论中Kirkwood变分方法作了推广。经过这样推广,格胞模型理论就可以系统地考虑分子运动关联性的任何级近似。把所得结果应用到一维情形,得到的自由能是严格正确的。应用到三维情形,最低级近似得LJD结果,一级近似得Taylor结果。     

McMillan Tc公式的解析推导(Ⅱ)——μ*≠0情形

本文把文献[1]的理论以及所得到的T_c公式推广到μ^*≠0情形,得到T_c=(2γ)/πω_log·(ω_log/ω_c)^{(μ*/(λ-μ*))}·exp{-(1+λ)/(λ-μ^*)}. Inγ=C=0.5772是Euler常数。 关键词：     

超导临界温度理论(Ⅰ)

本文求出了Eliashberg方程在T=T_c时的解,得到了下面的临界温度级数表示式:T_c=α₀(μ^*)(λ〈ω²〉)^1/2{1+1/λα₁(μ^*)〈ω⁴>/〈ω²>²+1/λ²(α₂₁(μ^*)〈ω⁶>/〈ω²>³+α₂₂(μ^*)〈ω⁴>²/〈ω²>⁴) +1/λ³(α₃₁(μ^*)〈ω⁸>/〈ω²>⁴+α₃₂(μ^*)(〈ω⁴>〈ω⁶>)/〈ω²>⁵)+α₃₃(μ^*)〈ω⁴>³/〈ω²>⁶+…},其中α₀(μ^*),α₁(μ^*)等仅是μ^*的函数。新的T_c公式表明了,T_c不仅依赖于λ、μ^*和〈ω²〉,而且依赖于有效声子谱α²F(ω)的各级矩〈ω²ⁿ〉。     

超导临界温度严格公式的探讨

近来Allen和Dynes对Eliashberg方程重新进行了数值分析,并提出了一个新的T_c公式。他们先就Einstein谱的情形,在一级和二级近似导出了T_c的一个渐近公式。在二级近似下,T_c=0.180λ~(1/2)ω_E,当λ>10,μ*=0时,其中λ是电-声子耦合常数,μ*是库仑赝势。然后把ω_E换成〈ω~2〉~(1/2),     

超导膜的能隙和磁场的依赖关系

本文计算出超导膜在磁场中的能隙。所得到的表达式适用于所有的温度,但磁场要满足((ehp₀/(mc) A/(πk_BT_c))²《1条件,其中A是矢势,hp₀是Fermi动量。理论结果和实验进行了比较,符合得还好。     

超导临界温度理论(Ⅲ)

本文给出文献[1]导出的T_c级数的前几个系数,用我们的级数公式计算了超导临界温度T_c,并且与Allen-Dynes公式和Eliashberg方程的数值解作了比较,结果表明,当级数收敛时,用级数公式求出的超导临界温度T_c较Allen-Dynes公式更接近于数值解结果,此外文中还给出了估计T_c级数收敛半径的一个方法。