La2CuO4在平行CuO2面磁场中的磁转变

本文在平均场近似下,给出一个关于在平行CuO₂面的磁场作用下,La₂CuO₄的磁转变理论。理论给出的临界磁场随温度T的变化,在定性上与实验相符。但是,从本文理论看,不存在多重临界点。简单讨论了理论和实验不符合的原因。 关键词：     

磁场对微波感应台阶高度的影响

本文提出了微波感应台阶现象的改进理论。在此基础上,详细研究了外磁场和微波功率对微波感应台阶高度的影响。理论预言和已有的实验事实是符台的。     

T_c—λ曲线

本文指出了,T_c-λ曲线是由性质完全不同的“McMillan区域”、“λ~(1.55)区域”和“级数解”三个部分组成的。     

Kubo线性输运系数公式

在这篇短文中,作者对霍裕平等和陈式刚在文[1]—[4]中,提出的和争论的问题,陈述一些不同的看法。 关键词：     

超导临界温度理论(Ⅰ)

本文求出了Eliashberg方程在T=T_c时的解,得到了下面的临界温度级数表示式: 其中α₀(μ^*),α₁(μ^*)等系数是μ^*的函数.此式表明,T_c不仅依赖于λ,〈ω²〉和μ^*,而且依赖于有效声子谱α²F(ω)的各级矩〈ω²n〉.这是区别于前人的T_c公式最重要的一点。这说明像McMillan以及Allen和Dynes的T_c公式不仅是近似的,而主要是他们没有能正确地概括出α²F(ω)对T_c的影响.     

McMillan Tc公式的解析推导(Ⅰ)——μ*=0情形

作者在μ^*=0情形,从Eliashberg方程解析地导出如下的T_c公式:T_c=αω_logexp{-b((1+cλ)/λ)},式中α=2γ/π,b=c=1;Inγ=C=0.5772是Euler常数。这个T_c公式只有在T_c=0.36/α(k)以下才是正确的,α是个大于1并随材料而异的常数。我们推测,当T_c超过上述范围后,T_c公式的函数结构很可能不同于McMillan T_c公式,至少α,b和c等参量不再是些不依赖于材料的常数了。 关键词：     

合金薄膜的临界磁场

本文把文献[2]的理论推广到含有杂质的超导薄膜情形,得出合金薄膜的二极相变临界磁场。本文得到的结果,在2d》ξ₀而l任意时,或者2d《ξ₀而l<<2d时,趋于Гинэбург-Ландау理论;在2d<ξ₀而l>2d时,与Гинэбург-Ландау理论不同(l是杂质所决定的电子平均自由程)。理论符合Blumbers实验。     

临界厚度d0和纵场临界电流曲线

本简报对理想第二类超导平板的纵场临界电流曲线进行的分析表明了,当平板厚度d大于临界厚度d₀时,曲线呈倒U字形;当d小于d₀时,曲线呈现出峰值效应。 关键词：     

Tc对λ的微分曲线

本文对(dT_c/dλ)-λ曲线进行了分析,得到的结论是,T_c-λ曲线是由性质完全不同的“McMillan区域”,“λⁿ区域”和“级数解区域”三个部分组成的,这个结论和文献[20]得到的是一致的,只是n一般不等于1.55,而是个大于0.5,并随有效声子谱而异的实数。 关键词：     

Tc—λ曲线

本文指出了,T_c-λ曲线是由性质完全不同的“McMillan区域”、“λ^1.55区域”和“级数解”三个部分组成的。 关键词：