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952.
Laterally Confined Modes in Wet-Etched, Metal-Coated, Quantum-Dot-Inserted Pillar Microcavities
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We report the fabrication and the measurement of microcavities whose optical eigenmodes were discrete and were well predicted by using the model of the photonic dot with perfectly reflected sidewalls. These microcavities were consisted of the semiconductor pillar fabricated by the simple wet-etched process and successive metal coating. Angle-resolved photoluminescence spectra demonstrate the characteristic emission of the corresponding eigenmodes, as its pattern revealed by varying both polar (θ) and azimuthal ( φ) angles. It is shown that the metal-coated sidewalls can provide an efficient way to suppress the emission due to the leaking modes in these pillar microcavities. 相似文献
953.
954.
955.
THE DOUBLE POROSITY MODEL FOR MASS TRANSFER BETWEEN CAPILLARIES AND TISSUES IN LUNG MICROCIRCULATION
This paper proposes a double porosity model to deal with the mass transfer between capillaries and tissues in the lung microcirculation on the basis of Ref. [4]. Utilizing the analytic method of small parameter expansion and the numerical method, the nonlinear governing equations are solved. Comparison shows that the small parameter solution is accurate enough to illustrate the mass exchange between the lung capillary and tissues. Finally the results are used to discuss the mechanism of formation of lung edema. 相似文献
956.
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958.
H_2的径向分布函数及其模型张笑一(贵州师范大学化学系,贵阳550002)在结构化学中,当论及物质内部电子运动时,首先认识电子在原子中的运动,并用原子轨道AO加以描述。一般以氢原子中电子的运动状态。向学生介绍AO的概念。为了使学生正确、深刻地理解及对... 相似文献
959.
STRUCTURE AND PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON-GERMAN-IUM ALLOYS PRODUCED BY HIGH HYDROGEN DILUTION METHOD
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A series of hydrogenated amorphous silicon-germanium alloys have been fabricated by high hydrogen dilution method. The Ge content in the film increasea from 0.4 to 0.8 and the corresponding optical bandgap is in the range of 1.48-1.22eV. The photoconductivity is 3.6×10-6 S/cm and photosensitivity is as high as 7.3×103 at an optical bandgap of 1.48eV. The deterioration of photoelectric properties with increasing Ge content could be attributed to the decrease of the bonded hydrogen content and the inhomogeneous structure in the alloy network. 相似文献
960.