离子晶体中固溶胶粒的形成和生长以及施主原子浓度(Ⅰ)

本文利用自由能的概念并作了固溶粒子(包括胚芽和胶粒)都是同样大小的假定,讨论了在离子晶体中由于杂质原子浓度的增加,该固体由半导体过渡到固溶胶体的物理条件;推导出杂质原子临界浓度公式;讨论了胚芽的临界值和施主原子临界浓度与激活条件的关系。并指出当温度改变时,出现临界温度,超过此温度时,固溶胶体将转化为半导体。最后分析了自由能曲面的特点和出现固溶胶粒的充分条件。下一篇文章将讨论固溶胶粒有一定分布的情况,和胶粒的生长以及施主原子浓度等问题;并且还指出只要对这些讨论作简单的修正就可以应用于原子晶体和合金系统。     

真空沉积TCNQ薄膜的手性分形结构

分形是非线性科学中的一个重要分支,自１９７３年Ｍａｎｄｅｌｂｒｏｔ提出分形这一概念以来［１］,关于分形的实验和理论研究日益受到人们的重视［２,３］．自发现７,７,８,８ 四氰基对苯醌二甲烷（ＴＣＮＱ）与某些电子给体的复合物薄膜具有独特的电学特性［４,５］,至今人们对ＴＣＮＱ类薄膜器件进行了广泛的研究［６ -１０］．Ｇａｏ等［１１,１２］ 最早报导了真空离子团束 (ＩＣＢ)沉积的Ｃ６０ ＴＣＮＱ复合薄膜有独特的“海马”分形结构．由于ＩＣＢ沉积技术中的粒子有一定的荷电几率,而外加电场又会影响薄膜生长初期的分…     

用于超短激光脉冲检测的新型光电发射薄膜

Ａｇ－Ｂａ－Ｏ薄膜是金属超微位子埋藏于半导体基质中的全新型光电转换薄膜。它不含碱金属，有很好的稳定性，可以在大气中存放，再置入真空系统中不需要激话，就能产生足以检测皮秒级激光脉冲信号的光电子发射。在激光作用下有特殊的灵敏度。这种光电转换薄膜有很好的应用前景。     

稀土镧对薄膜中银纳米粒子的细化作用

通过更换基底材料,证实了稀土镧对AgBaO薄膜中银纳米粒子的细化作用.用LewisCampbell的薄膜理论分析表明,稀土镧对银纳米粒子的细化作用机理是,基底吸附稀土镧增强了基底对银原子的等效吸附能和基底表面徙动激活能,使镧和银结合形成的复合小银粒子在基底表面的徙动扩散运动受到削弱,进而减少了相互团聚所致.基底表面徙动激活能增量在0.04—0.07eV之间,相应的基底对银原子的等效吸附能增量在0.08—0.42eV之间 关键词： 细化 稀土 纳米粒子 粒度     

光电子的初能量分布与角度分布

本文利用了Nottingham关於透射系数的经验公式,将DuBrige的不考虑反射效应的光电子初能量分布理论加以推广。由於详细地考虑了表面位垒对发射出来的电子所起的折射作用,因此不仅讨论了光电子的初能量分布与法线能量分布,而且也讨论了角度分布。这些讨论都假定发射面是理想的金属表面,没有碎鳞效应;金属内部的电子满足费密-狄喇克(Fermi-Dirac)统计分布;并假定入射光为固定强度的非偏振的单色光。本文中所获得的光电子初能量分布公式相当简单,而且比已往的理论更符合实验结果。光电子的角度分布曲线呈蛋状,大的一端向外,这舆Ives的实验结果相符。如果表面的反射效应不存在,那么角度分布满足馀弦定律。其他如光电流的光谱分布、球形电容器(其中心的小电极为光电阶极)在阻滞场下的伏-安特性曲线的理论公式,以及法线能量分布和理想平行板电容器在阻滞场下的电压-雷流特性曲线的理论公式也都曾加以讨论。     

银超微粒子在半导体氧化钡薄膜中的生长特性

本文在透射电子显微镜上观察了金属银超微粒子在半导体氧化钡薄膜中的生长。实验发现,当经过一定的热处理后,金属银在氧化钡中能形成很好的超微粒子。我们还比较了单层制备和多层制备得到的Ag+BaO薄膜的结构差别。同时,考查了含银量不同的Ag+BaO薄膜银超微粒子的生长特点,发现当银量较大时,在Ag+BaO薄膜中,Ag超微粒子并不彼此连接起来形成金属迷津通道,而仍形成孤立的大微粒,微粒之间隔有几个nm的BaO层。 关键词：     

氧化铯薄膜的光学特性和介电常数

正常氧化铯薄膜的光学常数和介电常数随铯杂质含量和入射光波长有关。本文给出实测的三种铯杂质含量较多的氧化铯的折射率n。消光系数k和复介电常数在可见光和近红外范围的曲线,并对这些曲线和散射光及反射光颜色随铯杂质含量的关系作了讨论。 关键词：     

碳纳米管室温单电子器件的构建和特性测量

利用传统微加工与纳米组装技术构建出了金属颗粒调制的复合碳纳米管场效应及单电子器件，电子输运性能测量结果表明这类复合碳纳米器件具有一些不同于一般碳纳米单电子器件的独特性能，特别是可在室温下实现单电子特性。     

RESPONSE TIME OF PHOTOEMISSION OF ULTRAFINE PARTICLE THIN FILM

The response time of photoemissive materials is required for detecting ultrashort duration laser pulses. In this paper, the response time of photoemission in ultrafine particle thin film is studied, and the transit time spread (TTS) and response time of peak value (t_M) are discussed. The photoelectron's response time will increase with increasing energy of photons. If the surface potential barrier of thin film declines, the photoemissive sensitivity or quantum yield will rise, however the response time will also increase, which means that response-time characteristic gets worse. As an example, the response time for Ag-O-Cs thin film is calculated for different cases when photoelectrons, excited in Ag ultrafine particles, travel through Cs₂O semiconductor layer to the surface and escape into vacuum. The calculated response time is about 50 fs if this thin film is irradiated by infrared rays of wavelength 1.06μm.     

“冷沉积”的Ag-BaO薄膜在超短脉冲激光作用下的光电发射

研究了冷沉积制备条件下获得的Ag-BaO薄膜在超短激光脉冲串作用下的光电发射．得到Ag-BaO薄膜的阈值光强为10W/cm²，光量子效率达10^-4数量级．光电流密度与入射光强的关系主要表现为一段曲率随光强增大而逐步减小的曲线．其光量子效率是一个可变值，它的变化规律同入射光强及薄膜本身的性能有关 关键词：