排序方式: 共有107条查询结果,搜索用时 265 毫秒
101.
采用第一性原理的计算方法,研究了全部由轻元素构成的半Heusler型NaAlGe合金中,掺杂元素对合金拓扑能带结构的影响.发现利用同族的Cs元素掺杂替换Na元素,能够诱导Na1-x Csx AlGe合金的能带结构由原本正常带序(0 x0.125)转换为反转带序(0.125 x 1).基于对这一现象的深入讨论,我们提出在几乎没有自旋-轨道耦合作用的材料中,掺杂元素(Cs)是通过其离子半径的不同,进而影响晶格参数变化导致另外两种近邻原子间杂化作用发生变化,来诱导拓扑反带结构形成的. 相似文献
102.
<正>中国科学院物理研究所研究员吴乾章(1910~1998)是海南岛澄迈县人,出身于一个农民家庭。吴乾章自1951年开展X射线多晶衍射物相分析方法研究,指导开展了针对衍射相位问题以及光学模拟X射线单晶体衍射的研究,组织了结构分析"直接法"的研究,并倡导把X射线、电子和中子三大衍射技术结合起来,为推进我国晶体结构研究和培养人才作出重要贡 相似文献
103.
104.
通过研究铁磁性金属间化合物Ni2+xMn1-xGa(x=-0.1,0,0.08,0.13,0.18,0.2)和Ni2-xMn1+x/2Ga1+x/2(x=-0.1,0,0.04,0.06,0.1)两个系列多晶样品的交流磁化率随温度的变化行为,得到了化合物在不同组分下的马氏体相变温度TM和居里温度TC.发现随着Ni成分的增加,前者的马氏体相变温度Tm增加,而居里温度TC降低,后者的马氏体相变温度Tm和居里温度TC均是先增大后减小.报道了Tm在室温附近的单晶样品Ni52Mn24Ga24的磁场增强双向形状记忆效应.发现伴随着马氏体相变,样品在[001]方向可产生1.2%的收缩.如果在该方向施加1.2T的偏磁场可以使该应变值增大到4.0%.而垂直于[001]方向施加1.2T的偏磁场时,在[001]方向产生1.6%的膨胀.阐明了产生大应变的原因并非相界移动,而是单晶的杂散内应力小和外加磁场通过孪晶界移动使马氏体变体重组的共同结果.
关键词:
形状记忆效应
马氏体相变
2MnGa')" href="#">Ni2MnGa 相似文献
105.
利用磁悬浮冷坩埚提拉法技术生长了Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17的单晶,并用差热分析等方法研究了材料的相图。研究结果表明:Tb2Fe17的相关系并非以往报道的包晶反应。而是同成分熔化。本文还给出了Tb2Fe17化合物附近的新相图。采用优化后的生长条件,获得了缺陷较少的Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17高质量单晶,分析了Si替代对于化合物结构的影响,测量了Tb2Fe17单晶样品的基本磁性。从材料的一级磁化过程的测量可以看出,在理想配比条件下最容易获得缺陷密度低的单晶样品,这种磁性测量方法为了解单晶的完整性提供了一个有效的间接观察方法。 相似文献
106.
用X射线衍射和磁测量手段研究了Ni部分替代Fe对具有ThMn12结构的Rfe11.3Nb0.7(R=Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Y)化合物的结构与磁性的影响.研究表明,Ni部分替代Fe不改变晶体结构,但引起了晶胞体积收缩.随着Ni含量的增加,居里温度TC迅速上升,而饱和磁化强度Ms则单调减小.Ni部分替代Fe还导致了Fe次晶格的轴各向异性的迅速降低和RF11.3Nb0.7(R=Tb,Dy,Er)化合物中自旋重取向温度Tsr的变化.Tsr与Ni含量的关系用晶场理论给出了定性的解释.
关键词: 相似文献
107.
用直拉单晶生长系统制备TbyDy1-x(Fe1-xTx)2(T=Al,Mn)单晶,并测量其磁致伸缩.用电弧炉合成多晶TbyDy1-y(Fe1-xTx)2(T=Al,Mn),并用X射线衍射方法测量拟合得到内禀磁致伸缩.结果表明,Al和Mn替代后饱和磁场降低,说明Al和Mn的替代明显地降低了各向异性能.随Al和Mn替代量的增加,总的趋势是材料的内禀磁致伸缩λ111降低.对Tb0.5Dy0.5(Fe0.9Mn0.1)2单晶,在不加压情况下的磁致伸缩效果并不明显,但当施加压力时,磁致伸缩变化显著,尤其在12—26MPa压力下,磁致伸缩变化很大,且低场效果很好.
关键词: 相似文献