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981.
针对高温熔体生长的ZnGeP2 (ZGP)晶体,易在能带边缘附近出现宽光学吸收带,难以直接应用的问题,开展了籽晶温度梯度区域熔炼生长方法探索研究,最终在较低温度(945℃左右)生长出φ20 mm×30 mm单晶,晶体2μm附近吸收系数处于0.16 ~ 0.3 cm-1之间.但采用当前方法,如何改善晶体光学均匀性、结晶质量,提高原料利用率等一系列问题,还有待进一步研究.  相似文献   
982.
AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4非线性晶体在中远红外激光具有良好的应用前景.合成高纯多晶是制备可器件化单晶元件的关键.但S、Se易挥发、高温下饱和蒸气压高,易导致石英坩埚的爆炸,组分偏离化学计量比.为此,本文采用一种新型的高压辅助法合成出大尺寸高纯的多晶原料,解决了石英坩埚爆炸和组份偏离问题,并在此基础上进行了单晶的生长过程.多晶X射线粉末衍射测试结果与模拟图谱或者标准PDF卡片一致;X射线荧光光谱分析得到各元素百分含量非常接近化学计量比,AgGaGe5 Se12中Ag、Ga、Ge、Se各占7.86;、5.08;、23.80;、63.26;,AgGaGeS4中Ag、Ga、Ge、S各占28.22;、18.24;、19.52;、34.02;;单晶透过率测试得到AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4透过率分别为60;、70;,证明此方法制备的AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4晶体性能优良,展现了该方法在多晶合成的应用潜力.  相似文献   
983.
周耀坤  李元宗  吴绍祖 《化学学报》1988,46(10):1042-1044
以乙酰基二茂铁和相应的乙酰氯在三氯化铝存在下在 流室温条件下合成了不对称二乙酰基二茂铁衍生物; 1-乙酰基-1'-卤素取代苯甲酰基二茂铁, 除了获得预期产品以外, 当反应在 流温度下进行时, 还得到1,3-二(二茂铁基)-丁烯-2-酮-1, 用同样方法还合成了1-乙酰基-1'-棕榈酰二茂铁和1-苯甲酰-1'-棕榈酰基二茂铁.  相似文献   
984.
在研究用染料1-氨基-4-羟基蒽醌染色的尼龙-6单丝的燐光光谱时,观察到染料的延迟荧光。这表明在这一体系中发生了聚合物的杂质基团与染料间的能量转移。用测定尼龙丝的燐光寿命随染料浓度变化的方法对此过程作动力学研究,测得能量转移速度常数kt=2901·mol-1·s-1,能量转移的临界距离R0=52.0Å,并证明该过程是以三线态-单线态的远程共振机理进行的,染料淬灭了尼龙-6中有害的杂质基团激发三线态,从而起到了光稳定化的作用。  相似文献   
985.
普通ECL门电路工作时均需要外加参考源,为提高门电路的稳定性,需要对参考源采取有效的温度和电源电压补偿措施,因而各种改进型的参考源电路相继提出.NTL电路及FECL电路即是其中的实例.本文提出一种利用ECL电路本身的输出经过分压后提供给参考管基极作为参考电压的新型ECL电路,并对其进行分析考察.  相似文献   
986.
987.
全变换图Gxyz     
设G=(V(G),E(G))是一个简单无向图,x,y,z是取+或?的3个变量.图G的变换图Gxyz是以V(G)∪E(G)为其顶点集,且对任意的α,β∈V(G)∪E(G),α,β 相邻当且仅当以下条件之一成立:(ⅰ)α,β∈V(G),x=+时当且仅当α 和β 在图G中相邻,x=? 时当且仅当α 和β 在图G中不相邻;(ⅱ...  相似文献   
988.
Akhobadze,T.I.在文献〔1〕中,运用单边连续模的概念,研究了Fourier级数的一致收敛性和多重Fourier积分的Bochner—Riesz一致可和性,得到的结果深化了Nēvai,以及等人的工作.本文打算循着同一思路,讨论多重共轭Fourier积分的Bochner—Riesz球形平均的一致收敛问题. 设E_k为k(≥2)维欧氏空间,E_k中的点记作x={x_1, x_2,…,x_k),(x,y)=x_1y_2 X_2y~2 … x_ky_k,  相似文献   
989.
设计了一种由涂覆双层石墨烯的圆形介质纳米线组成的表面等离子体光波导。利用有限元法(FEM),数值分析了纳米线半径、介质夹层厚度、石墨烯化学势以及工作频率对波导所支持的电磁场模式的有效折射率、传播长度、归一化模式面积以及品质因数等模式特性的影响。结果表明,这种新型的混合表面等离子体光波导具有很强的模式束缚能力,归一化模式面积非常小,可以实现极高密度的器件集成,并且传输损耗较低。  相似文献   
990.
以固相法合成锂离子固体电解质Li1.3 Al0.3Ti1.7 (PO4)3(以下简称LATP).研究了合成温度以及烧结时间对其离子电导率的影响.采用X射线衍射、扫描电子显微镜和交流阻抗技术对合成材料的物相、形貌和离子导电性进行表征.结果表明:900℃条件下合成了纯相LATP,颗粒大小均匀,900℃下烧结4h,得到的烧结片致密,离子电导率达3.07 ×10-4S/cm.  相似文献   
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