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直接扣除法测量半导体光放大器频率响应 总被引:1,自引:0,他引:1
在光电子器件散射参量定义的基础上建立了基于直接扣除法的半导体光放大器频率响应测量系统,测量中通过扣除激光器和探测器系统的频率响应,得到放大器固有的频率响应。对InGaAsP体材料行波腔半导体光放大器样品进行了测量,得到了放大器在不同注入光功率和不同偏置电流下的频率响应曲线。这些曲线很好地反应了半导体光放大器的增益饱和和噪声特性,进一步分析发现半导体光放大器对低频调制信号的放大能力弱于对高频信号的放大能力,分析认为其原因在于半导体光放大器的载流子寿命有限导致低频信号长时间消耗载流子时,载流子数量无法及时恢复,从而使得增益降低。 相似文献
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研究了非线性双光子Jaynes-Cummings(J-C)模型系统中原子偶极矩高阶压缩的时间演化特性及其产生条件。结果表明,在弱场条件下,原子偶极矩色散或吸收分量的二阶和六阶量子涨落可被周期性压缩,非线性修正项或失谐量以及热噪声对压缩程度有显著的影响。 相似文献
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H-D曲线表明了照射量与底片光学密度之间的关系,是定量提取客体信息的基础。尽管实验上提出了许多测量“屏-片”的H—D曲线的方法,但这些方法所采用的实验布局与实际照相环境存在一定的差异。第一,许多实验采用的光源是单能源(如^60Co),没有体现底片系统对不同X射线能量的响应特性;第二,实验装置与实际照相模型存在比较大的差异,由于光子能谱和角分布以及散射的影响,测量的H-D曲线往往很难用到实际照相中;第三,也是更重要的一点是目前测量高能X射线照射量的仪器的测量误差较大, 相似文献