固相萃取高效液相色谱-质谱法测定动物组织中硝基呋喃代谢产物

研究了对动物组织中4种硝基呋喃类代谢产物AOZ、AMOZ、SEM和AHD的自动固相萃取HPLC-MS分析方法，分别以2-氯苯甲醛和2-硝基苯甲醛作为衍生化试剂，分别用AMOZ-d5、AOZ-d4作内标，用ENSPE柱进行提取，以乙腈-0．1％甲酸为流动相，采用梯度洗脱，可在15min内将4种代谢产物完全分离并进行测定。回收率为85％-90％；检出限可达0．5μg／kg。采用两种衍生化方法可获得较多的定性确证信息。采用本方法研究了硝基呋喃在鸡饲养过程中的残留规律。     

液相色谱/串联质谱线性组合法测定动物组织中硝基呋喃代谢产物

研究了对动物组织中4种硝基呋喃类代谢产物AMOZ、AHD、SEM、AOZ的同位素稀释HPLC—MS／MS线性组合分析方法,以2-基苯甲醛作为衍生化试剂,AMOZ—d5、AOZ-4作内标,用乙酸乙脂提取,用自制的净化试剂净化,以乙腈-0．1％甲酸为流动相,采用梯度洗脱,可适应不同种类的动物组织样品前处理,15min可将4种代谢产物完全分离并测定。提出了HPLC—MS／MS多重反应监测线性组合法的原理并进行了验证,回收率为85％-118％;定量限（LOQ）为0．1μg／kg;检出限（LOD）为0．03μg／kg。     

外围缩合四个1,10-啡啰啉单元的新氮杂酞菁的表面光伏响应及电场作用研究

通过电场诱导表面光电压谱确定外围缩合4个1,10-啡啉单元的氮杂酞菁为p型有机半导体,并对各个谱带进行合理的归属.结果发现,Soret带长波侧光电压曲线在电场作用下轻微蓝移,根据电场对高极化度n轨道基态的影响,将其归属为n-π^*     

含长丙烯序列无规乙丙共聚物的合成与表征

用δ-TiCl₃-Et₂AlCl催化剂,以庚烷作溶剂,在单体C₃含量>60mol%的情况下,乙丙常压共聚可得到含长丙烯序列无规乙丙共聚物(LP-EPR)。其特性粘数〔η〕在2—3dl/g之间。影响〔η〕的主要因素是〔Al〕/〔Ti〕比、聚合温度和时间。共聚物的组成主要依赖单体C₃含量。通过庚烷萃取、红外、扭摆、x-射线衍射及相差显微镜等方法证明,在共聚物的无规乙丙分子链中含有全同聚丙烯(PP)序列,序列含量直接影响共聚物的结晶度、强度和硬度。     

PPV-PDMeOPV共聚物发光性质的实验和理论研究

具有优良电致发光性能的有机聚合物材料的研制及其发光性能和应用的研究是９０年代新兴的高科技领域．聚对苯乙炔［Ｐｏｌｙ（ｐ－ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）,缩写为ＰＰＶ,又称聚苯撑乙烯］是这一领域最先研制出来的具有代表性的材料［１,２］．为改变ＰＰ...     

丙烯／长链α－烯烃共聚物的~（13）C—NMR和红外光谱法测定组成

丙烯／长链α－烯烃共聚物的~（１３）Ｃ—ＮＭＲ和红外光谱法测定组成陈辉，王建国，景凤英，庞德仁，黄葆同（中国科学院长春应用化学研究所，长春，１３００２２）关键词丙烯／长链α－烯烃共聚物，（１３）~Ｃ—ＮＭＲ，红外光谱法，组成测定聚丙烯（ＰＰ）作为通用塑...     

氢化物发生-原子荧光光谱法测定中草药中的微量铅

采用水煎煮法提取中草药,HNO3-H2O2密闭消解体系消解样品,应用氢化物发生-原子荧光光谱法测定中草药及其提取液中的微量铅;优化了仪器工作及实验条件,荧光强度与Pb质量浓度在0.49～400 μg/L范围内呈线性关系,相关系数:0.9996,检出限:0.49 μg/L;发现部分提取液中Pb量比原中草药样品中Pb量有明显降低.     

固相萃取/在线衍生化/气质联用技术测定复合食品包装袋中的二氨基甲苯

建立了固相萃取、七氟丁酸酐在线衍生、气相色谱_质谱联用仪(电子轰击电离源)测定二氨基甲苯的方法.实验选择了最佳的衍生化试剂,并对其用量、衍生化时间进行了考察.另外还选择了合适的pH、固相萃取柱填料的用量等.该方法对二氨基甲苯的检测限为0.1μg/L,回收率在80.4%～99.1%之间.     

新型可溶性酞菁的合成和光致发光及电致发光性质

以3(4)-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料, 经过两步反应合成了α(β)-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌, 通过谱学方法和元素分析表征了其结构. 比较研究其溶液和旋涂膜的紫外可见光谱、光致发光光谱和固体薄片的光致发光光谱. 并以其旋涂膜为发光层制备了电致发光器件, 研究其电致发光性质. 结果表明, 固态酞菁材料与其溶液的荧光发射波长相比均向长波方向移动了145 nm以上, 而且都有不同程度的宽展. 在固态下β-位取代酞菁荧光发射波长红移的程度比α-位取代酞菁大. 电致发光光谱的发射波长和其旋涂膜的光致发光光谱的发射波长基本一致, 大约在856和862 nm左右. 在固态下酞菁分子排列紧密, 分子间相互作用增强导致了荧光发射波长的巨大红移.     

声表面波器件用〈110〉取向ZnO薄膜的MOCVD生长

Zn O是具有纤锌矿晶体结构的多功能半导体材料 ,它具有 3 .3 7e V的禁带宽度和高达 60 me V的激子束缚能 ,是很有希望的紫外发光材料 .由于具有 c轴的择优取向性 ,因此目前人们的注意力主要集中在对 c轴取向 Zn O薄膜的特性研究上 [1～ 3] .但其它取向的 Zn O薄膜也可在某些衬底的特定面上 ,通过特定的条件进行生长 ,如〈1 1 0〉取向的 Zn O薄膜可在特定的条件下生长在蓝宝石 R面衬底上[4～ 7] .由于 (1 1 0 )面的 Zn O薄膜具有一些 c轴取向薄膜所不具备或无法比拟的特性 ,如 :机电耦合系数高达6% (C面薄膜的机电耦合系数却不足 1 % )…