Three-Body Recombination of Cold 3He–3He–T- System

The atom-atom-anion three-body recombination(TBR) and collision induced dissociation(CID) processes of the ³He–³He–T^- system at ultracold temperatures are investigated by solving the Schr¨odinger equation in the adiabatic hyperspherical representation. The variations of the TBR and CID rates with the collision energies in the ultracold temperatures are obtained. It is found that the J^Π= 1^- symmetry dominates the TBR and CID processes in most...     

巧用Wannier函数分析局域坐标系下的晶体场劈裂

平面波和Wannier函数是固体电子结构的两种常用基组,灵活变换基组和坐标系可以方便理解晶体的电子结构.本文以铁磁半导体单层CrI₃为例,通过最大局域化Wannier函数方法把平面波基组变换到局域坐标系下的Wannier基组,并在八面体局域坐标系下清楚地讨论单层CrI₃的晶体场劈裂,阐明了体系电子结构和磁性.论文让学生加深了对不同基组概念的理解,并增强了其解决实际问题的能力.     

基于Terminal滑模的有限时间混沌同步实现

提出了混沌同步有限时间实现问题，将Terminal滑模控制技术与混沌同步问题相结合，把同步问题视为响应系统的跟踪问题，给出了由线性滑模函数引入非线性项构造Terminal滑模面的充分条件，以及相应Terminal滑模控制器.以主从Duffing系统为例研究验证同步策略的可行性和有效性. 关键词： Terminal滑模 混沌同步 Duffing系统     

R600a喷雾冷却系统换热过程

以R600a压力式封闭系统喷雾冷却过程为研究对象,对其换热过程进行分析。对液滴撞击热面后的状态进行建模,分析了其运动状态。通过忽略液膜的对流换热,引入韦伯数来简化并修正雾滴与热源表面的对流换热系数关联式;借鉴二次成核理论,通过单位时间内,单位面积上覆盖的雾滴数量对核态沸腾换热系数关联式修正。通过上述分析,以对流换热和核态沸腾换热两种机理为中心,建立了新的换热系数关联式。通过与其他文献的关联式、实验测量值进行比较、不同工质进行比较、不同实验系统比较,发现该式预测值和实验测量值偏差在±20%以内,能够很好地预测压力式封闭系统喷雾冷却过程的换热系数。     

反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究

运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀（RIE）ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制， 观察到0.25 ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功 率下的THz辐射强度，发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性，晶体的电光系 数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数，分析了 随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象. 关键词： THz辐射 反应离子刻蚀 ZnTe     

稀土元素荧光增强效应的研究─RE对Eu－苯甲酰三氟丙酮－溴化十六烷基三甲基铵体系的荧光增强

本文详细研究了稀土元素Ｌａ３＋、Ｇｄ３＋、Ｔｂ３＋、Ｌｕ３＋、Ｙ３＋及Ｓｃ３＋对铕苯甲酰二氟丙酮（ＢＴＡ）－阳离子表面活性剂体系的荧光增强效应。结果表明，在上述增强离子的分别存在下，体系的荧光强度分别增加１７、７５、６５、５、５５和１８倍，铕浓度在１．０×１０－１０－８．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ范围内与荧光强度成线性关系，最低检出限为１．０×１０－１１ｍｏｌ／Ｌ利用标准加入法测定了混合稀土氧化物中的铕，结果满意。     

光纤模式混合器在差分吸收光谱系统中的应用研究

差分吸收光谱技术(DOAS)已经发展为监测对流层痕量气体的重要技术，一般采用光电倍增管(PMT)作为探测器.由于光电二极管阵列(PDA)在多道探测及像元灵敏性方面的优势，采用PDA代替扫描探测装置将能改善系统剩余噪声，提高系统性能.但实际应用中由于使用收发一体Cassegrain望远镜造成灯谱与大气谱结构不统一，在消除PDA像元间差异的过程中给系统带来误差，从而导致剩余噪声的标准偏差达到1.4×10^-3.根据光纤扰模原理在系统中加入自制光纤模式混合器很好的解决了上述难题，在实际应用中起到良好的作用，系统剩余噪声的标准偏差为3.4×10^-4. 关键词： 差分吸收光谱 扰模 模式混合器 剩余噪声     

AlGaN-Based Solar-Blind Schottky Photodetectors Fabricated on AlN/Sapphire Template

We report AlGaN-based back-illuminated solar-blind Schottky-type ultraviolet photodetectors with the cutoff- wavelength from 280nm to 292nm without bias. The devices show low dark current of 2.1× 10^-6A/cm^2 at the reverse bias of 5 V. The specific detectivity D＊ is estimated to be 3.3 × 10^12cmHz^1/2 W^-1 . To guarantee the performance of the photodetectors, the optimization of AlGaN growth and annealing condition for Schottky contacts were performed. The results show that high-temperature annealing method for Ni/Pt Schottky contacts is effective for the reduction of leakage current.     

染料分子吸附在正、负电性纳米银上的荧光增强及荧光猝死现象

制备了两种不同表面电性的胶态纳米银，选取阴离子型染料分子荧光素钠、既有阴离子基团又有阳离子的染料分子罗丹明B，研究其在两种纳米银表面的荧光增强及荧光猝死现象，当罗丹明B（RhB）分子分别吸附在这两种纳米银上时，对负电性纳米银，观察到荧光猝死、荧光峰红移现象，且在分子的浓度适当时，加入KBr可获得较强的表面增强拉曼光谱：在正电性纳米银上，当分子的浓度较大时观察到荧光猝灭，当分子的浓度较小时观察到荧光增强，而当荧光素钠分子（FS）分别吸附在这两种纳米银上时，在负电性纳米银，观察到荧光猝死；在正电性纳米银上观察荧光急剧增强现象，从分子的结构及纳米银表面局域场增强或无辐射通道的增加对增强和猝灭的原因作了讨论。