DYNAMICS OF PLANAR RELATIVISTIC DOMAIN WALLS

The dynamics of planar relativistic domain walls is investigated with the help of a new method proposed by Arodz and Larsen. Two solutions are found: one is a steady state domain wall, the other is a nonstationary domain wall. They move with the same constant velocity in the laboratory frame coordinates. When the velocity approaches light velocity c, the "width" of the nonstationary wall inflates very slowly. These domain walls can disappear again soon after their creation in the early universe by moving away from our visible universe. So they would not dominate the universe completely, but keep the observed universe approximately isotropic and homogeneous.     

酸性和碱性介质中甘氨解离吸附和氧化的EQCM研究

用电化学石英晶体微天平（EQCM）研究酸性和碱性介质中甘氨酸在Pt电极上的吸附和氧化过程，结果表明，甘氨酸的解离吸附和氧化行为与溶液的酸碱性密切相关，酸性溶液中甘氨酸吸附软弱，碱性溶液中则产生强吸附物，且当电位低于0V（vs.SCE)时可吸附于Pt电极表面，此外，碱性溶液中甘氨酸还表现出较高的电氧化活性，通过EQCM定量检测上述过程中Pt电极电极表面的质量变化，测定了不同电位区间（氢区、双电层区和氧区）每传递一个电子所对应的电极表面吸附物的平均摩尔质量。     

若干简单Plakoric acid类似物的合成及体外抗疟活性

Several simple analogues of peroxyplakoric acid were synthesized by using Kobayashi＇s method to construct the key 1,2-dioxane core and tested in vitro for antimalarial activity. The scope and limitation of the method was also briefly examined.     

半序约束下多维正态总体均值和协方差阵的最大似然估计

对给定K个P维正态总体,未知均值和协方差阵分别为θi和Λi,i=1,2,…,k,本文考虑均值和协方差阵之间都在一个简单半序约束θ1≤θ2≤…≤θk,Λ1≥Λ2≥…≥Λk>0条件下的估计问题.讨论θi和Λi的最大似然估计的性质,并给出一个求解的迭代方法.     

掺Fe2O3的ZnO压敏性能

在一定成型压力和烧结温度下掺杂浓度对掺Fe2O3的ZnO陶瓷的致密度和压敏性能的影响研究.得到以下结果:(1)在1 000 ℃,ZnO与Fe2O3固相反应生成ZnFe2O4,在1 200 ℃ZnO陶瓷完全致密化;(2)在优化工艺参数后,研究了在ZnO中掺杂不同浓度的Fe2O3 的电阻率,只有在一定电阻率范围内才具有压敏效应.随Fe2O3掺杂含量升高,电阻率在0.1%at达到极大值,而后降低,在2%at以后电阻率急剧升高,压敏效应增大,在4%at时阈值电压为92伏,非线性最好.过高的掺杂浓度(>5%at)导致绝缘相厚度过大而没有压敏效应;(3)Fe2O3掺4%at后,烧结温度超过1 200 ℃时,由于ZnFe2O4相分解产生载流子浓度增大使电阻率下降.     

比较反三角函数值大小的常用方法

有关两个或两个以上反三角函数值的大小比较问题 ,是“反三角函数”这一部分的重点和难点 .本文给出的六种方法 ,基本上能解决这类问题 .1　利用单调性比较同名的反三角函数值大小 ,可根据单调性直接作出判断 .例 1　试比较ａｒｃｔｇ(ｓｉｎ4π5)与ａｒｃｔｇ(ｓｉｎ3π5)的大小 .解　∵ｙ =ｓｉｎｘ在 ( π2 ,π)上为减函数 ,∴ 0 >ｓｉｎ3π5>ｓｉｎ4π5>- 1.又ｙ =ａｒｃｔｇｘ在 ( -∞ , ∞ )上为增函数 ,∴ａｒｃｔｇ(ｓｉｎ3π5) >ａｒｃｔｇ(ｓｉｎ4π5) .2　估算法比较异名的反三角函数值的大小 ,有时只需依据各个反三角函数的定义…     

电子与类铍N3+和O4+离子碰撞激发截面的相对论扭曲波计算

采用全相对论扭曲波方法,系统地计算了类铍N3+和 O4+离子从基态到2s2p和2p2 的各激发态以及从亚稳态到2p2各激发态的电子碰撞激发截面,详细地讨论了靶态的关联效应对激发截面的影响.结果表明:对于2s-2p的单电子激发,在低能碰撞时,靶态的电子关联效应起非常重要的作用,且使得激发截面降低;而高能碰撞时,靶态波函数的描述对连续态波函数的影响比较小,对激发截面影响也比较小.对于2s2-2p2的双电子激发,其中基态2s2 1 S0到J=0的2p2 3 P0,1S0的激发截面较大,其主要原因是末离子态波函数与基组态波函数的混合,但是其他几个激发的激发截面较小.     

测光板转速的简易方法

目前发波水槽演示实验中 ,关于遮光板的转速是这样确定的 :将涂黑的遮光板分成 4个环 ,每个环内分别绘制 5mm宽的 4条白线 ,如图 1所示 ,2 ,3,4环内的白线均分它的圆环 .用 8W日光灯照亮转动着的遮光板 ,同时调节遮光板电机的电源 ,当观察到 1环内的白线稳定时 ,电动机的转速是 10 0 r· s-1,当 2 ,3,4环内的白线稳定时 ,转速分别为 50 r·s-1,33.8r·s-1和 2 5r· s-1.经多次实践 ,发现这种测量方法有以下不足之处 :一是比较繁琐 ,二是只能测以上 4种转速 ,有较大局限性 .经实践我们找到了这样一种简易的测光板转速的方法 :在涂黑的光板上…     

电化学法制备部分还原氧化石墨烯薄膜及其光电性能

提供了一种快速制备氧化石墨烯(GO)薄膜的方法, 并通过调节GO薄膜的含氧量来调控其能级结构.采用阳极电泳及阴极电化学还原联用的方法在F掺杂SnO₂(FTO)导电玻璃上制备出不同层数及含氧量的GO薄膜, 并通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见(UV-Vis)光谱、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱及电化学分析对样品进行表征. 用20-350 s 不同时间电泳沉积得到层数约为77-570层的GO薄膜. 经过不同时间阴极还原的GO薄膜的禁带宽度为1.0-2.7 eV, 其导带位置及费米能级也随之改变. GO作为p型半导体, 与FTO导电膜之间会形成p-n 结, 在光强为100 mW·cm^-2的模拟太阳光照射下, 电泳300 s 且电化学还原120 s时GO薄膜阳极光电流密度达到5.25×10^-8 A·cm^-2.