AlN纳米线宏观阵列的制备

借助二次模板法成功的合成了AlN纳米线宏观阵列,并进行了表征.主要研究CVD法制备有一定取向,直径均匀的AlN纳米线宏观阵列的过程.通过气相沉积法和利用PS球自组装模板制备了金属纳米颗粒模板;再以模板上的金属纳米颗粒作为催化剂,利用化学气相沉积在模板上合成AlN纳米线宏观阵列.借助SEM,TEM观察所得样品,AlN纳米线阵列面积约为0.3 mm×0.2 mm,直径和长度分布均匀,平均直径约为41 nm,平均长度为1.8 μm左右,分散密度和覆盖率大的六角结构AlN纳米线宏观阵列.得到了可控制备AlN纳米线 关键词： AlN纳米线阵列 模板法 CVD法 SEM     

基于改进的主动控制法实现混沌系统广义投影同步

通过引进特殊矩阵构造并基于Lyapunov稳定性理论,提出了一种改进的主动控制法来实现混沌系统的广义投影同步.改进后的主动控制不依赖于罗斯-霍维兹判据,与未改进的主动控制相比,简化了相关运算步骤和复杂度.通过对混沌能源系统和Nuclear Spin Generator系统的研究,并与其他同步方法进行比较,说明了该方法具有简单,直观,稳健,高效等优点,且对混沌系统的自结构和异结构广义投影同步均适用.数值模拟的结果进一步表明了该方法的有效性和理论分析的正确性. 关键词： 改进的主动控制 广义投影同步 特殊矩阵构造     

ZnS衬底表面亚波长增透结构的设计及制备

ZnS是长波红外窗口优选材料之一,而其表面反射率较高;为了减小表面反射,利用耦合波理论,对ZnS衬底表面的亚波长结构参数进行优化设计,得到了具有良好增透效果的最佳亚波长结构参数;并利用掩膜光刻、反应离子刻蚀技术在ZnS衬底表面制备出在8—12 μm波段范围内有明显增透效果的二维亚波长结构,这为ZnS衬底的增透提供了一种新的方法. 关键词： 耦合波理论 表面亚波长增透结构 反应离子刻蚀 硫化锌     

CO电子基态P线系跃迁谱线的理论研究

基于微分的思想,结合经典的双原子分子跃迁谱线表达式,提出了预言双原子分子P线系高激发振-转跃迁谱线的新解析物理公式.对于某分子电子体系的某一P支跃迁带,利用实验上获得的一组(15条)精确的跃迁谱线和该跃迁带对应的上下振动态的转动常数(B_υ',B_υ″)的精确数据,该公式不仅可以精确地重复已知的实验跃迁谱线,而且还能预测出实验上难以获得的更高激发态的跃迁谱线数据.利用该公式,研究了CO分子电子基态的(2,0)振-转跃迁带的< 关键词： 双原子分子 发射光谱 P线系')" href="#">P线系 CO     

分子动力学模拟压水反应堆中联氨对水的影响

本文采用分子动力学方法模拟在常温常压下(1 atm,298 K)和在压水堆环境下(155 atm,626 K),水分子数为256,联氨(N₂H₄)分子数为0,25,50,75等不同数目时,水和联氨粒子系统的动力性质和微观结构.同时探讨了联氨分子的引入对水中溶解氧的影响.从模拟结果可知,在常温常压下,当联氨的分子数为0,25,50,75时,粒子系统的均方位移会随联氨分子数的增加而增加;联氨分子数为0与为25,50,75比较时会少一个数量级;压水堆环境下,联氨分子数 关键词： 分子动力学 压水堆 联氨     

Bi2Te3-xSex(x≤3)同晶化合物电子结构的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理全势能线性缀加平面波方法(FLAPW),分析了Bi₂Te_3-xSe_x体系中各原子自旋轨道耦合(SOI)的p_1/2修正对体系性质的影响,并对Bi₂Te_3-xSe_x(x≤3)同晶化合物的电子特性进行系统的理论研究,首次计算出Bi₂S 关键词： 2Te_3-xSe_x(x≤3)同晶化合物')" href="#">Bi₂Te_3-xSe_x(x≤3)同晶化合物 第一性原理 电子结构 自旋轨道耦合     

有效猜想的实施策略

探究课上,猜想有着很强的生成性,然而教学有着明确的目标导向,学生的动态生成和探究教学的有序进程一致,理应成为探究课的追求,为此离不开教师课前精心、充分的预设,课内巧妙、智慧的调控.本文拟就猜想的教学,谈谈自身的见解,不妥处,敬请批评指正.1巧设情景支持猜想     

静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究

本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究Altera SRAM型FPGA器件⁶⁰Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应.实验结果表明:由于场氧漏电和结构漏电的影响,随着累积剂量的增加输出波形发生畸变,峰峰值变为原来的十分之一左右,但输出波形还有相对的高低电平;同时,输出高电平不能保持原有的状态,迅速地向低电平转换,并且转换速度随着累积剂量的增加而加快,输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄,输出波形 关键词： 60Coγ')" href="#">⁶⁰Coγ 总剂量辐射损伤效应 SRAM型FPGA CMOS单元     

BOUNDED TRAVELING WAVE SOLUTIONS OF VARIANT BOUSSINESQ EQUATION WITH A DISSIPATION TERM AND DISSIPATION EFFECT

This article studies bounded traveling wave solutions of variant Boussinesq equation with a dissipation term and dissipation effect on them. Firstly, we make qualitative analysis to the bounded traveling wave solutions for the above equation by the theory and method of planar dynamical systems, and obtain their existent conditions, number, and general shape. Secondly, we investigate the dissipation effect on the shape evolution of bounded traveling wave solutions. We find out a critical value r*which can characterize the scale of dissipation effect, and prove that the bounded traveling wave solutions appear as kink profile waves if |r| ≥ r*; while they appear as damped oscillatory waves if |r| r*. We also obtain kink profile solitary wave solutions with and without dissipation effect. On the basis of the above discussion, we sensibly design the structure of the approximate damped oscillatory solutions according to the orbits evolution relation corresponding to the component u(ξ) in the global phase portraits, and then obtain the approximate solutions(u(ξ), H(ξ)). Furthermore,by using homogenization principle, we give their error estimates by establishing the integral equation which reflects the relation between exact and approximate solutions. Finally, we discuss the dissipation effect on the amplitude, frequency, and energy decay of the bounded traveling wave solutions.