成年口吃者流畅朗读中塞音的声学分析

研究对成年口吃者在流畅朗读过程中的塞音进行了声学分析,测量了嗓音起始时间并且计算了塞音爆破时刻的频谱矩,并将口吃者在言语矫治前后与非口吃者进行了对比。多因素方差分析结果显示,口吃者嗓音起始时间虽稍长于非口吃者但未达到统计意义上的显著性差异水平,而且受发音部位和韵母的影响程度较大。同时还观察到矫治前口吃者和非口吃者在塞音爆破段的频谱均值呈现出显著性差异,口吃者频谱均值低于非口吃者可能是由于口吃者舌与齿龈或软硬腭形成阻塞的部位在声道中偏后所导致,还发现口吃者韵母对塞音爆破段频谱的影响较小,此结果表明口吃者表现出相对较弱的协同发音现象。口吃者经过言语矫治后塞音的嗓音起始时间和爆破段频谱有向非口吃者逼近的趋势。      

新型离子液体基质用于MALDI-MS高效离子化寡糖/糖肽

本研究发展了四种基于三羟基苯乙酮(THAP)的新型离子液体基质, 即2',3',4'-THAP/二甲基苯胺(DMA)、2',4',6'-THAP/DMA、2',3',4'-THAP/吡啶(Py)及2',4',6'-THAP/Py, 用于提高寡糖/糖肽在MALDI-TOF MS中的离子化效率. 与传统的固体基质2,5-二羟基苯甲酸(DHB)和2',4',6'-三羟基苯乙酮(2',4',6'-THAP)相比, 新型离子液体体系分析不同类型的寡糖链, 均可获得更高的检测灵敏度. 可使葡聚糖(dextran 1000)和环状寡聚糖β-环糊精在MALDI质谱中的信噪比提高10倍以上, RNase B的复杂寡糖链也实现了高灵敏度的检测. 在糖肽分析中, 2',3',4'-THAP/DMA离子液体高灵敏度地检测到辣根过氧化酶的7条糖肽, 而2',3',4'-THAP作为基质时却无法检测到任何信号.     

桥连双(酮亚胺)和双(二酮亚胺)及其铝配合物的合成与催化活性

通过桥连双β-二酮类化合物与取代苯胺反应, 合成了5个新的桥连双(β-单酮亚胺)化合物(1~5)和2个新的桥连双(β-二酮亚胺)化合物(6,7), 它们与三甲基铝反应, 得到了相应的3个双(β-酮亚胺基)二铝配合物(8~10)和2个双(β-二酮亚胺基)二铝配合物(11,12). 采用核磁共振、 红外光谱和质谱等对这些化合物进行了表征, 通过X射线单晶衍射分析证实了铝配合物的结构, 并考察了这些铝配合物在ε-己内酯开环聚合反应中的催化活性.     

Raman and mid-infrared spectroscopic study of geometrically frustrated hydroxyl cobalt halides at room temperature

Mid-infrared absorption and Raman spectra of the geometrically frustrated material series,hydroxyl cobalt halides β-Co 2 (OH) 3 Cl and β-Co 2 (OH) 3 Br,are first,to the best of our knowledge,measured at room temperature,to study the corresponding relationship between their vibrational spectral properties and crystal microstructures.Through the comparative analysis of the four spectra we have categorically assigned the OH-related vibration modes of hydroxyl groups in the trimeric hydrogen bond environment (Co 3 ≡OH) 3… Cl/Br,and tentatively suggested vibration modes of O-Co-O,Co-O and Cl/Br-Co-Cl/Br units.These results can also become the basis for analysing their low-temperature spectral properties,which can help to understand the underlying physics of their exotic geometric frustration phenomena around phase transition temperatures.     

无辐射跃迁理论进展

在本文中,我们将介绍运用第一性原理计算包含非谐效应或势能面锥形交叉情况下内转换速率的最新工作。我们同时计算了包含非谐效应的分子吸收和发射光谱,以检验量子化学方法计算得到势能面的准确性。势能面的锥形交叉对内转换过程的影响是学界广泛关注的焦点。本文将介绍如何在内转换速率计算的过程中考虑势能面锥形交叉的影响,并将之运用于吡嗪分子。本文运用绝热近似理论处理了另外一个重要的无辐射过程,分子的振动驰豫过程,并将这个理论应用于水二聚体和苯胺的振动弛豫速率的计算。     

Effect of Mg-Preflow for p-AlGaN Electron Blocking Layer on the Electroluminescence of Green LEDs with V-Shaped Pits

In GaN-based green light-emitting diodes(LEDs) with and without Mg-preflow before the growth of p-Al GaN electron blocking layer(EBL) are investigated experimentally.A higher Mg doping concentration is achieved in the EBL after Mg-preflow treatment,effectively alleviating the commonly observed efficiency collapse and electrons overflowing at cryogenic temperatures.However,unexpected decline in quantum efficiency is observed after Mg-preflow treatment at room temperature.Our conclusions are drawn such that the efficiency decline is probably the result of different emission positions.Higher Mg doping concentration in the EBL after Mg-preflow treatment will make it easier for a hole to be injected into multiple quantum wells with emission closer to pGaN side through the(8-plane rather than the V-shape pits,which is not favorable to luminous efficiency due to the preferred occurrence of accumulated strain relaxation and structural defects in upper QWs closer to p-GaN.Within this framework,apparently disparate experimental observations regarding electroluminescence properties,in this work,are well reconciled.     

量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响

采用MOCVD技术在图形化硅衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱黄光LED外延材料,研究了不同的量子阱生长气压对黄光LED光电性能的影响。使用高分辨率X射线衍射仪（HRXRD）和荧光显微镜（FL）对晶体质量进行了表征,使用电致发光系统积分球测试对光电性能进行了表征。结果表明：随着气压升高,In的并入量略有降低且均匀性更好,量子阱中的点缺陷数目降低,但是阱垒间界面质量有所下降。在实验选取的4个气压4,6.65,10,13.3 kPa下,外量子效率最大值随着量子阱生长气压的上升而显著升高,分别为16.60%、23.07%、26.40%、27.66%,但是13.3 kPa下生长的样品在大电流下EQE随电流droop效应有所加剧,在20 A·cm^-2的工作电流下,样品A、B、C、D的EQE分别为16.60%、19.77%、20.03%、19.45%,10 kPa下生长的量子阱的整体光电性能最好。     

δ-(Zn,Cr)S(111)表面上的Dzyaloshinsky-Moriya作用:第一性原理计算

根据密度泛函理论的第一性原理计算了具有非中心反演对称的异质结δ-(Zn,Cr)S(111)体系的原子结构和电子结构.Cr原子之间通过第一层S原子传递磁性相互作用.结合广义布洛赫条件,又进一步计算了反方向的自旋螺旋能量与波矢的色散关系E(q)与E(-q).E(q)与E(-q)能量之差反映了δ-(Zn,Cr)S(111)的S层与Cr层之间空间反演对称性破缺引起的DMI的大小.通过海森伯相互作用(HBI)模型与Dzyaloshinsky-Moriya作用(DMI)模型拟合第一性原理计算值,得到了Cr原子间各近邻的HBI参数J_1-J_4与DMI参数d-_1,d_2.在δ-(Zn,Cr)S(111)中,Cr原子间的耦合为M型反铁磁.DMI参数d_1为-0.53 meV,为顺时针手性DMI,在δ-(Zn,Cr)S(111)界面上有可能会产生斯格明子.本文计算表明,磁性和非磁性半导体界面有可能存在DMI,为理论研究和磁存储技术的进步开拓一个新的方向.     

薄层稠油藏溶剂辅助蒸汽驱产量预测模型

通过分析生产数据和数值模拟结果,将薄层稠油油藏溶剂辅助蒸汽驱生产过程分为蒸汽前缘垂向扩展阶段、蒸汽前缘水平扩展阶段及冷凝水产出阶段.针对每个生产阶段,通过联合质量守恒方程、运动方程、能量守恒方程及溶剂扩散方程得到描述蒸汽前缘扩展和产油量解析模型.能量守恒方程属于典型的第二类Volterra 积分函数,首先对其进行Laplace变换;之后运用半解析方法对该模型进行求解.为验证模型的正确性,将模型的溶剂辅助蒸汽驱计算结果与数值模拟结果对比,整体误差仅为4%.新模型可以方便简单地分析不同溶剂性能和注采参数对溶剂蒸汽驱开发效果的影响.     

AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响

利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层厚度的增加,GaN外延膜(002)面与(102)面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽明显变小,晶体质量变好,同时外延膜在放置过程中所产生的裂纹密度逐渐减小直至不产生裂纹。原因在于AlN插入层的厚度对GaN成核层的生长模式有明显影响,较厚的AlN插入层使GaN成核层倾向于岛状生长,造成后续生长的nGaN外延膜具有更多的侧向外延成分,从而降低了GaN外延膜中的位错密度,减少了GaN外延膜中的残余张应力。同时还提出了一种利用荧光显微镜观察黄带发光形貌来表征GaN成核层形貌和生长模式的新方法。