丹皮酚在APTS与离子液体复合修饰碳糊电极上的电化学性质及电分析方法

研究了丹皮酚(PN)在3-氨基丙基三氧基硅烷(APTS)与离子液体([BnMIM]PF6)复合修饰碳糊电极(APTS-[BnMIM]PF6/CPE)上的电化学行为和电化学动力学性质,并用循环伏安法(CV)及计时电流法(CA)测得PN在APTS-[BnMIM]PF6/CPE上的电极反应动力学参数。实验结果表明,PN在APTS-[BnMIM]PF6/CPE上发生了受扩散控制的不可逆电化学氧化过程。用方波伏安法(SWV)测得PN氧化峰电流与其浓度在9.0×10-7~2.0×10-4mol·L-1和3.0×10-4~1.5×10-3mol·L-1范围内呈良好线性关系,检出限(LOD,S/N=3)和定量下限(LOQ,S/N=10)分别为3.5×10-8mol·L-1和1.2×10-7mol·L-1。同时运用该方法对丹皮酚注射液中PN含量进行了电化学定量测定,其RSD为0.58%~2.4%,加标回收率为96.0%~102.0%。     

丹皮酚在APTS与离子液体复合修饰碳糊电极上的电化学性质及电分析方法

研究了丹皮酚(PN)在3-氨基丙基三氧基硅烷(APTS)与离子液体(［BnMIM］PF6)复合修饰碳糊电极(APTS-［BnMIM］PF6/CPE)上的电化学行为和电化学动力学性质,并用循环伏安法(CV)及计时电流法(CA)测得PN在APTS-［BnMIM］PF6/CPE上的电极反应动力学参数。实验结果表明,PN在APTS-［BnMIM］PF6/CPE上发生了受扩散控制的不可逆电化学氧化过程。用方波伏安法(SWV)测得PN氧化峰电流与其浓度在9.0×10-7~2.0×10-4 mol?L-1和3.0×10-4~1.5×10-3 mol?L-1范围内呈良好线性关系,检出限(LOD,S/N=3)和定量下限(LOQ,S/N=10)分别为3.5×10-8 mol?L-1和1.2×10-7 mol?L-1。同时运用该方法对丹皮酚注射液中PN含量进行了电化学定量测定,其RSD为0.58%~2.4%,加标回收率为96.0%~102.0%。     

美洛昔康在乙炔黑与离子液体复合修饰碳糊电极上的电化学性质及电分析方法

运用电化学方法研究了美洛昔康(Meloxicam,MLX)在乙炔黑(Acetylene black,AB)与离子液体(1-苄基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐,[Bn MIM]PF6)复合修饰碳糊电极(AB-[Bn MIM]PF6/CPE)上的电化学行为。实验结果表明,AB-[Bn MIM]PF6/CPE对MLX电化学氧化具有良好的促进作用。测定了MLX在此电极上的电极反应动力学参数,用SWV法测得MLX氧化峰电流与其浓度在6.0×10-7~1.0×10-5mol·L-1及1.0×10-5~1.0×10-4mol·L-1范围内呈良好线性关系,线性拟合方程分别为Ip(μA)=7.607+1 608 C(mmol·L-1),r=0.993 4和Ip(μA)=20.68+267.6 C(mmol·L-1),r=0.997 9,检出限(LOD,S/N=3)为2.2×10-8mol·L-1。同时运用该方法对市售片剂中MLX含量进行了电化学测定,RSD为1.2%~3.0%,加标回收率为96.2%~100.1%。     

碳氢氧体系低压金刚石非平衡定态系列相图

在碳氢体系金刚石薄膜制备取得巨大成功的同时，人们开始寻找新的原料气体来制备金刚石以改善薄膜的质量和试图降低金刚石薄膜的淀积温度并提高淀积速率。首先被人们采用的是一些含氧的化合物和氢气的混合气体作原料制备金刚石，少量氧的存在不仅改善了金刚石薄膜的质量，...     

双物理摆的混沌分析

为了给一种新型振动机的参数设计提供理论依据,将其抽象为双物理摆的力学、数学模型.借助Matlab软件对其振动系统发生的动力学特性进行仿真分析,得到了在给定参数a=0.01,b=0.0218,r=0.04,m1=2.16,m2=3.2,fv=0.1772,Jb=3.4798×10-3下的力学行为的五个混沌特征.     

薄透镜焦距测量方法的对称性研究

介绍了在薄透镜焦距测量方法对称性研究中的思考及取得的进展。     

Characterization of Al2O3 Thin Films on GaAs Substrate Grown by Atomic Layer Deposition

Al2O3 thin films are grown by atomic layer deposition on GaAs substrates at 300℃. The structural properties of the Al2O3 thin film and the Al2O3/GaAs interface are characterized using x-ray diffraction （XRD）, high- resolution transmission electron microscopy （HRTEM）, and x-ray photoelectron spectroscopy （XPS）. The XRD results show that the as-deposited Al2O3 film is amorphous. For 30 atomic layer deposition growth cycles, the thicknesses of the Al2O3 thin film and the interface layer from the HRTEM are 3.3 nm and 0.Snm, respectively. XPS analyses reveal that the Al2O3/GaAs interface is almost free from As2O3.     

A Kind of Square Matrices and Its Qualities

ＡＫｉｎｄｏｆＳｑｕａｒｅＭａｔｒｉｃｅｓａｎｄＩｔｓＱｕａｌｉｔｉｅｓ￥ＷｅｉＺｏｎｇｌｉ（ＬｕｏｙａｎｇＴｅａｃｈｅｒｓＣｏｌｌｅｇｅ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｉｓｐｅｐｅｒｄｉｓｃｕｓｓｅｓａｋｉｎｄｏｆＳｑｕａｒｅｍａｔｒｉｃｅｓｗｈｉｃｓｉｓ...