金属-有机框架材料在光催化二氧化碳还原中的应用

CO₂的过度排放导致全球环境问题日益严重,如何将CO₂有效地利用起来成为全世界的研究热点。相比于高耗能的CO₂捕获和储存(CCS)技术,通过催化反应将CO₂转化为有价值的能源燃料是同时解决能源危机和环境问题的有效途径。其中,使用太阳能作为能量来源的光催化CO₂还原技术更具应用前景。但是目前CO₂光还原催化剂仍然存在很多缺点,如可见光响应能力低、光生电子空穴对复合严重、CO₂吸附量小、产物的选择性低以及在含水环境中的产氢竞争反应等。金属-有机框架(MOFs)是由金属离子/簇和有机配体构成的一类独特的多孔晶态材料,具有可调的多孔结构、电子迁移速度快、CO₂吸附量大等优点,在光催化CO₂还原领域具有广阔的应用潜力。现有方法主要是通过对MOFs的功能化修饰、与其他功能型材料复合等获得高效的光还原CO₂的催化性能。本文主要对近年来MOFs基CO₂光还原催化剂(单一MOFs、MOFs基复合材料以及MOFs衍生材料)的研究现状进行了分析和讨论,并对MOFs材料在光催化CO₂还原中的发展趋势进行了展望。     

吲达帕胺在SDBS现场自组装膜与[BnMIM]PF6复合修饰碳糊电极上的电化学性质及电分析方法研究

研究了吲达帕胺(IND)在表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)现场自组装膜与离子液体(1-苄基-3甲基咪唑六氟磷酸盐)复合修饰碳糊电极上的电催化氧化及电化学动力学性质。同时用计时库仑法、计时电流法测定IND在SDBS-[BnMIM]PF6/CPE上的电极反应动力学参数,并用方波伏安法(SWV)测定IND氧化峰电流(Ip)与其浓度在3.0×10-6~1.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,线性回归方程为Ip(μA)=1.504+414.061c(10-3mol/L),R=0.9994,检出限(S/N=3)为2.0×10-7mol/L,在此基础上用SWV法对市售的IND片剂中IND含量进行了电化学定量测定,RSD在1.0%~1.6%间,加标回收率在99.4%~103.2%之间。     

丹皮酚在APTS与离子液体复合修饰碳糊电极上的电化学性质及电分析方法

研究了丹皮酚(PN)在3-氨基丙基三氧基硅烷(APTS)与离子液体([BnMIM]PF6)复合修饰碳糊电极(APTS-[BnMIM]PF6/CPE)上的电化学行为和电化学动力学性质,并用循环伏安法(CV)及计时电流法(CA)测得PN在APTS-[BnMIM]PF6/CPE上的电极反应动力学参数。实验结果表明,PN在APTS-[BnMIM]PF6/CPE上发生了受扩散控制的不可逆电化学氧化过程。用方波伏安法(SWV)测得PN氧化峰电流与其浓度在9.0×10-7~2.0×10-4mol·L-1和3.0×10-4~1.5×10-3mol·L-1范围内呈良好线性关系,检出限(LOD,S/N=3)和定量下限(LOQ,S/N=10)分别为3.5×10-8mol·L-1和1.2×10-7mol·L-1。同时运用该方法对丹皮酚注射液中PN含量进行了电化学定量测定,其RSD为0.58%~2.4%,加标回收率为96.0%~102.0%。     

丹皮酚在APTS与离子液体复合修饰碳糊电极上的电化学性质及电分析方法

研究了丹皮酚(PN)在3-氨基丙基三氧基硅烷(APTS)与离子液体(［BnMIM］PF6)复合修饰碳糊电极(APTS-［BnMIM］PF6/CPE)上的电化学行为和电化学动力学性质,并用循环伏安法(CV)及计时电流法(CA)测得PN在APTS-［BnMIM］PF6/CPE上的电极反应动力学参数。实验结果表明,PN在APTS-［BnMIM］PF6/CPE上发生了受扩散控制的不可逆电化学氧化过程。用方波伏安法(SWV)测得PN氧化峰电流与其浓度在9.0×10-7~2.0×10-4 mol?L-1和3.0×10-4~1.5×10-3 mol?L-1范围内呈良好线性关系,检出限(LOD,S/N=3)和定量下限(LOQ,S/N=10)分别为3.5×10-8 mol?L-1和1.2×10-7 mol?L-1。同时运用该方法对丹皮酚注射液中PN含量进行了电化学定量测定,其RSD为0.58%~2.4%,加标回收率为96.0%~102.0%。     

美洛昔康在乙炔黑与离子液体复合修饰碳糊电极上的电化学性质及电分析方法

运用电化学方法研究了美洛昔康(Meloxicam,MLX)在乙炔黑(Acetylene black,AB)与离子液体(1-苄基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐,[Bn MIM]PF6)复合修饰碳糊电极(AB-[Bn MIM]PF6/CPE)上的电化学行为。实验结果表明,AB-[Bn MIM]PF6/CPE对MLX电化学氧化具有良好的促进作用。测定了MLX在此电极上的电极反应动力学参数,用SWV法测得MLX氧化峰电流与其浓度在6.0×10-7~1.0×10-5mol·L-1及1.0×10-5~1.0×10-4mol·L-1范围内呈良好线性关系,线性拟合方程分别为Ip(μA)=7.607+1 608 C(mmol·L-1),r=0.993 4和Ip(μA)=20.68+267.6 C(mmol·L-1),r=0.997 9,检出限(LOD,S/N=3)为2.2×10-8mol·L-1。同时运用该方法对市售片剂中MLX含量进行了电化学测定,RSD为1.2%~3.0%,加标回收率为96.2%~100.1%。     

碳氢氧体系低压金刚石非平衡定态系列相图

在碳氢体系金刚石薄膜制备取得巨大成功的同时，人们开始寻找新的原料气体来制备金刚石以改善薄膜的质量和试图降低金刚石薄膜的淀积温度并提高淀积速率。首先被人们采用的是一些含氧的化合物和氢气的混合气体作原料制备金刚石，少量氧的存在不仅改善了金刚石薄膜的质量，...     

双物理摆的混沌分析

为了给一种新型振动机的参数设计提供理论依据,将其抽象为双物理摆的力学、数学模型.借助Matlab软件对其振动系统发生的动力学特性进行仿真分析,得到了在给定参数a=0.01,b=0.0218,r=0.04,m1=2.16,m2=3.2,fv=0.1772,Jb=3.4798×10-3下的力学行为的五个混沌特征.     

薄透镜焦距测量方法的对称性研究

介绍了在薄透镜焦距测量方法对称性研究中的思考及取得的进展。     

Characterization of Al2O3 Thin Films on GaAs Substrate Grown by Atomic Layer Deposition

Al2O3 thin films are grown by atomic layer deposition on GaAs substrates at 300℃. The structural properties of the Al2O3 thin film and the Al2O3/GaAs interface are characterized using x-ray diffraction （XRD）, high- resolution transmission electron microscopy （HRTEM）, and x-ray photoelectron spectroscopy （XPS）. The XRD results show that the as-deposited Al2O3 film is amorphous. For 30 atomic layer deposition growth cycles, the thicknesses of the Al2O3 thin film and the interface layer from the HRTEM are 3.3 nm and 0.Snm, respectively. XPS analyses reveal that the Al2O3/GaAs interface is almost free from As2O3.