武威医用重离子加速器同步环的准直安装

武威医用重离子加速器是目前世界上最紧凑的重离子加速器治癌装置,同步环周长小至56.1 m,其中很多关键元件的安装定位精度要求达到亚毫米量级,四极透镜的定位精度要求0.1 mm。结合激光跟踪仪的特点和测量学知识通过三维控制网及多重坐标系的转换,探索了一种在元件自身坐标系下调节准直的方法,提高了准直安装的工作效率,使得最后所有的元件安装各向误差均控制在0.1 mm以内,其结果优于该装置的精度要求,使得同步环在短时间内顺利调束成功,从而验证了同步环准直测量的可靠性与准确性。Wuwei Heavy ion medical machine (HIMM) is the most compact accelerator facility for heavy ion therapy in the world,which has a circumference about 56.1 m.The alignment accuracy of many components of the machine should be submillimeter level.For example,the positioning accuracy of quadrupoles should be within 0.1 mm according to design target.With the combination of laser tracker and surveying knowledge,we develop a method that adjusts and collimates elements under the elements themselves coordinates via three-dimensional control network and the transformation of multiple coordinates to improve the efficiency of installation alignment.By this way,the deviation of each direction from all elements is under 0.1 mm and the result is better than the design target,which leads to the successful commission of Wuwei HIMM.Consequently,the feasibility of this method developed is verified.     

离子色谱在中草药成分分析中的应用

离子色谱是用于分离分析不同基质样品中离子性物质的一种新型高效液相色谱技术。自1975年发展至今,已被广泛应用于环境、能源、食品、医药等多个领域,具有操作简单、分析快速、灵敏度和选择性高,且能同时分离测定多种组分等优点。近年来,随着离子色谱技术自身迭代发展,可测定分析的样品种类已包括离子、糖类、氨基酸、有机酸(碱)等,同时离子色谱法也越来越成为针对中草药复杂组分中单个有效成分分析与鉴定的重要手段。本文介绍了离子色谱技术的不同类型、原理及研究进展,整理了近几十年离子色谱在中草药糖苷类、氨基酸、蛋白质、无机盐以及有机酸、生物碱类和黄酮类等复杂成分中的应用情况;检索文献发现,离子交换色谱、电导检测法为离子色谱中最常用的技术类型和检测方式,且目前离子色谱在生物碱类成分分析中的应用展现出较传统分析方法更好的优势,但在无机阴离子的形态分析和黄酮类、苯丙素类、甾体类等主要活性物质中的直接应用研究报道较少。最后,综述了离子色谱(联用)新技术及其在中草药中的最新进展,并对该色谱方法未来在复杂组分分离分析方面的应用进行了探讨和展望,为离子色谱技术分析中草药复杂化学成分的进一步发展提供理论参考。     

靶材对激光等离子体诱导靶上电势信号的影响

将高功率脉冲激光分别作用于Cu、Fe、Al三种金属靶材,通过实验测试激光等离子体在这三种金属靶上产生的电势信号,讨论了靶材料对电势信号的影响.实验结果表明：靶上电势信号早期阶段受靶材料的影响比较显著,早期信号峰值大小随靶材变化顺序依次为：IFe>ICu>IAl,而峰值到达时间依次为：tAl相似文献   

Nickel-disilicide-assisted excimer laser crystallization of amorphous silicon

Polycrystalline silicon (poly-Si) thin film has been prepared by means of nickel-disilicide (NiSi多晶硅 受激准分子激光器结晶 结晶化 界面晶粒生长polycrystalline silicon, excimer laser crystallization,Ni-disilicide, Ni-metal-induced lateral crystallization, two-interface grain growthProject supported by the National High Technology Development Program of China (Grant No 2002AA303250) and by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 60576056).9/7/2005 12:00:00 AM3/6/2006 12:00:00 AMPolycrystalline silicon （poly-Si） thin film has been prepared by means of nickel-disilicide （NiSi2） assisted excimer laser crystallization （ELC）. The process to prepare a sample includes two steps. One step consists of the formation of NiSi2 precipitates by heat-treating the dehydrogenated amorphous silicon （a-Si） coated with a thin layer of Ni. And the other step consists of the formation of poly-Si grains by means of ELC. According to the test results of scanning electron microscopy （SEM）, another grain growth model named two-interface grain growth has been proposed to contrast with the conventional Ni-metal-induced lateral crystallization （Ni-MILC） model and the ELC model. That is, an additional grain growth interface other than that in conventional ELC is formed, which consists of NiSi2 precipitates and a-Si. The processes for grain growth according to various excimer laser energy densities delivered to the a-Si film have been discussed. It is discovered that grains with needle shape and most of a uniform orientation are formed which grow up with NiSi2 precipitates as seeds. The reason for the formation of such grains which are different from that of Ni-MILC without migration of Ni atoms is not clear. Our model and analysis point out a method to prepare grains with needle shape and mostly of a uniform orientation. If such grains are utilized to make thin-film transistor, its characteristics may be improved.     

例说与连通器相关的功和能的问题

连通器问题是我们在实际中经常碰到又比较难的问题，笔者认为主要是抓住几个关键点：其一、属不属于连通器模型；其二、抓住液体体积不变；其三、大气对研究的系统做功代数和为零；其四、善于利用液体等效体积的方法来处理问题．下面通过几个例题来讨论说明．     

衬底温度对CaS∶TbF_3薄膜电致发光亮度的影响

利用Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜对不同衬底温度下电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究．通过对薄膜的透射率和漫反射率的测量研究了薄膜的致密性．Ｘ射线衍射表明衬底温度在２２０到５８０℃范围之间，电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜为多晶立方晶相．随着衬底温度的提高，ＣａＳ∶ＴｂＦ３薄膜的表面形貌发生显著的变化，薄膜的致密性增加，从而增加了电致发光亮度．     

第三届全国中学生数学冬令营试题及解答

把③代入上式,得信厅〕l即艺厅)l由④{‘为得玄 “1由柯西不等式中,⑤r卢二l当且仅当二二 赴一二::必一二时, 龟人 一一八一a,, 一一 一一。一。 一一n一al 第一天(1988年元月22日) ‘一、设“.,必,…,。。是给定的不全为。的实数,。,九,…,。是实数,如果不等式 。(x,一a:)+。(赴一。)+…+。(x,一a.) ‘丫二行+二孑+…+二孑一了。了+。了+…+。矛时任何实数x:,力,…,石成立,求。,。,…,。的值。 解:令x二0(i=l,2,…,n) 则一(。al+乃.+一+。a。) ‘一了“产+“孑+.二+。:等号成立. 故令.。二又。(k=。。,舀时①把上式代入③,得风艺 令x,户“:…     

热退火对ZnS:ErF3薄膜交流电致发光(ACEL)特性的影响

本文研究了退火温度以及退火时间的改变对ZnS:ErF3薄膜ACEL特性的影响。从ACEL光谱上可以看到,随退火温度增加或退火时间的积累,对应于4F9/2→4I15/2跃迁的谱线强度都有明显的增强。通过对EL衰减等实验结果进行分析,我们认为在不同的温度下退火将会产生不同的影响,当退火温度低于300℃时,退火将使ZnS的结晶性能得到改善,并使有效的发光中心数目增加,当退火温度高于300℃时,将产生一些新的缺陷。它们都导致了Er3+离子间交叉弛豫过程的加剧,使4F9/2能级的辐射得到加强。     

交叉驰豫对 ZnS:ErF_3薄膜交流电致发光衰减的影响

利用多极相互作用理论对具有不同 Er~(3+)浓度的 ZnS∶ErF_3交流电致发光薄膜中 Er~(3+)的~2H_(11/2)能级的电致发光衰减曲线进行了拟合。结果表明,Er~(3+)间的相互作用属于偶极—偶极相互作用。近似计算出离子间发生交叉弛豫的临界距离为8.5(?)。利用扩散限制的能量弛豫模型定性地解释了~4F_(9/2)能级电致发光衰减时间随 Er~(3+)浓度增加而延长的实验结果。     

南极中山站1990年地表能量通量变化的观测研究

1990年2月—1991年1月在中国南极中山站开展了辐射和近地面梯度观测实验,获得了一个完整年的辐射和大气最下层32m的风速、气温和湿度梯度资料。本文依据这些资料分析了中山站地表能量平衡各分量的年变化特征。结果表明,暖季(11—2月)地表吸收大量热量并以感热和潜热方式向大气输送,寒季(3—10月)地表为持续的辐射冷却,并以感热方式从大气中获得热量。