天冬氨酸的化学合成

天冬氨酸又称氨基丁二酸，是一种常见的氨基酸，其左旋体Ｌ－天冬氨酸广泛用作氨解毒剂，肝机能促进剂，疲劳恢复剂等医药品和用于各种清凉饮料的添加剂的生产，还可作为生化试剂，培养基和有机合成中间体［１］。工业上主要采用生化方法，在酶作用下，将富马酸与氨加成生...     

Al合金表面Ce转化膜成膜机理研究

Ce转化膜作为一种Cr转化膜的理想替代品而日益受到人们的重视，但其成膜机理还不很清楚.本文应用自行研制的扫描微参比电极技术（SMRE），原位测量经CeCl3溶液处理的2024-T3 Al合金表面微区电位分布，并结合X光电子能谱（XPS）和交流阻抗谱（EIS），对Ce转化膜的成膜机理进行探讨.结果表明，在CeCl3溶液中，Ce转化膜的形成过程是 Ce3＋和Cl－相互竞争的动态过程.当由Cl－的不均匀吸附引起的局部腐蚀使pH升高时， Ce(OH)3就会首先在局部位置发生沉积.阴极反应过程产生的H2O2可将Ce(OH)3部分氧化成CeO2.     

化学发光-化学需氧量测定新方法

根据重铬酸钾消解废水后其最终还原产物Cr3+ 浓度与COD值成正比关系 ,以及在碱性条件下 ,Luminol H2 O2 Cr3+ 体系产生很强的化学发光的原理 ,提出了一种用光电二极管做检测器测定水体的化学需氧量的新方法。本方法线性范围为 2 .1～ 60 0mg L,r2 =0 .9974;检出限为 2 .1mg L ;回收率为 1 0 0 %± 1 0 % ;RSD≤ 5 % (n =6)。用于实际样品测定 ,结果满意。     

α-ZnS纳米粒子的制备及其光致发光和拉曼特性

以湿化学法合成了直径约35 nm的蓬松的α-ZnS球形纳米粒子. XRD与TEM结果表明, 硫化锌球形纳米粒子由粒径约6 nm的二次晶粒组成. 光致发光光谱表明, 所得样品分别在约430 nm及360 nm处各有一个发射谱带, 前者源于ZnS的表面缺陷发射, 后者可被指认为六方相ZnS的近带边发射. 拉曼表征结果表明, 在较高激光功率的照射下, 没有观察到样品的光氧化现象, 表明所制备的硫化锌纳米粒子结构较为稳定.     

在石墨电极上脱氧核糖核酸与米托蒽醌嵌入作用的电化学研究

本文研究了单链ＤＮＡ分子在石墨电上的固定方法，采用核酸分子杂交技术，使具有电化学活性的米托蒽酯嵌入ＤＮＡ分子双螺旋结构的碱基对中，在电极上形成ｄｓＤＮＡ－ＭＳ层，通过伏安法研究ＤＮＡ分子和ＭＸ相互作用的电化学行为。     

一种层状化合物的水热合成及其特性

在１００－２５０℃温度范围内,用水热法合成了具有层状结构的化合物Ｌｉ２Ｏ２Ａｌ２Ｏ．ｎＨ２Ｏ．通过Ｘ－射线衍射分析了其结构特征,探索了合成条件对水热扫应产物的影响,用热分析研究了Ｌｉ２Ｏ．２Ａｌ２Ｏ３．ｎＨ２Ｏ的脱水过程,并确定化合物的含水率,用交流复平面阻抗谱测定了化合物在不同温度时的离子电导率,结果表明,用水热法成功地合成了具有较高离子电导率的单相Ｌｉ２Ｏ．２Ａｌ２Ｏ３．ｎＨ２Ｏ２化合物。     

正则Dirichlet形式的正则子空间

正则Dirichlet形式的正则子空间问题,即存在性及其刻画等问题,是作者关注近20年的问题,该问题来自第二作者对于Markov过程的Killing变换的Dirichlet形式刻画问题的研究,这个问题是Dirichlet形式理论的一个基本问题,在最近10年中取得了一点进展.本文将主要叙述问题及其背景,并介绍围绕该问题得到的一些结果与遗留的问题.     

一种基于新的区间二型梯形模糊相似测度的多属性群决策方法

本文首先基于区间二型梯形模糊数的周长、面积、负指数距离提出了一种新的区间二型梯形模糊相似测度,讨论了其性质。其次,基于该相似测度公式分别构建了区间二型梯形模糊专家权重和属性权重确定模型,然后通过集结区间二型梯形模糊决策信息与权重信息,给出了一种基于该相似测度的群决策方法。最后,通过投资方案选择实例说明了该方法的合理性和有效性。     

位移损伤诱发CMOS图像传感器电荷转移损失退化的理论模拟研究

以4T PPD（4个晶体管的钳位光电二极管）型CMOS图像传感器为研究对象，开展注量为1×10¹¹,3×10¹¹,5×10¹¹,7×10¹¹,1×10¹² neutron/cm²的中子辐照下损伤模拟的研究，建立CMOS图像传感器的器件模型和不同注量中子辐照后位移损伤的缺陷模型；采用相关双采样技术测量由亮到暗连续两帧时序脉冲下浮置节点（FD）的输出值，建立测量电荷转移损失（CTI）的模拟方法；获得CTI随中子辐照注量的变化关系，分析CTI随中子累积注量的变化规律，结合中子辐照效应实验验证中子辐照诱发CTI退化的理论模拟计算结果的有效性。研究结果表明，CMOS图像传感器的位移损伤敏感区域为空间电荷区域，中子辐照后会在空间电荷区中引入位移损伤缺陷，这些缺陷通过不断俘获和发射载流子，使信号电荷不能快速转移到FD中，造成电荷转移损失；电荷转移损失随着中子辐照注量的增加而增大，二者在一定范围内呈线性关系。