首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5663篇
  免费   1510篇
  国内免费   1862篇
化学   3544篇
晶体学   163篇
力学   584篇
综合类   314篇
数学   1173篇
物理学   3257篇
  2024年   59篇
  2023年   186篇
  2022年   238篇
  2021年   248篇
  2020年   192篇
  2019年   238篇
  2018年   254篇
  2017年   214篇
  2016年   241篇
  2015年   263篇
  2014年   450篇
  2013年   352篇
  2012年   365篇
  2011年   331篇
  2010年   355篇
  2009年   377篇
  2008年   360篇
  2007年   369篇
  2006年   398篇
  2005年   326篇
  2004年   317篇
  2003年   300篇
  2002年   244篇
  2001年   221篇
  2000年   272篇
  1999年   189篇
  1998年   122篇
  1997年   113篇
  1996年   130篇
  1995年   110篇
  1994年   103篇
  1993年   101篇
  1992年   95篇
  1991年   127篇
  1990年   89篇
  1989年   90篇
  1988年   95篇
  1987年   82篇
  1986年   63篇
  1985年   67篇
  1984年   61篇
  1983年   57篇
  1982年   37篇
  1981年   26篇
  1980年   21篇
  1979年   7篇
  1965年   8篇
  1964年   9篇
  1958年   8篇
  1957年   6篇
排序方式: 共有9035条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
山姜素与人血清白蛋白相互作用的荧光光谱法研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用荧光光谱法和紫外-可见光谱法研究了山姜素与人血清白蛋白(HSA)之间的相互作用。证实了山姜素对HSA的荧光猝灭为动态猝灭过程,并测定了不同温度下的猝灭常数; 根据Fōrster非辐射能量转移理论,计算出山姜素在蛋白质中的结合位置与色氨酸残基间的距离为4.05 nm; 由求得的热力学参数,推断了山姜素与HSA之间主要靠疏水作用力结合;用三维荧光光谱及同步荧光光谱技术探讨了山姜素对HSA构象的影响。  相似文献   
52.
Deep submicron n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs) with shallow trench isolation (STI) are exposed to ionizing dose radiation under different bias conditions.The total ionizing dose radiation induced subthreshold leakage current increase and the hump effect under four different irradiation bias conditions including the worst case (ON bias) for the transistors are discussed.The high electric fields at the corners are partly responsible for the subthreshold hump effect.Charge trapped in the isolation oxide,particularly at the Si/SiO 2 interface along the sidewalls of the trench oxide creates a leakage path,which becomes a dominant contributor to the offstate drain-to-source leakage current in the NMOSFET.Non-uniform charge distribution is introduced into a threedimensional (3D) simulation.Good agreement between experimental and simulation results is demonstrated.We find that the electric field distribution along with the STI sidewall is important for the radiation effect under different bias conditions.  相似文献   
53.
用傅里叶变换红外光谱研究了聚己内酯与硝基纤维素、乙基纤维素和纤维素氨基甲酸酯所形成的共混体系中组分间的相互作用。对羟基基团、羰基基团以及聚己内酯结晶相相关的吸收谱带分析表明 :随着纤维素结构单元上羟基被取代程度的增加 ,纤维素衍生物的自身氢键相互作用明显减弱 ,而与聚己内酯之间的相互作用得到加强。这种相互作用的加强 ,显著改变了聚己内酯的结晶行为 ,使其结晶能力减弱。  相似文献   
54.
研制了直视式合成孔径激光成像雷达(SAIL)电控抛物波面扫描器,该扫描器由线性相位调制的电光晶体和柱面镜构成,其中电光晶体采用4个三角形电极施加电场实现线性相位调制,具有体积小、响应速度快等优点。实验测试表明该直视式SAIL电控抛物波面扫描器获得了与理论吻合的抛物波面相位,扫描准确可控,很好地验证了该扫描器在直视式合成孔径激光成像雷达应用的有效性。  相似文献   
55.
超导量子干涉仪、 超导光子探测器等深空探测器需要液氦温区制冷技术提供极低温温度, 固体界面接触热阻的存在会增大耦合界面温度差, 进而增加制冷机系统冷损. 为定量探究4~20 K 深低温区固体接触热阻, 采用GM 作为冷源, 设计了一台可同时调节压力和低温温度的固体界面接触热阻测试实验台. 利用感压纸进行接触界面压力校核, 并对温度重复性进行验证. 实验测试了不同导热介质填充情况下, 温度和压力变化时固体接触热阻的变化规律. 基于最小二乘法对实验数据进行半经验公式拟合, 获得4 ~20 K 温区不同压力加载条件下的接触热阻的定量参考.  相似文献   
56.
波转子可以在不提高涡轮前温度的条件下提高燃气轮机循环的最高温度以及增压比,进而改善燃气轮机性能.本文提出了一种解析的波转子初步设计方法,在其中引入流量平衡约束条件,并用数值模拟验证了该方法的设计精度.该方法求解得到波转子的参数化设计空间,并由此归纳出波转子增压性能与压缩空气品质的优化设计方法.  相似文献   
57.
58.
光子晶体光纤(PFC)有着传统光纤无法比拟的优良特性,特别是具有极好的非线性效应和双折射效应;当输入抽运波偏振方向同双折射轴成45°时,通过引入拉曼增益的洛伦兹模型,研究了光子晶体光纤中在参变放大和拉曼散射共同作用下的增益谱特性.结果表明,由于参变放大和拉曼散射的相互作用,输入功率和群速度失配对光子晶体光纤的增益有重要...  相似文献   
59.
β-胡萝卜素具有光采集、光防护功能, 又是重要的光电材料, 它在外场下的分子结构和性能变化既有理论意义也有应用价值。测量了β-胡萝卜素在环己醇中68~26 ℃温度范围内的紫外-可见吸收、拉曼光谱。实验结果表明随着温度的降低, 黄琨因子和碳碳键每个振动模的电子-声子耦合常数减小, 紫外-可见吸收光谱红移, 碳碳键拉曼散射截面增加。用线性链状多烯分子的“相干弱阻尼电子-晶格振动模型”、“有效共轭长度模型”等理论给予了解释。随着温度的降低,β-胡萝卜素分子的热无序减小,分子结构有序性增加,π电子离域扩展,有效共轭长度增加,导致紫外-可见吸收光谱红移和强的拉曼活性。相干弱阻尼电子-晶格振动增强,使碳碳键拉曼散射截面增加。引用带有量纲的电子-声子相互作用常数,既可以与黄昆因子建立关系式,计算出碳碳键每个振动模的数值,也可以表征分子的有效共轭长度,π电子离域程度及拉曼散射截面的大小等。  相似文献   
60.
李龙龙  赵宁  李冰  彭丹  周宁宁  刘世新 《发光学报》2017,(12):1575-1581
设计合成了一种A-π-D-π-A型的双光子荧光染料3,6-双(4-乙烯基苯腈)-9-乙基咔唑,测试了其在二氯甲烷(DCM)、乙酸乙酯(EA)、乙醇(Et OH)、乙腈(ACN)、二甲亚砜(DMSO)和磷酸缓冲盐溶液(PBS)等不同溶剂中的紫外吸收光谱、单光子及双光子荧光光谱。化合物3,6-双(4-乙烯基苯腈)-9-乙基咔唑在紫外吸收光谱中存在两个相似的特征吸收带并呈现出复杂的溶剂化效应,在DMSO中具有最大荧光量子产率(86.02%),其相应的活性吸收截面为12.56 GM。在双光子荧光成像方面,染料分子具有优良的细胞膜通透性并且在双光子荧光显微镜下呈现出明亮的绿色荧光,表现出较好的双光子荧光成像性能。这些数据表明,化合物3,6-双(4-乙烯基苯腈)-9-乙基咔唑可用作一种较为理想的双光子荧光标记染料。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号