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71.
中国珠算协会于1999年颁发了《中国珠算协会珠算式心算鉴定标准》,其中:普通级分为十个级别,即10~1级,10级最低,1级最高。段位也分十个段位,初段~10段,初段最低,10段最高。 相似文献
72.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer
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GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
73.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献
74.
We introduce a feedback mechanism to study the spreading of an epidemic by analytical methods and large scale simulations in exponential networks. It is found that introducing the feedback mechanism can reduce the density of infected individuals, Furthermore, it does not change the epidemic threshold (critical point) λc. These results can help us to understand epidemic spreading phenomena on social networks more practically and design appropriate strategies to control social infections. 相似文献
75.
应用经典场论和耦合模理论计算了斜向静磁场作用下,磁性薄膜波导中静磁波与导波光的相互作用.计算结果表明,与垂直静磁场情形相比,斜向静磁场时的相匹配条件有所变化,由于磁性薄膜波导中法拉第磁光效应增强等因素,导波光的Bragg衍射效率得以显著增加.这有利于应用YIG等低损耗磁性薄膜做成高衍射效率的磁光波导器件,亦有利于降低Bi∶YIG等高比法拉第旋转的磁光薄膜波导器件的体积和损耗.此外,理论指出的在斜向静磁场条件下所具有的一些磁光特性与实验结果亦符合得很好.
关键词: 相似文献
76.
77.
Ni-Al二元催化体系的原位核磁共振研究 总被引:1,自引:0,他引:1
1.概述 本世纪50年代Ziegler-Natta催化体系的发现使均相络合催化研究得到突飞猛进的发展。各种各样的Ziegler-Natta催化剂已广泛被用于烯烃聚合的工业生产中。与此同时对此催化剂的作用机理和催化活性物种也做了大量的研究。在提出的许多机理中,虽然金属氢化物机理在理论上已越来越多地被人们所接受,但仍需有新的更使人信服的实验来证实。 1971年Jones在研究Ni(acac)_2和Et_2AlOEt组成的催化剂催化丙烯齐聚反应时提出了氢化物机理;1979年Keim在用镍络合物作为丙烯齐聚催化剂时,曾指出其反应过 相似文献
78.
在[Cu~(2+)(OH~-)TMEDA]_2Cl_@~-催化下(TMEDA为N,N,N′,N′-四甲基乙二胺),α-氰基-p-X苯基乙酸乙酯(X=OCH_3,CH_3,Gl,H和NO_2)经氧化偶联反应,获得高产率的二聚体。产物中meso异构体的含量均大于dl异构体的含量。IR,~1HNMR和EPR对反应过程研究结果表明,反应机理为底物以CN取代催化剂中的OH~-,生成反应中间体配合物,OH~-夺取底物的α-H,产生相应的碳负离子,碳负离子向Cu~(2+)单电子转移生成自由基,自由基偶合而生成产物。氧将Gu~+氧化为Cu~(2+),使反应继续进行。 相似文献
80.