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11.
用自组装的方式让学生自己组装真空系统,并且完成真空的获得和测量、定容法测抽速、观察火花检漏仪放电现象等实验内容.由于采用标准的真空接头和配件,学生正确组装均能获得低于5Pa的低真空,而且可使用自组装真空装置连续获得从1个大气压到低真空的状态.  相似文献   
12.
英法德重点理工大学教育改革借鉴   总被引:5,自引:0,他引:5  
比较教育学中 ,有两个著名的命题 :第 1个命题是 1 9世纪末英国比较教育学家萨德勒提出的“对决定教育制度的因素来说 ,校外的事情比校内的事情更重要” ;第 2个命题是 2 0世纪70年代美国比较教育家阿尔特巴赫等提出的“国外的或国际上的事情比国内的事情更重要”。如果说 ,一般院校可能更多地考虑地方需要的话 ,重点院校包括重点理工大学则应更多地向国外著名大学借鉴。1 英国重点理工大学教育现状掠影1 .1 未来素质教育的标准和迎接挑战的措施  在面向 2 1世纪的教育国际研讨会上 ,提出了衡量素质教育培养的 7条标准 :①积极进取 ,开…  相似文献   
13.
我们用固相反应法合成了LaBa2Cu3-xZnxOy(0≤x≤1.0)系列样品.X-光衍射分析显示,在整个掺杂区内皆为正交结构,晶格常数α,b和c随掺杂量的增加略有增大.Zn含量的增加使体系正常态的电阻率上升.红外光谱(限)表明:对于不掺杂的样品,在531cm^-1和583cm^-1附近有两个显著的吸收峰,随掺杂量x的增加前者基本不移动,后者则向高频移动,强度略有减小.电子顺磁共振实验(EPR)揭示了Zn掺杂对Cu^2+的自旋关联行为的影响.本文讨论了掺杂对结构、输运性质和自旋关联的影响.  相似文献   
14.
通过改进部分电路完善了特雷门琴的现代设计,其输出声音的音调和音量可通过演奏者的双手无接触控制.通过模块化设计和SPICE模拟后成功制作了低成本的特雷门琴装置,实现了电子乐器的功能.设计制作过程中多处应用了LC振荡电路,加深了学生对模拟电路原理的理解,并提高了学生动手解决实际问题的能力.  相似文献   
15.
采取真空热蒸发镀膜的方法在普通玻璃、毛玻璃、硅片等衬底上镀银膜,并用扫描电子显微镜观察了镀银毛玻璃的表面形貌,通过激光散射实验得出毛玻璃的粗糙度.实验结果表明,镀银毛玻璃衬底具有很好的表面增强拉曼散射活性,所能探测罗丹明6G的最低浓度为10-10 mol/L.  相似文献   
16.
我们成功合成了LaBa2Cu3-xFexOy(0≤x≤2.0)系列单相样品.X-光衍射分析显示,在x<2.0的整个掺杂区内样品皆保持为正交结构.晶格常数a,b和c随掺杂量的增加而增大.红外光谱(IR)表明:对于不掺杂的样品,在531cm-1和583cm-1附近有两个显著的吸收峰,分别相应于Cu(1)-O和Cu(2)-O的伸缩振动.在低掺杂区 (0≤x≤0.5),535cm-1峰随x增加向低频方向移动,当x>0.5时,该声子振动模随x增加反而逐渐硬化.585cm-1处的红外峰在0≤x≤1.0范围内峰位基本不变.高Fe掺杂区(x>1.0),体系的结构畸变很强,使上述两个红外峰宽化而变成一个宽峰.电子顺磁共振实验(EPR)揭示了不同含量的Fe掺杂对Cu2+的自旋关联行为的影响.本文对不同掺杂区的声子振动,晶格结构和自旋特征进行了分析讨论.  相似文献   
17.
我们用固相反应法合成了LaBa2Cu3-xZnxOy(0≤x≤1.0)系列样品.X-光衍射分析显示,在整个掺杂区内皆为正交结构,晶格常数a,b和c随掺杂量的增加略有增大.Zn含量的增加使体系正常态的电阻率上升.红外光谱(IR)表明:对于不掺杂的样品,在531cm-1和583cm-1附近有两个显著的吸收峰,随掺杂量x的增加前者基本不移动,后者则向高频移动,强度略有减小.电子顺磁共振实验(EPR)揭示了Zn掺杂对Cu2 的自旋关联行为的影响.本文讨论了掺杂对结构、输运性质和自旋关联的影响.  相似文献   
18.
我们通过气相输运插层化合反应成功制备了高温超导Bi2212相的碘插层化合物Ix Bi2212,进而制备出碘化汞插层化合物(HgI2)xBi2212.在此基础上,对碘化汞插层化合物(HgI2)xBi2212在丙酮溶液中进行超声剥落,成功制备出了高温超导Bi2212相的纳米粉体.我们对样品进行了表征,并就样品制备技术过程和纳米Bi2212相粉体的应用作了讨论.  相似文献   
19.
我们通过气相输运插层化合反应成功制备了高温超导Bi2212相的碘插层化合物IxBi2212,进而制备出碘化汞插层化合物(HgI2)xBi2212.在此基础上,对碘化汞插层化合物(HgI2)xBi2212在丙酮溶液中进行超声剥落,成功制备出了高温超导Bi2212相的纳米粉体.我们对样品进行了表征,并就样品制备技术过程和纳米Bi2212相粉体的应用作了讨论.  相似文献   
20.
我们用固相反应法成功合成了MgxB2(0.5≤x≤1.3)系列样品,并对其结构,临界电流密度(Jc)和不可逆场(Hirr)进行了研究.实验结果表明,随着x增大晶格常数a逐渐增大,而晶格常数c在x=0.9左右达到最大值.所有x>0.5的样品在零场下的Jc值都在106A/cm2左右.然而在高磁场下,Mg缺位的样品的Jc值要比Mg富足的样品的Jc值大.20K时,Mg0.8B2样品的不可逆场达到最大值5.2T,比MgB2样品要高出0.8T.研究表明,高磁场下Hirr和Jc的增大可能与MgB4纳米粒子的形成有关.  相似文献   
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