β-CD-Shiff碱铜(Ⅱ)配合物模拟酶催化光度法的研究

合成了Shiff碱2-羟基-1-萘醛缩-2-氨基噻唑(HNATS)及其铜配合物,发现配合物Cu(Ⅱ)-(HNATS)~2具有显著的过氧化物模拟酶活性,可催化H~2O~2氧化4-氨基安替比林与2,4-二氯苯酚偶联反应。研究了β-环糊精对模拟酶催化活性的影响,探讨了反应机理,考察了反应条件和共存物质的影响,建立了新的测定超氧阴离子自由基(O~2^-^.)的分光光度法,线性范围为0～5.0×10^-^4mol/L,检出限为5.0×10^-^6mol/L。方法用于测定人体血液中超氧化物歧化酶(SOD)活性,结果满意。     

基于图形测量技术的煤岩力学三轴试验研究

为研究初始围压对煤岩力学特性的影响,以王庄煤矿9105工作面煤体为研究对象,通过HC-SPT-100型高压三轴试验机、HC-U7型非金属超声波探测仪、4K科研相机等仪器,利用数字图像测量技术开展不同初始围压下原煤试件加载试验,探究不同围压对煤体弹性模量、峰值应变、残余应力和破坏裂隙的影响规律,研究结果表明：弹性模量、峰值应变和残余应力随围压的增大而增大;随围压的增大各峰值应变增长速率不同,轴向峰值应变增长速率最快,体峰值应变增长速率次之,径向峰值应变增长速率最慢;不同围压加载破坏下煤体裂隙特征明显,主要以斜交裂隙为主;采用Jaeger法求得不同围压下煤岩体破坏临界强度值与试验值比较误差较小,符合Jaeger单结构面理论．     

导磁制动副摩擦磁化行为及机理研究

利用盘式制动器模拟制动试验台,研究了由磁性有机摩擦片与HT250制动盘构造的导磁制动副在制动过程中的摩擦诱导磁化行为,探讨了制动初速度和制动压力对摩擦磁化的影响规律及作用机理. 结果表明:制动初速度增大将会导致摩擦面温度升高,致使热退磁效应出现,进而使导磁制动副摩擦磁化感应强度减小,这是削弱摩擦磁化的主要因素;随着制动压力的增大,摩擦面温度略微增加但变化不大,但摩擦表面的摩擦磨损程度逐渐加剧,铁镍元素总含量明显上升,导致导磁制动副摩擦磁化磁感应强度增大,从而摩擦磁化获得增强. 研究结果不仅可以为磁控摩擦制动技术的发展提供理论支撑,也可为其他宏观机械和微纳系统界面摩擦磁化研究提供有益理论参考.      

紫外-可见-短波近红外漫反射光谱技术测定白芷中二氧化硫残留量的研究

建立紫外-可见-短波近红外漫反射光谱结合化学计量学测定白芷中二氧化硫残留量的方法。利用紫外-可见-短波近红外漫反射光谱技术并结合化学计量学建模预测二氧化硫残留量。偏最小二乘回归法(PLSR)建模优于支持向量回归法(SVR); Random Frog波段选择结合Auto-scaling预处理后PLS建模后预测效果最佳,校正集R~2为0. 99,交叉验证集R~2为0. 94,预测集R~2为0. 96。紫外-可见-短波近红外漫反射光谱结合化学计量学可以实现二氧化硫残留量的快速检测,为中药饮片的质量评价及监管提供一种技术手段。     

“微距升华”晶体生长方法

随着功能器件向微型化发展,微纳米尺度的低维晶体成为构建新一代功能器件的材料基础。传统的体块单晶生长方法不适用于低维晶体。长久以来,对新型低维材料的研究依赖于机械剥离、溶液法和化学/物理气相沉积等方法,这些方法在效率、可控性和适用性等方面存在诸多限制,因此发展高效可控的低维晶体新型生长方法成为实现这些低维材料器件实用化的前提。山东大学晶体材料国家重点实验室陶绪堂、刘阳团队基于多年来在分子材料结晶基础方面的研究成果,发明了新的“微距升华”低维晶体生长方法。“微距升华”法利用原料与生长衬底之间的微小间距,可以在常压下实现常规物理气相传输中需要高真空才能够达到的分子流传输模式,使生长过程不再受传质限制,因此微距升华法无须真空和载气,速度快,原料利用率接近100%。该方法适用于大部分的有机半导体、金属配合物,甚至含有大量羧基、羟基的药物分子及熔点在一定范围内的无机物晶体,生长的微纳米晶体与电子器件制程匹配,屡次创新器件迁移率记录。新方法受到业界广泛关注,已被多国科学家采用。     

表面悬挂键导致硅纳米线掺杂失效机理的第一性原理研究

利用第一性原理方法, 本文计算了B/N单掺杂SiNWs, 以及含有表面悬挂键的B/N单掺杂硅纳米线的总能和电子结构, 计算结果表明, 悬挂键的出现会导致单原子掺杂失效. 能带结构分析表明, B/N掺杂的H钝化的SiNWs表现出正常的p/n特性, 而表面悬挂键(dangling binding, DB)的存在会导致p型(B原子)或者n型(N原子)掺杂失效; 其失效的原因主要是因为表面悬挂键所引入的缺陷能级俘获了n型杂质(p型杂质)所带来的电子(空穴); 利用小分子(SO₂)吸附饱和悬挂键可以起到激活杂质的作用, 进而实现Si纳米线的有效掺杂.     

基于图切割的相位展开

剪切散斑干涉术中,普遍采取相移法提取相位,只可得到被包裹的相位信息,进一步量化计算之前,必须展开相位,但是大量的散斑噪音使相位展开变得非常困难.本文提出基于图切割理论的相位展开算法,将相位展开等价于整数的最优估计问题,通过最小化能量函数展开相位,无需对散斑包裹相位图进行滤波,就可以从包含大量散斑噪音的包裹相位图中准确地提取出真实相位,极大程度地保留了相位包裹图中的细节信息.对于同一幅模拟的散斑包裹相位图,传统的质量导向枝切法和最小二乘法的均方根误差分别为11.7076和4.9775,新算法的均方根误差则为0.9459,数值模拟与实验结果均验证了新算法优良的抗噪性能.     

液体声速随温度变化的特性研究

集成温度传感器（Integration temperature sensor）简称（ITS）应用于声速测量系统。用实验的方法,研究了液体中声的传播速度与温度变化的关系,并对水进行了实际测量。实验证明了这一测试系统的实用性和可靠性,为液体声速的进一步研究,提供了理想的实验依据和测量方法。     

WO3/TiO2纳米棒复合材料的制备及其光催化活性

 以纳米 TiO2 (P25) 为前驱体, 采用水热-煅烧法制备了具有大比表面积和高紫外光催化活性的 TiO2 纳米棒 (TiO2-NRs), 并考察了热处理温度对其形貌、晶型、比表面积及光催化活性的影响. 以400 oC 热处理制得的 TiO2-NRs 为载体, 采用溶胶-凝胶法制得负载型 WO3/TiO2-NRs 复合光催化剂, 并使用透射电镜、X 射线衍射和X 射线电子能谱等手段对其进行了表征. 结果表明, WO3 负载量为 2% 时, WO3/TiO2-NRs 的光催化活性是 P25 的 5 倍. 对 1 × 10?5 mol/L 罗丹明 B 溶液的脱色反应结果表明, 该催化剂具有高速染料脱色特性. 同时对光催化机理进行了探讨.     

Simulation and experimental study of high power microwave damage effect on AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor

The high power microwave(HPM) damage effect on the Al Ga As/In Ga As pseudomorphic high electron mobility transistor(p HEMT) is studied by simulation and experiments. Simulated results suggest that the HPM damage to p HEMT is due to device burn-out caused by the emerging current path and strong electric field beneath the gate. Besides, the results demonstrate that the damage power threshold decreases but the energy threshold slightly increases with the increase of pulse-width, indicating that HPM with longer pulse-width requires lower power density but more energy to cause the damage to p HEMT. The empirical formulas are proposed to describe the pulse-width dependence. Then the experimental data validate the pulse-width dependence and verify that the proposed formula P = 55τ-0.06 is capable of quickly and accurately estimating the HPM damage susceptibility of p HEMT. Finally the interior observation of damaged samples by scanning electron microscopy(SEM) illustrates that the failure mechanism of the HPM damage to p HEMT is indeed device burn-out and the location beneath the gate near the source side is most susceptible to burn-out, which is in accordance with the simulated results.