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1.
定义了一类相空间中的准几率分布函数系,这个准几率分布函数系直接建立在具有更加广泛意义的量子相空间Schr?dinger方程解的基础之上,其中定义α=αp-i?q和α=(1-α)q+i?p.发现了两个有趣的关系.(1)建立的量子相空间Schr?dinger方程的解实际上是对函数φ(λ)exp[i(1-α)qp]做窗口Fourier变换.(2)这个窗口函数g(λ)起着选择窗口形式的作用,而且不同的窗口对应着不同的分布函数.当g(λ)是一个代表Gauss窗的Gauss函数的时候,准几率分布函数就是一个类似于Husimi的分布函数fHLα(q,p);当g(λ)是一个表示椭圆的复函数时,准几率分布函数就是一个椭圆分布函数fEα(q,p);再在g(λ)为复函数的基础上附加α=0,就可得到标准序分布函数fS(q,p)、反标准序分布函数fAS(q,p)和Wigner分布函数fW(q,p),此时g(λ)表示高度为1/12π?而长度为λ的矩形窗.
关键词:
窗口Fourier变换
相空间
Wigner分布函数 相似文献
2.
用金属蒸汽真空弧源,以40kV加速电压对纯锆样品分别进行了1016—1017/cm2的钇、镧离子注入,注入温度约为130℃.然后对注入样品进行表面分析.x射线光电子能谱分析表明,注入的钇以Y2O3形式存在,镧以La2O3形式存在.俄歇电子能谱表明,纯锆基体表面的氧化膜厚度随着离子注入剂量的增加而增加,当离子注入剂量达到1017/cm2时,氧化膜的厚度达到了最大值.卢瑟福背散射显示镧层的厚度约为30nm,同时直接观察到当离子注入剂量为(La+Y)1017/cm2时,纯锆样品表面发生了严重的溅射.
关键词:
纯锆
钇和镧离子共注入
卢瑟福背散射
x射线光电子能谱 相似文献
3.
A novel power generator has been achieved to convert vibration to electrical energy via the piezoelectric effect. The generator obtained by micro fabrication process mainly consists of silicon based frame and composite cantilever. The prototype tested at resonant vibration generates 1.15μW of effective power to a 20.4-kΩ resistance load. The potential of this work is to offer miniaturization solutions for power generators, and with the proposed method the ambient ubiquitous vibration can be harvested effectively as endless energy source to form an integrated self-powering system. 相似文献
4.
5.
6.
<正>在非零向量a,b的夹角为锐(钝)角的背景下探求参数的取值范围是一类典型的易错易混问题,常见错误是将a,b的夹角为锐(钝)角与a·b> 0(<0)混为一谈.事实上,二者并不等效,一方面,若a,b的夹角为锐(钝)角,则一定有a·b>0(<0);另一方面,若a·b> 0(<0),则a,b的夹角有可能为0°(180°).因此,a·b> 0(<0)是a,b的夹角为锐(钝)角的必要不充分条件,a·b>0(<0)与a,b的夹角所在的范围是([0°,90°)(90°,180°])才是等价关系.因此,当a,b的夹角为锐(钝)角时,参数的取值范围应该是从a·b>0 (<0)时参数的取值范围中排除a,b的夹角为0°(180°)时参数的具体值后余下的部分. 相似文献
7.
8.
基于广义惠更斯-菲涅耳原理和Wigner分布函数二阶矩的定义,推导出直角坐标系下大气湍流中部分相干光的M2因子传输公式。以厄米-高斯(H-G)光束为例,给出了H-G光束通过大气湍流传输后M2因子的解析表达式,并采用Tatarskii谱,详细讨论了M2因子的主要影响因素。结果表明,M2因子主要由光束的束腰宽度、波长、光束阶数、大气湍流的折射率起伏结构常数和在湍流中传输距离决定。随着光束阶数、折射率起伏结构常数及传输距离的增大,M2因子明显增大,光束阶数越高,湍流对M2因子变化的影响越小。对于给定的传输距离,存在最佳初始束宽,使M2因子最小。 相似文献
9.
通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。 相似文献
10.
Modeling and character analyzing of multiple fractional-order memcapacitors in parallel connection 下载免费PDF全文
Recently,the memory elements-based circuits have been addressed frequently in the nonlinear circuit theory due to their unique behaviors.Thus,the modeling and characterizing of the mem-elements become essential.In this paper,the analysis of the multiple fractional-order voltage-controlled memcapacitors model in parallel connection is studied.Firstly,two fractional-order memcapacitors are connected in parallel,the equivalent model is derived,and the characteristic of the equivalent memcapacitor is analyzed in positive or negative connection.Then a new understanding manner according to different rate factor K and fractional orderαis derived to explain the equivalent modeling structure conveniently.Additionally,the negative order appears,which is a consequence of the combination of memcapacitors in different directions.Meanwhile,the equivalent parallel memcapacitance has been drawn to determine that multiple fractional-order memcapacitors could be calculated as one composite memcapacitor.Thus,an arbitrary fractional-order equivalent memcapacitor could be constructed by multiple fractional-order memcapacitors. 相似文献