Quantum-Confined Stark Effects in a Single GaN Quantum Dot

Using analytical expressions for the polarization field in GaN quantum dot, and an approximation by separating the potential into a radial and an axial, we investigate theoretically the quantum-confined Stark effects. The electron and hole energy levels and optical transition energies are calculated in the presence of an electric field in different directions. The results show that the electron and hole energy levels and the optical transition energies can cause redshifts for the lateral electric field and blueshifts for the vertical field. The rotational direction of electric field can also change the energy shift.     

亚强非局域介质中的超高斯空间光孤子族研究

研究了亚强非局域介质中超高斯光束的传播特性.运用变分法,对任意实对称响应函数泰勒级数展开取至四阶,得到了1+1维亚强非局域非线性介质中光束传输的超高斯光束的近似分析解.分析结果表明：束宽解是椭圆雅可比双周期函数,相移、空间啁啾以及临界输入功率都正比于超高斯光束的阶数.提出了超高斯空间光孤子族模型和准方波形空间光孤子的实现可能性.     

直流电弧等离子体区域电弧分布特征对自支撑金刚石膜性质的影响

直流电弧等离子体喷射法制备自支撑金刚石膜时,电弧区域可分为弧心、弧干和弧边三个区域.本文运用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光Raman光谱、正电子湮没寿命谱(PAL)和力学性能实验机研究了同一块自支撑金刚石膜不同区域的生长面形貌、晶体取向、内应力、空位缺陷和断裂强度.结果表明:随着与直流电弧等离子体弧心距离增加金刚石膜生长更稳定,(220)取向晶粒减少,平均空位缺陷减少,内应力和断裂强度呈现先增大后减小的趋势.     

Quantum confinement effects and source-to-drain tunneling in ultra-scaled double-gate silicon n-MOSFETs

By using the linear combination of bulk band (LCBB) method incorporated with the top of the barrier splitting (TBS) model, we present a comprehensive study on the quantum confinement effects and the source-to-drain tunneling in the ultra-scaled double-gate (DG) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). A critical body thickness value of 5 nm is found, below which severe valley splittings among different X valleys for the occupied charge density and the current contributions occur in ultra-thin silicon body structures. It is also found that the tunneling current could be nearly 100% with an ultra-scaled channel length. Different from the previous simulation results, it is found that the source-to-drain tunneling could be effectively suppressed in the ultra-thin body thickness (2.0 nm and below) by the quantum confinement and the tunneling could be suppressed down to below 5% when the channel length approaches 16 nm regardless of the body thickness.     

固态量子计算

量子计算机拥有比经典计算机更强大的计算能力，人们普遍认为，量子计算机最终将会在固态系统中实现，文章介绍了三种固态量子计算机的方案，它们分别基于固态核振磁共振，超导结和量子点。     

改善β沸石水热稳定性的研究

 考察了不同浓度的盐酸、柠檬酸、酒石酸、草酸和磺基水杨酸溶\r\n液对Hβ沸石的脱铝效果．结果表明，酸处理可以明显提高β沸石的硅\r\n铝比，但沸石的相对结晶度显著降低．然而，低浓度柠檬酸溶液处理不\r\n仅可以提高β沸石的硅铝比，而且可以提高沸石的相对结晶度及水热稳\r\n定性．在引入外来硅源的情况下，考察了低浓度柠檬酸溶液对β沸石的\r\n脱铝补硅作用，提出了一种既可有效提高β沸石硅铝比，又可使β沸石\r\n具有较高结晶保留度的脱铝补硅方法．采用该方法改性的催化剂，对丙\r\n烯水合醚化反应连续运转720h，丙烯转化率由56．6％仅降为52％，表\r\n明催化剂稳定性得到明显改善．     

量子信息、量子计算机的科学与哲学问题研讨会简讯

20 0 0年 12月 15日 ,为纪念量子论诞辰 10 0周年 ,在国家科技会堂举行了量子信息与量子计算机的科学与哲学问题研讨会 .来自中国科学院、北京大学、清华大学、复旦大学、中国科学技术大学、南京大学、国防科技大学等单位的科学家会聚一堂、畅所欲言 ,对量子力学中的哲学问题、量子力学对未来信息科学的影响等热门话题进行了热烈讨论 .中国科学院半导体研究所所长、中国科学院院士郑厚植教授主持了研讨会 .郑厚植教授以“固态量子计算的物理基础———固体中的相干过程和控制”为专题介绍了固体中量子拍频、量子波函数工程、固态量子比特中…     

半导体中的自旋弛豫——从体材料到量子阱、量子线、量子点

本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制,关注的重点在于如何能够在实验上以一种可以控制的方式来改变可调参数从而达到控制自旋弛豫过程。这些参数主要有电场、磁场、温度、应变、有效g因子等等。本文的组织上,首先介绍研究前景,第1部分简要介绍了自旋弛豫的四种机制。第2部分按照维数的不同将半导体中自旋弛豫分为3个部分:体材料、量子阱、量子线、量子点,在每一部分中又基本上按照电子、空穴、激子的顺序进行了简要的总结:对于不同的载流子,考虑了自旋弛豫对可调参数的依赖关系。这些结果要么试图解释了已有的实验结果,要么从理论上给出预言从而给实验指明了方向,为室温下可以使用的自旋电子学器件设计提供了依据,为固态量子计算和量子信息处理铺平了道路。最后简单地给出展望。     

Variational Calculations of Neutral Bound Excitons in GaAs Quantum-Well Wires

The binding energy of an exciton bound to a neutral donor (D^0, X) in GaAs quantum-well wires is calculated variationally as a function of the wire width for different positions of the impurity inside the wire by using a two-parameter wavefunction. There is no artificial parameter added in our calculation. The results we have obtained show that the binding energies are closely correlated to the sizes of the wire, the impurity position, and also that their magnitudes are greater than those in the two-dimensional quantum wells compared. In addition, we also calculate the average interparticle distance as a function of the wire width. The results are discussed in detail.