高效排阻色谱中蛋白质的保留行为

生物工程和生物医学的发展,蛋白质的分离纯化一直是一个十分活跃的研究领域。高效液相排阻色谱,对于确定蛋白质和多肽的分子量的分布,以及分离纯化蛋白质始终是一个较为理想的方法。当然,研     

GeCl分子激发态的势能曲线和辐射寿命的理论研究

采用考虑Davidson校正、标量相对论效应、芯-价电子关联和自旋-轨道耦合效应高精度的多参考组态相互作用方法计算了GeCl分子的最低解离极限Ge(3Pg)+Cl(2Pu)对应的12个Λ-S电子态的势能曲线. 基于计算得到的势能曲线, 求解一维核运动的Sch?rdinger方程得出束缚态的光谱常数, 这些光谱常数与实验值符合较好. 本文计算了12个Λ-S态的电偶极矩随核间距的变化, 分析了电子态组态成分的变化对电偶极矩的影响. 本文还研究了GeCl分子的辐射跃迁性质, 给出了激发态到基态之间和低激发态之间的跃迁偶极矩和电子态之间的Franck-Condon因子, 并根据计算得到的跃迁偶极矩和Franck-Condon因子计算出了束缚激发态低振动能级的辐射寿命.     

低共熔溶剂在高分子合成中的应用

低共熔溶剂(DES)是由两种或多种物质按一定比例混合而成的低熔点混合溶剂,其熔点显著低于每一个单纯组分的熔点,可被视为一种新的离子液体。与传统有机溶剂相比,DES具有来源广泛、成本低廉、易于制备、毒性低、生物可降解等优点,并已作为一种新型的绿色反应介质被广泛用于萃取分离、无机合成、有机合成和离子凝胶等领域。近年来,DES在高分子合成中的应用也吸引了广泛的研究兴趣。本综述从简述DES及其在有机合成中的应用出发,重点介绍它们用于缩合聚合、自由基聚合、阴离子聚合、电化学聚合、开环聚合和氧化聚合等高分子合成领域的研究进展,并对其发展趋势进行展望。     

基于Unity3D的全息照相与全息干涉法虚拟仿真平台

全息照相和全息干涉法研究需要对实验仪器进行精准的控制和调整,同时实验现象的观察与测量依赖于干板的成像效果。而虚拟仿真实验能够弥补实验现象的观察与测量而出现的问题,同时也能够准确体验操作过程,获得更为理想的实验效果。我们基于Unity3D搭建虚拟仿真实验平台,由单色光干涉理论计算得到干板透射率分布,通过再进行实时渲染出实验效果以便学生研究全息照相与全息干涉法实验。借助虚拟仿真平台,可以使实验教学更加轻松,让学生更加直观地理解实验,同时得到更高的实验成功率与更好的实验效果。     

含裂纹的圆柱体的弯曲

含裂纹的圆柱体弯曲的研究有十分重要的意义。文献[1]～[4]研究过含径向裂纹或裂纹系的情形,[5]研究过有同心圆弧裂纹的圆柱体的弯曲。本文继续[6]对内部出现在任意位置的直线裂纹的圆柱体在力与裂纹垂直时的弯曲问题,用弹性理论复变函数方法进行了讨论;得到了位移、应力和应力强度因子用级数表示的表达式;对Ah小的这种弯曲问题的应力强度因子给出了好的近似式,分析了它们随裂纹中心的变化规律。最后对裂纹的一个尖端在原点的径向裂纹圆柱体的扭转率和弯曲中心进行了计算,其结果与[1]几乎完全相同。     

关于变形体虚功原理的几个问题

在中,曾涉及如下一些问题:如何将虚位移分解为刚性虚位移和变形虚位移;切割面内力在刚性虚位移上所作之总功W_(面刚),与该力在变形虚位移上所作之总功W_(面变)之间有何关系;如何理解变形体所接受的总虚变形功W_变,及其与内力总虚变形功W_内之间的关系;等等。下面以梁为例就上述问题发表一些粗浅看法。一、关于虚位移之分解为刚性虚位移和变形虚位移考虑图1(a)所示直梁,在横向分布载荷q与端面力Q_0、M_0、Q_1、M_l的作用下处于平衡状态。现在,使 ...     

总氮测定过程中空白吸光值偏高的原因分析

使用HJ 636-2012测定水质总氮时,空白吸光值往往偏高.为了寻找最佳的实验条件,使用多元线性回归模型定性评价过硫酸钾和氢氧化钠的纯度、实验用水、碱性过硫酸钾溶液的存放时间、消解条件、冷却时间、消解器皿等因素对空白吸光值的重要性.结果表明:过硫酸钾纯度对空白吸光值影响最显著.为了保证总氮空白吸光值小于0.030,测...     

激光诱导光学材料后表面损伤的数值模拟

采用3维时域有限差分方法和完全匹配吸收层,模拟了长方体缺陷在熔石英前后表面时对入射激光为TM波的调制作用,绘出了截面上的电场强度分布及最大电场强度随熔石英深度变化的曲线,并进行了比较和分析。结果表明：缺陷在前表面上时,后表面附近的最大电场强度2.522 41 V/m大于缺陷附近的1958 83 V/m;缺陷在后表面上时,材料中的最大电场强度为2.799 38 V/m,且出现在后表面附近。无论该缺陷在前表面还是在后表面,最大电场强度都是出现在后表面附近,表明光学材料的后表面在一定程度上更容易被损伤。     

1.064 μm脉冲激光作用下SiO2薄膜纹波损伤的模拟

用1.064 μm波长的单脉冲(6 ns)激光对K9玻璃基底上电子束沉积的单层SiO2薄膜进行了辐照损伤实验。以扫描电镜对K9基底的断面进行分析,并采用表面热透镜装置对膜层中的缺陷进行了检测,最后采用Matlab偏微分工具箱对缺陷的散射光光场进行了有限元模拟。实验研究表明：膜层中存在缺陷,基底中也存在大量缺陷。模拟研究表明：缺陷的位置越深,形成的条纹间距也越宽;当缺陷的形状不规则时,在局部出现近似平行的纹波结构;当缺陷的数目增加时,这些缺陷的散射光的叠加就形成相互叠加的条纹。