雷达用超导接收前端电磁兼容设计

超导接收前端与常规接收前端相比有着极低的噪声系数和极高的带外干扰抑制能力,可应用于通讯和雷达领域接收机抗带外频率干扰。分析了某型雷达用超导接收前端系统的电磁兼容设计方法,结合工程实际,对电磁兼容设计方法在超导接收前端系统中的应用进行了详细论述。     

百kV级纳秒脉冲源的设计与实验研究

GW级Tesla型脉冲源在触发开关技术研究中作为触发脉冲源使用,抖动较大,触发开关工作不稳定,需要为其研制一台触发器以解决这一问题。结合其他使用需求,设计了一台百kV级纳秒脉冲源,该脉冲源采用Tesla变压器结合单筒脉冲形成线结构,进行了Tesla变压器结构、Tesla变压器初次级参数、Tesla开路磁芯与初级电路设计,调试结果为:最高输出电压100 kV,峰值功率250 MW,重复频率1~100 Hz,输出脉冲宽度约4 ns,前沿约1 ns。该脉冲源作为触发器使用,可以将GW级Tesla型纳秒脉冲源抖动由500 ns降低至150 ns,满足触发开关研究需求,还可用于产生超宽谱短脉冲进行辐射。     

氧化锌纳米棒形貌控制及其在钙钛矿太阳能电池中作为电子传输层的应用

在钙钛矿电池中, ZnO纳米棒的垂直性是影响器件效率的关键因素. AZO(ZnO:Al)玻璃作为一种廉价的透明导电衬底,由于与ZnO纳米棒无晶格失配,有望获得最佳垂直性.然而目前在大气环境下,以AZO为衬底、ZnO纳米棒为电子传输层的钙钛矿太阳能电池还鲜有报道.本文通过水热法制备ZnO纳米棒作为电子传输层,系统研究不同条件对ZnO纳米棒的形貌及结晶性能的调控规律,分析其微观生长机理.并在此基础上于大气环境下制备太阳能电池,将以AZO为衬底在大气条件下制备的钙钛矿光伏器件的最佳效率从目前文献报道的7.0%提高到9.63%.这对丰富钙钛矿电池的设计思路及进一步降低成本具有重要意义.     

中国幼儿外耳道声学共振特性的真耳测量

为了了解中国幼儿外耳道声学共振特性的发育规律,并与欧美幼儿的数据作比较,藉以探讨欧美流行的小儿助听器处方选配公式是否可直接移植到中国幼儿身上,对45名学龄前幼儿,在真耳分析仪允许的声场条件下,测试儿童外耳道的声学共振特性。同步设置16名成人对照。结果表明中国成人与儿童的共振峰频率存在显著性差异;随年龄增长,小儿的外耳道共振峰频率移向低频(由4589Hz至3550Hz);中国儿童外耳道声学特性与欧美儿童不同,各年龄段的共振峰频率与欧美报道的结果均有显著性差异。应用国外开发的小儿助听器验配处方公式时,应采用儿童个体的真耳测量数据。     

AlGaAs/InGaAs PHEMT栅电流参数退化模型研究

为定量研究在PHEMT栅电流退化过程中, 不同失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例, 本文基于退化过程中物理化学反应中反应量浓度与反应速率的关系, 建立了PHEMT栅电流参数退化模型. 利用在线实验的方法获得PHEMT电学参数的退化规律, 分析参数随时间的退化规律, 得到不同时间段内影响栅电流退化的失效机理, 并基于栅电流参数退化模型, 得到了不同的失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例. 关键词： PHEMT 栅电流 肖特基接触 退化模型     

强磁场下锗电阻温度传感器的磁致电阻效应研究

以锗温度传感器GR-1400-AA为研究对象,研究了其在0～16 T磁场下、2～100K温区内的磁致电阻效应。结果表明:在2～20K温区,GR-1400-AA磁效应随温度的升高急剧降低,且场强越高磁效应的变化率越大;在20～100K温区,磁效应随温度的升高趋于平缓;GR-1400-AA磁效应随场强的升高而升高,且温度越低,磁效应的变化率越高,2.1K、16T处的磁效应为2120.3%;GR-1400-AA由磁阻引起的测量温差随温度的升高而升高,随场强的增大而增大,且全为负温差,在6K、2T处和16T、100K处的测量温差分别为-0.24K、-60.4K。不推荐应用在磁场环境下。     

基体改进剂在石墨炉原子吸收光谱法测定唾液铅中的应用研究

本文采用平台炉和基体改进剂技术，测定唾液中铅，获得令人满意的结果。     

C_nSH~±与C_nS_2~±的碰撞诱导解离研究

在自制的交叉分子-离子束串级飞行时间质谱仪上，以激光溅射的方式，产生了一系列含有一个硫原子和一个氢原子与含有两个硫原子的杂碳原子簇正负离子、经“质量门”选出单一质量的簇离子，与氮气的超声分子束交叉碰撞，然后分析其碰撞碎片．研究结果确定了这些簇离子的结构，两个杂原子分别位于碳链的两端．对碎片离子的分析还揭示了这些簇离子的主要解离通道及其与成簇碳原子数和所带电荷极性的关系，发现当成簇碳原子数较少时，簇离子中最薄弱的是S－C键，随着残链的增长，与硫原子相邻的C－C键变得更为薄弱；实验中存在着多次碰撞的机会，因而各碎片离子还有可能进一步解离．     

The degradation and recovery properties of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors under direct current reverse step voltage stress

Direct current(DC) reverse step voltage stress is applied on the gate of an AlGaN/GaN high-electron mobility transistor(HEMT).Experiments show that parameters degenerate under stress.Large-signal parasitic source/drain resistance(RS/RD) and gate-source forward I-V characteristics are recoverable after breakdown of the device under test(DUT).Electrons trapped by both the AlGaN barrier trap and the surface state under stress lead to this phenomenon,and surface state recovery is the major reason for the recovery of device parameters.