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51.
Hai-Long Liu 《中国物理 B》2022,31(11):110306-110306
A single-photon interferometer is a fundamental element in quantum information science. In most previously reported works, single-photon interferometers use an active feedback locking system to stabilize the relative phase between two arms of the interferometer. Here, we use a pair of beam displacers to construct a passively stable single-photon interferometer. The relative phase stabilization between the two arms is achieved by stabilizing the temperature of the beam displacers. A purely polarized single-photon-level pulse is directed into the interferometer input port. By analyzing and measuring the polarization states of the single-photon pulse at the output port, the achieved polarization fidelity of the interferometer is about 99.1 ±0.1%. Our passively stabilized single-photon interferometer provides a key element for generating high-fidelity entanglement between a photon and atomic memory. 相似文献
52.
部分偏振光传播时的光强和偏振态变化情况比较复杂, 尤其是当大数值孔径成像时, 光束的偏振态还会影响成像质量. 本文提出一种用于分析部分偏振光能量传递和偏振态的光线椭圆方法, 采用光线椭圆叠加的办法来分析光束在各向同性的均匀介质中传输时能量和偏振态的变化情况, 同时直观性好, 计算量小. 论文最后, 对大数值孔径、 高像质的齐明透镜系统讨论了入射无偏振光的能量、 偏振态变化, 以及偏振效应问题. 结果表明, 大数值孔径使成像光束中TM偏振光强度相对增加, 影响成像对比度; 提高像方介质的折射率, 会改善此种偏振效应问题. 相似文献
53.
基于常规速调管,研制了用于开展空间功率合成实验的微波源系统。介绍了50 MW超大功率速调管发射机的系统组成、大功率速调管、相位控制及高功率测试系统等。重点阐述了超大功率速调管发射机的关键技术,并针对超大功率发射机的设计难点提出了具体的解决方案。为提高超大功率发射机的可靠性,设计了基于绝缘栅双极晶体管(IGBT)的感应叠加型全固态调制器。给出了超大功率发射机的测试结果,并探讨了超大功率速调管发射机的改进方法。最后对基于常规速调管,研制用于空间功率合成微波源系统的发展进行了展望。 相似文献
54.
介绍了多孔氧化铝薄膜(PA)厚度在线测量系统的工作原理、系统结构及独特性能。在白光(宽光谱)照射下,薄膜的上表面和下表面反射的两路光线发生干涉,产生了携带薄膜光学厚度信息的反射光谱。同时,利用液相原子力显微镜(AFM)实时获得的PA膜的表面形貌信息,根据膜系统的Maxwell-Garnette有效介电常数理论,经相干势近似计算得到薄膜的有效折射率,进而得到此时PA膜的物理厚度。使用该系统对PA膜氧化制备过程进行了在线扫描和膜厚测量试验,成功的获得了PA样品的实时表面形貌图像,得到样品的孔隙率和有效折射率。并根据样品反射光谱,利用反射干涉频谱法计算得到氧化150和180 min时,PA膜厚分别为5.35和6.25 μm。本系统具有测量简便、实时性好、无损及测量精确的特点,在实时测量和监控膜厚的同时可获得样品的表面形貌、孔隙率、有效折射率等信息。 相似文献
55.
The influence of structural properties of a network on the network synchronizability is studied by introducing a new concept of average range of edges. For both small-world and scale-free networks, the effect of average range on the synchronizability of networks with bounded or unbounded synchronization regions is illustrated through numerical simulations. The relations between average range, range distribution, average distance, and maximum betweenness are also explored, revealing the effects of these factors on the network synchronizability of the small-world and scale-free networks, respectively. 相似文献
56.
This paper proposes a new Zernike modal gray map
reconstruction algorithm used in the nematic liquid crystal adaptive
optics system. Firstly, the new modal algorithm is described. Secondly,
a single loop correction experiment was conducted, and it showed
that the modal method has a higher precision in gray map
reconstruction than the widely used slope method. Finally, the
contrast close-loop correction experiment was conducted to correct
static aberration in the laboratory. The experimental results showed
that the average peak to valley (PV) and root mean square (RMS) of
the wavefront corrected by mode method were reduced from
2.501\lambda (\lambda =633~nm) and 0.610\lambda to
0.0334\lambda and 0.00845\lambda , respectively. The corrected
PV and RMS were much smaller than those of 0.173\lambda and
0.048\lambda by slope method. The Strehl ratio and modulation
transfer function of the system corrected by mode method were much
closer to diffraction limit than with slope method. These results
indicate that the mode method can take good advantage of the large
number of pixels of the liquid crystal corrector to realize high
correction precision. 相似文献
57.
石墨电极已被广泛应用于商业锂离子电池,因而对于石墨电极的力学性能要求也在不断提高。通过表征和研究石墨电极的力学性能和界面剥离强度,能够为石墨电极相关技术的可靠性研究提供必要的数据支持和理论指导,从而使石墨电极得到合理和可靠的使用。本文运用拉伸和180°剥离实验,分别研究了石墨电极原样、电解液浸泡后的电极以及不同充电状态(SOC)下电极的力学性能和界面剥离强度。拉伸实验结果表明,充满电状态下电极材料的断裂形式是脆性断裂,而原样电极、电解液浸泡后电极以及完全放电状态下电极均表现出韧性断裂。180°剥离实验结果表明,电极的活性层与集流体之间界面剥离强度在充满电状态下的值比完全放电后的值大。经过电解液浸泡后的电极活性层与集流体之间界面剥离强度则与原样电极的值相同。经过1000次充放电循环后,石墨电极活性层与集流体之间界面剥离强度则远远低于未经过充放电循环电极的值。 相似文献
58.
59.
60.
Efficiency enhancement of InGaN based blue light emitting diodes with InGaN/GaN multilayer barriers 下载免费PDF全文
The advantages of InGaN based light-emitting diodes with InGaN/GaN multilayer barriers are studied.It is found that the structure with InGaN/GaN multilayer barriers shows improved light output power,lower current leakage,and less efficiency droop over its conventional InGaN/GaN counterparts.Based on the numerical simulation and analysis,these improvements on the electrical and the optical characteristics are mainly attributed to the alleviation of the electrostatic field in the quantum wells(QWs) when the InGaN/GaN multilayer barriers are used. 相似文献