钍基熔盐堆用238群中子-48群光子耦合多群常数库的屏蔽基准验证

采用OKTAVIAN脉冲球实验对钍基熔盐堆用AMPX主库格式238群中子-48群光子耦合多群常数库进行了屏蔽基准验证,重点检验了该库中的F,Li,Be,C、Al,Si,Cr,Ni,Zr,Co,Cu,Mn,Mo,Nb,Ti,W,Pb同位素/元素的数据。采用SCALE 5.1程序系统中的XSDRN-PM程序进行一维屏蔽问题计算,将计算结果与实验测量数据及MCNP程序计算结果进行比较,发现中子泄漏谱的符合程度较好,而光子泄漏谱检验中发现大多数核素都出现了不同程度的高估。通过对GENDF格式到AMPX格式的转换程序MILER-4进行修正,解决了这一问题。通过对多群常数库的屏蔽基准验证,进一步证明了该库的可靠性。OKTAVIAN pulsed sphere experiment was used for Shielding Benchmarks of the AMPX formatted multi-group (238n-48γ) coupled neutron-gamma cross-section library for Thorium Molten Salt Reactor, of which the following isotopes/elements were checked-F, Li, Be, C, Al, Si, Cr, Ni, Zr, Co, Cu, Mn, Mo, Nb, Ti, W. One dimension shielding problem was calculated using XSDRN-PM program of SCALE 5.1 code system and results were compared with experiment results and MCNP calculated results, which shows that neutron leakage spectra agree well. Calculated results of photon leakage spectra of most facilities compared with MCNP results and experiment data are over-rated. MILER-4 code which is used for converting GENDF files produced by NJOY to the AMPX master library format is revised to solve this problem. The shielding benchmark verifications confirm the reliability of this new library.     

以小区域内的离子数为控制信息实现束晕的有效控制

利用匹配半径外的某些固定区域内的离子数目提供控制信息,采用对数函数控制器对强流离子束进行束晕－混沌控制的数值模拟研究. 结果显示,该方法能够有效地抑制五种不同初始分布的离子束的束晕再生现象. 该方法由于控制信息的探测区域小且能固定,在实验上便于实施. 关键词： 束晕 控制 局部区域 信息     

低能离子诱导拟南芥基因组不稳定性的研究

体细胞同源重组产生的DNA重排、 缺失和复制等是基因组不稳定的重要指标, 以拟南芥菜GUS基因重组报告系R2L100和R3L66为实验材料, 以体细胞同源重组频率（每个植株上的GUS斑点数目）作为评估标准, 研究低能Ar+离子和α粒子辐射对植物基因组稳定性的影响。 结果表明: 30 keV的Ar+离子辐照拟南芥干种子, 在500×1013—3 000×1013 ions/cm2剂量范围内, 同源重组频率与对照相比明显升高, 最大值是对照的2.4倍; 3.3 MeV的α粒子辐照萌发4 d后的幼苗, 同源重组频率随着剂量的增加呈先增后降的变化趋势, 最大值是对照的1.9倍, 对应的辐照剂量是10 Gy。 以上实验结果表明, 低穿透能力的辐射能有效增加植物基因组的不稳定性。 α粒子辐照拟南芥菜幼苗的根, 未受到辐照的地上部分的同源重组频率较对照增加2.5倍, 表明低能离子诱导的基因组不稳定信号在植物个体水平是可以长程输运的。 以上结果从另一个侧面解释了低能离子的诱变机制。 The somatic homologous recombination was frequently used to evaluate genome stability because it can result in DNA changes, such as rearrangement, deletion and duplication. In this paper, we used Arabidopsis thaliana transgenic for GUS recombination substrate (R2L100 and R3L66) to study the genomic instability induced by low energy ion and α particle characteristic of short penetrating properties. The dry seeds of R3L66 line were irradiated by 30 keV Argon ion, the Homologous Recombination Frequency (HRF) had a significant increase at dose range of 500×1013—3 000×1013 ions/cm2. The highest level of HRF was 2.42 fold over the control. The 3.3 MeV α particles were used to radiate 4 day old seedlings of R2L100 line. The HRFs had a dose dependent increase at dose of 1—10 Gy, and a dose dependent decrease at 10—100 Gy. The highest level of HRF induced by α particle was 1.9 fold over control at the dose of 10 Gy. These results indicate that short penetrating irradiation can effectively trigger the plant genomic instability at the level of plant. The local irradiation on the roots of R2L100 by α particle resulted in a 2.5 fold increase of HRF in non irradiated aerial plant,which indicates that a signal of genomic instability generated by α particle radiation can systemically travel in whole plant. It is possible that the genome instability induced by low energy ion is a major part of its mutagenic mechanism.     

聚四氟乙烯增强氧化铝胶黏陶瓷涂层腐蚀磨损行为

为了有效改善氧化铝胶黏陶瓷涂层的腐蚀磨损特性及摩擦学性能,将聚四氟乙烯(PTFE)添加到氧化铝胶黏陶瓷涂层中,从而改善其腐蚀磨损特性及摩擦学性能.采用料浆法技术在A4钢基体表面制备了不同PTFE含量的胶黏陶瓷涂层,采用动电位极化曲线及电化学阻抗谱分析技术测试了不同组别胶黏陶瓷涂层耐腐蚀性能,利用材料表面性能综合测试仪分析了不同组别胶黏陶瓷涂层的摩擦学性能,并通过超景深三维显微镜表征了其腐蚀磨损形貌参数.相较于未添加PTFE,添加质量分数为0.2%PTFE的氧化铝胶黏陶瓷涂层耐腐蚀性能最为优异.当陶瓷涂层中PTFE的质量分数为0.2%时,A4钢表面涂层的腐蚀电流密度将从6.611×10^-7 A/cm²降低至6.29×10^-8 A/cm²,同时涂层的腐蚀电位将从2×10^-3 V显著增加到8.9×10^-2 V,主要归结于涂层CBPC2阻碍了O₂及Cl^-渗透,使渗透路径更加曲折,抗电解质渗透能力较强.与此同时,H     

绿色合成载银壳聚糖及其等温线、动力学及抑菌性

以吸附绿色合成法制备载银壳聚糖,采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和热重分析研究其微观结构和热稳定性,并研究了壳聚糖对银离子的吸附模型,以此为抗菌材料,通过平板扩散板法评价载银壳聚糖的抗菌效果。实验结果表明:银离子在多糖结构中的引入影响了其原有的晶体结构,提升了其热稳定性。壳聚糖对银离子的吸附等温线与Langmuir和Dubinin-Radushkevich方程相一致,说明了壳聚糖中银离子的吸附过程符合单层吸附和化学吸附,并且根据Langmiur方程计算壳聚糖对银离子的最大吸附量为478.09 mg/g,含银量为32.34%,与Dubinin-Radushkevich计算结果一致。银含量饱和的载银壳聚糖对大肠杆菌(Escherichia coli)和金黄色葡萄球菌(Staphylococcus aureus)具有良好的抗菌性能,其最小抑菌浓度为80 μg/mL。     

Pr:YIG晶体抗磁性Faraday转动谱的研究

在单电子模型下，用量子理论研究了Pr:YIG晶体中Pr3+离子的抗磁性Faraday转动（FR）谱.分别在温度为77K和300K时，计算了Pr3+离子的λF-1/2θ-λ2的变化关系，计算结果与实验值符合较好.证实了晶场为单态的离子，其抗磁性FR比顺磁性FR对交换场（或外场）有更大的依赖性，且与温度有关.在强交换场环境中，两种转动对FR的贡献有相同的重要性. 关键词： Pr:YIG晶体 单离子模型 抗磁性Faraday转动     

非单特征值的广义分歧定理

讨论了抽象算子方程F(λ,u)=0的局部分歧问题,其中F:R×X→Y是一个C~2微分映射,λ是参数,X,Y为Banach空间.利用Lyapunov-Schmidt约化过程及偏导算子F_u(λ~*,O)的有界线性广义逆,在dim N(F_u(λ~*,0))≥codim R(F_u(λ~*,O))=1的条件下,证明了一个广义跨越式分歧定理.当参数空间的维数等于值域余维数时,应用同样的方法又得到了多参数方程的抽象分歧定理.     

有机及金属有机苯乙炔树状分子体系的非线性光学性质的理论研究

应用密度泛函理论研究了一系列有机及金属有机苯乙炔树状分子的激发态性质和非线性光学性质。计算的电子吸收光谱显示这些树状分子均在低能区域有一个最强的吸收;此外,金属有机体系的吸收光谱和有机体系相比发生了明显的红移。响应性质的计算结果表明共轭体系的扩展和金属有机基团的引入都使得苯乙炔树状分子的非线性光学极化率显著增加,尤其是含Ru体系,其β和γ值呈数量级增长。对于有机体系和含Pd体系,发生在共轭体系内部的π→π*电荷跃迁是产生分子一阶和二阶超极化率的主要原因。而含Ru体系相当大的非线性响应则主要起源于Ru的轨道到共轭体系的π*的跃迁,同时与Ru相邻的C≡C到共轭体系的π→π*跃迁起着辅助贡献。     

秩消因子分析－荧光激发发射光谱法测定稀土混合物中的铈

本文用秩消因子分析法（ＲＡＦＡ）对稀土铈、试混合体系的荧光激发发射光谱矩阵（ＥＥＭ）进行分析，利用稀土元素的荧光光谱特性，在不考虑其它共存元素的情况下，对已知存在的组分铈（含量为０．１１２～０．５５９μｇ／ｍＬ）进行测定，其回收率为９３．３％～１０２％     

秩消因子分析—荧光激发发射光谱法测定稀土混合物中的铈

本文用秩消因子分析法对稀土铈、铽混合体系的荧光激发发射光谱矩阵进行分析，利用稀土元素的荧光光谱特性，在不考虑其它共存元素的情况下，对已知存在的组分铈（含量为０．１１２￣０．５５９μｇ／ｍＬ）进行测定，其回收率为９３．３％￣１０２％。