全文获取类型
收费全文 | 4831篇 |
免费 | 1269篇 |
国内免费 | 1650篇 |
专业分类
化学 | 2888篇 |
晶体学 | 153篇 |
力学 | 548篇 |
综合类 | 251篇 |
数学 | 1081篇 |
物理学 | 2829篇 |
出版年
2024年 | 52篇 |
2023年 | 146篇 |
2022年 | 197篇 |
2021年 | 195篇 |
2020年 | 164篇 |
2019年 | 190篇 |
2018年 | 204篇 |
2017年 | 176篇 |
2016年 | 178篇 |
2015年 | 211篇 |
2014年 | 380篇 |
2013年 | 268篇 |
2012年 | 301篇 |
2011年 | 271篇 |
2010年 | 281篇 |
2009年 | 300篇 |
2008年 | 292篇 |
2007年 | 302篇 |
2006年 | 344篇 |
2005年 | 290篇 |
2004年 | 276篇 |
2003年 | 274篇 |
2002年 | 220篇 |
2001年 | 193篇 |
2000年 | 248篇 |
1999年 | 185篇 |
1998年 | 117篇 |
1997年 | 102篇 |
1996年 | 126篇 |
1995年 | 96篇 |
1994年 | 111篇 |
1993年 | 98篇 |
1992年 | 89篇 |
1991年 | 106篇 |
1990年 | 87篇 |
1989年 | 88篇 |
1988年 | 97篇 |
1987年 | 78篇 |
1986年 | 58篇 |
1985年 | 65篇 |
1984年 | 64篇 |
1983年 | 57篇 |
1982年 | 37篇 |
1981年 | 27篇 |
1980年 | 21篇 |
1979年 | 8篇 |
1965年 | 8篇 |
1964年 | 9篇 |
1958年 | 8篇 |
1957年 | 6篇 |
排序方式: 共有7750条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
102.
采用溶胶-凝胶法制备无孔脲醛树脂-二氧化锆复合微球,在碳酸盐缓冲溶液中,利用微球表面的酰胺键与三嗪染料-活性艳蓝X-BR分子中三嗪环上的活泼氯反应,将染料键合到微球表面,以牛血清白蛋白(BSA)为样品,考察了不同条件下,该萃取剂对BSA的萃取能力。结果表明,该萃取剂对BSA的饱和萃取量达到30.3 mg.g-1,同时萃取的蛋白易于洗脱,1.0 mol.L-1氰化钾的洗脱率达到93.5%。 相似文献
103.
采用毛细管电泳法,以15 mmol·L-1磷酸氢二钠、15 mmol·L-1硼砂和20%乙醇的缓冲溶液作为运行电解质溶液,获得了五味子甲素与五味子中其余成分的有效分离,且峰形较好.测得五味子甲素线性回归方程为y=-0.72+24.9 x,相关系数为0.998;线性范围为0.03~0.37 g·L-1.测得的五味子中五味子甲素质量分数为1.18%,相对标准偏差为2.63%(n=6);平均回收率为99.6%. 相似文献
104.
105.
106.
ZnO薄膜的椭偏和DLTS特性 总被引:2,自引:1,他引:1
用射频磁控溅射在硅衬底上淀积氧化锌薄膜,并对样品分别作氮气、空气、氧气等不同条件下退火处理。为研究退火气氛对ZnO/Si薄膜中缺陷以及折射率的影响,由深能级瞬态谱(DLTS)以及椭偏测量方法进行了检测。椭偏测量结果表明相对原始生长的样品,在氮气和空气退火使ZnO薄膜折射率下降,但氧气中退火使折射率升高。我们对折射率的这种变化机理进行了解释。DLTS测量得到一个与Zni**相关的深能级中心E1存在,氧气气氛退火可以消除E1能级。在氮气退火情况下Zn*i*的存在对抑制VO引起的薄膜折射率下降有利。 相似文献
107.
108.
通过对2022年一道全国研究生入学考试数学试题中条件分布的研究,得到随机变量独立性的有关结论,具有一定的理论价值和应用价值. 相似文献
109.
Deep submicron n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs) with shallow trench isolation (STI) are exposed to ionizing dose radiation under different bias conditions.The total ionizing dose radiation induced subthreshold leakage current increase and the hump effect under four different irradiation bias conditions including the worst case (ON bias) for the transistors are discussed.The high electric fields at the corners are partly responsible for the subthreshold hump effect.Charge trapped in the isolation oxide,particularly at the Si/SiO 2 interface along the sidewalls of the trench oxide creates a leakage path,which becomes a dominant contributor to the offstate drain-to-source leakage current in the NMOSFET.Non-uniform charge distribution is introduced into a threedimensional (3D) simulation.Good agreement between experimental and simulation results is demonstrated.We find that the electric field distribution along with the STI sidewall is important for the radiation effect under different bias conditions. 相似文献
110.