全文获取类型
收费全文 | 295篇 |
免费 | 46篇 |
国内免费 | 109篇 |
专业分类
化学 | 203篇 |
力学 | 17篇 |
综合类 | 5篇 |
数学 | 73篇 |
物理学 | 152篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 8篇 |
2022年 | 11篇 |
2021年 | 6篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 11篇 |
2018年 | 12篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 6篇 |
2015年 | 6篇 |
2014年 | 22篇 |
2013年 | 15篇 |
2012年 | 18篇 |
2011年 | 11篇 |
2010年 | 14篇 |
2009年 | 15篇 |
2008年 | 12篇 |
2007年 | 10篇 |
2006年 | 15篇 |
2005年 | 17篇 |
2004年 | 12篇 |
2003年 | 15篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 9篇 |
2000年 | 15篇 |
1999年 | 25篇 |
1998年 | 10篇 |
1997年 | 17篇 |
1996年 | 15篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 14篇 |
1992年 | 11篇 |
1991年 | 15篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 11篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 4篇 |
1963年 | 1篇 |
1962年 | 1篇 |
1958年 | 3篇 |
1957年 | 1篇 |
1956年 | 1篇 |
1955年 | 1篇 |
1954年 | 1篇 |
排序方式: 共有450条查询结果,搜索用时 31 毫秒
71.
光刻技术在半导体器件大规模生产中发挥重要作用.今天,多数先进半导体生产都已经应用ArF准分子激光浸润光刻技术.双重图像曝光和侧壁图像转移技术使ArF准分子激光浸润光刻技术延伸到32纳米半节距(HP)器件的制造成为可能.为了制造更小尺寸的器件,必须开发新的制造工艺.极端紫外线光刻是制造22纳米半节距甚至更小尺寸半导体器件的先进下一代光刻技术解决方案.另外,其他技术解决方案,如纳米压印光刻技术和无掩模直描光刻技术等也被考虑用于制造更小节点尺寸的器件,但是目前这些方案仅仅处在研发阶段,而且在现阶段就已经呈现出在大规模生产中的诸多困难.本文从材料的角度对光刻技术进行一个整体描述,并对光刻技术未来趋势进行讨论. 相似文献
72.
GHz基本重复频率光纤超短脉冲激光器由于具有宽光谱,窄脉宽等优势,在高速光刻,高端制造,天文探测,太赫兹检测,精密仪器等领域应用广泛。然而在实现1GHz以上基本重复频率锁模的前提下,如何输出脉冲宽度在50fs以下的超短脉冲是当前科学研究的难点。文章以实现更宽光谱,更窄脉宽的GHz重复频率光纤超短脉冲激光器为目标,通过非线性偏振旋转锁模(NPR)技术,利用波分复用光纤准直器(WDM-Collimator)缩短激光谐振腔长度,最终实现了48.8fs脉冲宽度的1GHz基本重复频率光纤激光器。该脉冲宽度是当前国际上1μm波段GHz基本重复频率光纤激光器的最窄直接输出脉冲宽度。最后对激光器集成形成样机,并有效降低制造成本,提升了系统稳定性。该激光样机可满足天文光梳、卫星导航等领域空间尺寸的需求,有望推动高重复频率光纤超短脉冲激光器工业化、商业化发展。 相似文献
73.
74.
以溶胶凝胶法合成的高纯Li_(1.4)Al_(0.4)Ti_(1.6)(PO_4)_3(LATP)纳米晶体粉末为原料,通过流延法成膜,在950℃下煅烧5 h合成LATP固态电解质片;对其进行环氧树脂改性后,能量色散X射线光谱元素图像表明环氧树脂完全浸入LATP内部,可以有效防止水渗透.研究发现流延法合成的LATP固态电解质在25℃?C时电导率高达8.70×10~(-4)S·cm~(-1)、活化能为0.36 eV、相对密度为89.5%.经过环氧树脂改性后电导率仍高达3.35×10-4S·cm-1、活化能为0.34 e V、相对密度为93.0%.高电导隔水的环氧树脂改性LATP固态电解质可作为锂金属保护薄膜用于新型高比容量电池. 相似文献
75.
生物质热化学转化过程含N污染物形成研究 总被引:1,自引:0,他引:1
生物质热化学转化过程(热解与气化)含N污染物是大气PM2.5的重要成因,研究其形成对大气污染防控具有重要意义。本文综述了国内外关于生物质热解与气化含N污染物形成机理及其影响因素的研究进展。现有研究结果表明:热解与气化过程含N污染物形成路径相似,但其种类及含量有明显差异,其中,热解主要为NH3与HCN,气化主要为NH3。从影响因素上看,燃料N赋存、温度、热解升温速率、气化反应气氛、燃料理化特性及反应添加物对含N污染物均有一定影响。升温速率快、燃料含N高、参与反应水蒸气浓度高等,均会造成含N污染物的增加,温度对两过程含N污染物的影响规律具有相似性,高温有利于降低其含量。从含N污染物三相分布特征来看,主要以气相形式存在,热解基本在50%左右,气化可高达90%,因此,控制并降低气相含N污染物形成是生物质热化学转化过程减少污染的重要方向。同时,本文基于研究结论的对比,指出国内外目前研究现状的不足。 相似文献
76.
77.
78.
宋迪之 《原子与分子物理学报》2012,29(1):101-104
我们使用处于居里温度附近的耦合量子点体系模块,并利用旋进磁场与其相互作用,构造一个二能级量子体系,使用驻波形式的电磁激励使其发生拉比振荡.由于该量子体系在统计力学上本质是一个纯粹系综,通过控制电磁激励作用时间的手段,我们可以实现一个输出信号易于被磁强计检测的量子逻辑非门.特别地,该量子逻辑门具备一定抗干扰性质. 相似文献
79.
80.
采用直流三极溅射装置制备获得了CuInS2薄膜, 其中溅射靶采用一定面积比的[Cu]/[In]混合靶,反应气体采用CS2气体. 本文中主要研究了0.02 Pa分压反应气体条件下不同面积比的[Cu]/[In]混合靶和沉积基板温度对CuInS2薄膜结构和成分的影响, 其中CuInS2薄膜制备所用时间为2 h生长的厚度为1—2 μm. 通过对CuInS2薄膜的EPMA, X射线衍射测试分析表明, 最佳的CuInS2薄膜可在面积比[Cu]/[In]混合靶为1.4:1和可控温度(150, 250和350 ℃)的条件下制备获得, 并且其结构被确认为黄铜矿结构. 通过实验结果计算出CuInS2薄膜层有约为8.9%的C杂质含量. 相似文献