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91.
采用共沉淀法制备了不同Eu3+掺杂浓度的Gd2(WO4)3纳米发光材料. 测量了纳米材料样品的X射线衍射谱(XRD) 和场发射扫描电镜, 对样品的结构和形貌进行了表征. 测量了各样品的发射光谱和激发光谱(声子边带光谱), 绘制了浓度猝灭曲线, 确定了最佳的掺杂浓度为20 mol%. 通过声子边带光谱计算了不同掺杂浓度样品的黄昆因子. 测量了不同浓度样品的荧光寿命, 利用Auzel模型对Eu3+ 5D0能级荧光寿命数据进行了拟合, 确定了5D0能级的固有寿命和猝灭过程中生成的声子数. 本文还根据荧光寿命数据计算了Eu3+之间的能量传递速率, 确定了能量传递速率与浓度的关系.
关键词:
钨酸盐
3+')" href="#">Eu3+
黄昆因子
能量传递速率 相似文献
92.
逾渗网格模型是当前忆阻器件机理分析研究领域的热点之一, 但现有模型缺乏对初态设定的讨论. 本文对逾渗网格模型进行了简化, 并基于此, 通过电压激励步进的方式, 研究了不同初态对单极性忆阻开关元件中逾渗导电通道形成的影响, 分析了形成通道的动态过程以及相应的物理意义, 验证了忆阻开关元件高低阻态的阻值实际表现为高斯分布而非理想双值稳态; 而不同初态条件下, 忆阻开关元件导电通道的形状存在着不同的"树形"结构, 进而影响着其阻值的分布. 研究成果有助于进一步揭示忆阻器尚未明确的导电机理, 为今后对具体不同类型的忆阻元件的初态分析提供指导性作用.
关键词:
忆阻器
开关元件
逾渗模型
初态分析 相似文献
93.
Hydrogen peroxide biosensor based on electrodeposition of zinc oxide nanoflowers onto carbon nanotubes film electrode 总被引:2,自引:0,他引:2
Hui Ping Bai Xu Xiao Lu Guang Ming Yang Yun Hui Yang~* Department of Chemistry Chemical Engineering Yunnan Normal University Kunming China 《中国化学快报》2008,19(3):314-318
A new amperometric biosensor for hydrogen peroxide was developed based on adsorption of horseradish peroxidase at the glassy carbon electrode modified with zinc oxide nanoflowers produced by electrodeposition onto multi-walled carbon nanotubes (MWNTs) film. The morphology of the MWNTs/nano-ZnO electrode has been investigated by scanning electron microscopy (SEM), and the electrochemical performance of the electrode has also been studied by amperometric method. The resulting electrode offered an excellent detection for hydrogen peroxide at -0.11 V with a linear response range of 9.9×10^-7 to 2.9×10^-3 mol/L with a correlation coefficient of 0.991, and response time 〈5 s. The biosensor displays rapid response and expanded linear response range, and excellent stability. 相似文献
94.
Jian Fang Zhong De Liang He~* Zhou Zhou Yi Bin Xu State Key Laboratory of Chemo/Biosensing Chemometrics College of Chemistry Chemical Engineering Hunan University Changsha China 《中国化学快报》2008,19(3):319-323
The similar electrochemical oxidation behaviors of hydroxypivalaldehyde in ionic liquids (ILs) medium, C4MIMPF6, C4MIMBF4 and CsMIMPF6, are investigated using classic electrochemical methods, respectively. Only the product, hydroxypivalic acid is detected by high performance liquid chromatography (HPLC). It can be conferred that the electrochemical oxidation of hydroxypivalaldehyde consists of two successive one-electron irreversible reactions at glass carbon (GC) electrode and the possible reaction mechanism in the ILs is proposed firstly. The diffusion coefficients of hydroxypivalaldehyde are obtained according to the electrochemical characteristics of hydroxypivalaldehyde in C4MIMPF6, C4MIMBF4 and CsMIMPF6. 相似文献
95.
96.
A SnO2/Ti
electrode prepared by thermal oxidation was used as the anode for galvanostatic
electrolysis in acidic solution containing phenol, the time-dependances of phenol
concentration,chemical oxygen demand in solution(COD)and instantaneous current efficiency
were determined during electrolysis.The results show that with the SnO2/Ti
anode instead of Pt,the COD significantly decreases at the same charge passage, and
average current efficiency of oxidation increases by three times The mechanism for phenol
oxidation at two electrodes was discussed. 相似文献
97.
对不确定混沌系统控制问题, 研究了一种基于径向基函数神经网络(radial basis function neural network, RBFNN)的反馈补偿控制方法. 该方法首先用RBFNN对混沌系统的动力学特性进行学习, 然后用训练好的RBFNN模型对混沌系统进行反馈补偿控制. 该方法的特点是不需要被控混沌系统的数学模型,可以快速跟踪任意给定的参考信号. 数值仿真试验表明了该控制方法不仅具有响应速度快、控制精度高, 而且具有较强的抑制混沌系统参数摄动能力和抗干扰能力. 相似文献
98.
XU Long Ya * WANG Qing Xia LIN Li Wu XU Yi De Dalian Institute of Chemical Physics The Chinese Academy of Sciences Dalian Liaoning 《天然气化学杂志》1998,7(1):7-15
Ni/Si2催化剂具有较好的低碳烷烃与二氧化碳重整制合成气的反应性能,添加La2O3助剂和K2O助剂可提高催化剂活性和合成气收率,从而进一步改善催化剂的低碳烷烃与CO2重整制合成气的反应性能,研制的KLaNi/Si2催化剂,用于天然气与CO2重整反应制合成气可达97%的低碳烷烃转化率和95%以上的合成气收率。 相似文献
99.
本文采用分数维方法, 在讨论Al0.3Ga0.7As衬底上GaAs薄膜的分数维基础上, 计算了GaAs薄膜中的极化子结合能和有效质量. 随着薄膜厚度的增加, 极化子结合能和质量变化单调地减小. 当薄膜厚度Lw<70 Å并且衬底厚度Lb<200 Å时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响比较显著, 随着衬底厚度的增加, 薄膜中极化子的结合能和质量变化逐渐变大; 当薄膜厚度Lw>70 Å或者衬底厚度Lb>200 Å时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响不显著. 研究结果为GaAs薄膜电子和光电子器件的研究和应用提供参考.
关键词:
分数维方法
GaAs薄膜
极化子
低维异质结构 相似文献
100.