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近年来,聚硅烷导电高分子材料受到广泛重视,主要由于硅是公知的半导体,在电子工业上应用极广泛,另外硅是地球上贮量最丰富的元素,在寻找非碳功能材料时,聚硅烷自然是首选.聚硅烷的主链形成σ电子离域,通过掺杂能使这类材料的电导率在较宽的范围内变化,从而赋予他们非常独特的光化学和光物理性质,可用作导体与半导体、光导体材料、以及非线性光学材料、光致抗蚀剂、电致发光装置中的发光二级管等,有可能成为方兴未艾的信息技术所必需的集成电子器件或集成光子器件中的关键材料之一.同π共轭体系相类似,聚硅烷体系也只有在掺杂引入载流子的情况下才能导电.相比之下,对依赖于σ共轭体系的导电机理研究很少.国际上关于这类高分子的理论研究还处在刚刚起步阶段,只有少部分的理论工作是关于未掺杂聚硅烷体系的基态几何和能带结构的分析,大多集中在σ电子离域的验证上.而对于掺杂聚硅烷的理论工作更是少见报道,仅有少量的关于掺杂对聚硅烷寡聚体极子的几何结构和激发能影响的理论工作.有关掺杂后聚硅烷的电子输运性能研究国内外更是未见文献报道,因此开展这方面的理论研究工作是很必要的.本文运用密度泛函理论并结合非平衡格林函数方法,用ATK软件和Gaussian 03软件分别对未掺杂、电荷掺杂(Si12+)、B原子和P原子掺杂(Si5Bsi6和Si5PSi6)的四种聚硅烷寡聚体进行了传输性质的比较性理论研究.首先,为了更真实的模拟电场情况下的电子的性质,本文应用Gaussian程序在6-31+G(d)基组和BHHLYP泛函下,分别在电场0.0,0.68×108,1.36×108,2.03×108,2.71×108,3.38×108和4.06×108V·m-1下对四种聚硅烷进行了几何结构优化,在优化的几何构型和相同的计算方法基础上进行了TDDFT激发态光谱的计算和自然键轨道NBO的计算.然后对优化后的聚硅烷在ATK程序下用Au(111)-(3×3)电极分别计算了偏压为0.0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0和1.2V下的电子输运性质.计算结果表明,电荷掺杂的聚硅烷Si12+和杂原子掺杂的聚硅烷(Si5BSi6和Si5PSi6)的传输性质有着明显的差异,得到了与实验相一致的结论.即电荷掺杂的聚硅烷由于电子传输通道被破坏,所以它的导电性很差,而Si5BSi6和Si5PSi6则表现出了很好的导电性能,并且杂原子掺杂的聚硅烷还表现出了NDR效应.我们通过传输谱图、MPSH图、激发态图谱、能带和共轭效应对上述现象进行了详细讨论.由此可见,B原子和P原子掺杂的聚硅烷可以作为电子器件的优良材料. 相似文献
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DL—β—(噻唑基)—α—乙酰氨基丙酸合成方法的改进 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了由(4-噻唑基)-甲基乙酰氨基丙二酸二乙酯通过碱性水解并脱羧来合成外消旋β-(4-噻唑基)-α-乙酰氨基丙酸的新路线,产率可达80%,同时对前几步中间产物的合成进行了有效的改进。 相似文献
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通过对柚子型微结构光纤Bragg光栅的多个反射峰的温度和应变传感特性进行的理论和实验 研究,得出柚子型微结构光纤Bragg光栅的反射波长与温度呈二次关系,且理论和实验二者 吻合较好; 同时发现每个反射峰的温度灵敏度不同.理论分析柚子型微结构光纤Bragg光栅的 反射波长与应变呈线性关系,实验得到了该种Bragg光栅的反射波长与应变的线性关系,实 验结果与理论分析相吻合.由于微结构光纤光栅反射谱中多个峰对温度和应变等物理量敏感 度不一致,这种Bragg光栅更适合应用到多参量传感领域.
关键词:
微结构光纤
光纤Bragg光栅
温度传感
应变传感 相似文献
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本文用胶子结构函数的遮蔽效应和末态作用分析了在p-A碰撞中粲偶素和b夸克偶素产额压低的实验数据,较好地描述了粲偶素和b夸克偶素产额的压低与A和X2的关系. 相似文献
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A Novel Method for Measuring the Photo-Induced Birefringence of Photosensitive Fibres Based on a Fibre Loop *
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We report a novel method for measuring photo-induced birefringence of photosensitive fibres based on a fibre loop.The method is simple and is only slightly affected by the surroundings. The experimental results show that thephoto-inducing normalized birefringence of the photosensitive fibre is multi-decaying-exponentially proportionalto the exposure and it can attain 10^-5. 相似文献
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In this paper, the crystallization behaviour of amorphous Ge2Sb2Te5 thin films is investigated using differential scanning calorimetry), x-ray diffraction and optical transmissivity measurements. It is indicated that only the amorphous phase to face-centred-cubic phase transformation occurs during laser annealing of the normal phase-change structure, which is a benefit for raising the phase-change optical disk's carrier-to-noise ratio (CNR). For amorphous Ge2Sb2Te5 thin films, the crystallization temperature is about 200℃ and the melting temperature is 546.87℃. The activation energy for the crystallization, Ea, is 2.25eV. The crystallization dynamics for Ge2Sb2Te5 thin films obeys the law of nucleation and growth reaction. The sputtered Ge2Sb2Te5 films were initialized by an initializer unit. The initialization conditions have a great effect on the reflectivity contrast of the Ge2Sb2Te5 phase-change optical disk. 相似文献